一种用于DC-DC开关电源芯片的高PSRR带隙电压源电路制造技术

本发明专利技术请求保护一种用于DC

【技术实现步骤摘要】
一种用于DC
‑
DC开关电源芯片的高PSRR带隙电压源电路


[0001]本专利技术属于微电子
，具体涉及一种用于DC
‑
DC开关电源芯片的高PSRR带隙电压源电路。

技术介绍

[0002]DC
‑
DC开关电源芯片因具有高的转换效率，已广泛应用于便携式电子设备。带隙电压源是DC
‑
DC开关电源芯片的核心子电路并为DC
‑
DC开关电源芯片其他功能模块提供偏置，因而带隙电压源的性能特性影响DC
‑
DC开关电源芯片的性能特性；随着集成电路技术的发展，DC
‑
DC开关电源芯片对内部的带隙电压源的性能要求越来越高。
[0003]图1为一种传统的带隙电压源电路结构，主要由NPN三极管Q1、NPN三极管Q2、NPN三极管Q3、电阻R1、电阻R2、PMOS管M1、PMOS管M2、PMOS管M3及放大器EA组成。所有电阻采用相同材料，NPN三极管Q1的发射极面积是NPN三极管Q2的M倍，放大器EA的低频增益A
d...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于DC
‑
DC开关电源芯片的高PSRR带隙电压源电路，其特征在于，包括：电压预调整器(1)及带隙基准核心电路(2)，其中，所述电压预调整器(1)的信号输出端接所述带隙基准核心电路(2)的信号输入端，所述带隙基准核心电路(2)的信号输出端接所述电压预调整器(1)的信号输入端，所述带隙基准核心电路(2)主要通过NPN三极管Q8基极
‑
发射极与NPN三极管Q6基极
‑
发射极的嵌位产生的电流、NPN三极管Q11构成反偏二极管的反向饱和电流以及NPN三极管Q6基极
‑
发射极电压V
BE6
来产生低温漂系数的带隙基准参考电压，所述电压预调整器(1)主要通过PMOS管M9与PMOS管M10对所述带隙基准核心电路(2)提供工作电源电压，从而获得高电源抑制比PSRR低温漂系数的带隙基准参考电压。2.根据权利要求1所述的一种用于DC
‑
DC开关电源芯片的高PSRR带隙电压源电路，其特征在于，所述电压预调整器(1)包括：PMOS管Ms1、PMOS管Ms2、PMOS管Ms3、PMOS管M1、PMOS管M2、PMOS管M3、PMOS管M4、NMOS管M5、NMOS管M6、PMOS管M7、PMOS管M8、PMOS管M9、PMOS管M10、PMOS管M11、NMOS管M12、NMOS管M13、NMOS管M14、电阻Rs1、电阻R1、电阻R2、NPN三极管Q1以及NPN三极管Q2，其中PMOS管Ms2的源极分别与PMOS管Ms1的源极、PMOS管Ms3的源极、PMOS管M1的源极、PMOS管M3的源极、PMOS管M7的源极、PMOS管M9的源极以及外部输入端INPUT相连，PMOS管Ms2的栅极分别与PMOS管Ms2的漏极、电阻Rs1的一端、PMOS管Ms1的漏极以及PMOS管Ms3的栅极相连，PMOS管M1的漏极与PMOS管M2的源极相连，PMOS管M2的漏极分别与PMOS管Ms1的栅极、PMOS管M1的栅极、PMOS管M3的栅极、PMOS管M7的栅极、PMOS管M9的栅极以及电阻R1的一端相连，电阻R1的另一端分别与PMOS管M2的栅极、PMOS管M4的栅极、PMOS管M8的栅极、PMOS管M10的栅极以及NMOS管M5的漏极相连，NMOS管M5的源极与NPN三极管Q1的集电极相连，NPN三极管Q1的发射极与电阻R2的一端相连，电阻R2的另一端分别与电阻Rs1的另一端、NPN三极管Q2的发射极、NMOS管M13的源极、NMOS管M12的源极、NMOS管M14的源极以及外部地GND相连，PMOS管M3的漏极与PMOS管M4的源极相连，PMOS管M4的漏极分别与PMOS管Ms3的漏极、NMOS管M5的栅极、NMOS管M6的栅极以及NMOS管M6的漏极相连，NMOS管M5的源极分别与NPN三极管Q1的基极、NPN三极管Q2的基极以及NPN三极管Q2的集电极相连，PMOS管M7的漏极与PMOS管M8的源极相连，PMOS管M8的漏极分别与NMOS管M13的漏极、NMOS管M13的栅极以及NMOS管M14的栅极相连，PMOS管M9的漏极与PMOS管M10的源极相连，PMOS管M10的漏极分别与PMOS管M25的源极、PMOS管M24的源极、PMOS管M21的源极、PMOS管M20的源极、PMOS管M18的源极、PMOS管M16的源极、NMOS管M15的漏极、电阻R3的一端、NMOS管M12的漏极以及PMOS管M11的源极相连，PMOS管M11的漏极分别与NMOS管M12的栅极以及NMOS管M14的漏极相连。3.根据权利要求2所述的一种用于DC
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DC开关电源芯片的高PSRR带隙电压源电路，其特征在于，所述电压预调整器(1)中，PMOS管M1、PMOS管M2、PMOS管M3、PMOS管M4、NMOS管M5、NMOS管M6、NPN三极管Q1、NPN三极管Q2、电阻R1及电阻R2构成所述电压预调整器(1)的偏置电路，PMOS管Ms1、PMOS管Ms2、PMOS管Ms3及电阻Rs1构成偏置电路的启动电路，PMOS管M9和PMOS管M10构成共源共栅电流源并为所述带隙基准核心电路(2)提供工作电源电压V
REG
，即PMOS管M10的漏极输出电压V
REG
为所述带隙基准核心电路(2)提供工作电源电压，因而当电路输入端INPUT具有波动电压v
in
时，所述带隙基准核心电路2的工作电源电压V
REG
的波动电压v
reg
小于电路输入端INPUT的波动电压v
in
，进而抑制电路输入端INPUT的波动电压v
in
对电路输出端VREF的输出电压V
REF
的影响。4.根据权利要求2或3所述的一种用于DC
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DC开关电源芯片的高PSRR带隙电压源电路，
其特征在于，所述电压预调整器(1)中，PMOS管M11、NMOS管M12、NMOS管M14与所述带隙基准核心电路(2)构成负反馈环路，因而当所述带隙基准核心电路(2)的工作电源电压V
REG
有一正波动电压，该正波动电压通过PMOS管M16、PMOS管M17支路使得PMOS管M11的栅极有一正波动电压且小于工作电源电压V
REG
的正波动电压，使得NMOS管M12的栅极电压增加，进而抑制所述带隙基准核心电路(2)的工作电源电压V
REG
增加，从而获得用于DC
...

【专利技术属性】
技术研发人员：周前能，杜永彪，李红娟，
申请(专利权)人：重庆邮电大学，
类型：发明
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