阵列基板的制备方法、阵列基板以及显示装置制造方法及图纸

本申请提供一种阵列基板的制备方法、阵列基板以及显示装置，制备方法包括：提供一驱动电路层，驱动电路层包括设有第一过孔的平坦化层；在设有第一过孔的平坦化层上形成依次形成公共电极层和接触电极层；在接触电极层上形成光阻层；对光阻层、公共电极层以及接触电极层进行图案化处理，形成第二过孔，第一过孔和第二过孔连通；剥离光阻层；在公共电极层、接触电极层以及平坦化层上形成第一绝缘层和像素电极层。本申请的制备方法通过仅增加一次铜刻蚀工艺，减少一次光阻涂布和一次光阻剥离工艺，从而在公共电极层和接触电极层在形成图案化时，仅需采用一道黄光工艺，从而可以有利于提高整个阵列基板制程的产能，进而有利于实现成本节约和产能提高。本节约和产能提高。本节约和产能提高。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板的制备方法、阵列基板以及显示装置


[0001]本申请涉及显示器件
，尤其涉及一种阵列基板的制备方法、阵列基板以及显示装置。

技术介绍

[0002]高分辨，高刷新率的IGZO HFS高端机种均会采用金属(M3)(一般为铜)走线以降低COM ITO(简称CITO)电阻，进而确保COM ITO均匀性。而IGZO HFS高端机种均会使用PFA材质制备平坦化层，这导致CITO与M3难以通过HTM PH和3W1D(包括铜湿刻(Cu WET)，ITO湿刻(ITO WET)，氧气灰化(O
2 Ash)和铜湿刻(Cu WET))工艺完成。这是由于PFA开孔很深，当采用黄光工艺时，PFA开孔处光阻(PR)很厚，难以在曝光和显影后完全去除，有PR残留的风险。而若加大曝光剂量，则会导致半色调区出现PR破膜，进而导致部分应保留的CITO被蚀刻，在显示时这部分区域始终呈现暗态。
[0003]因此，CITO和M3大多是通过两道黄光工艺和两道湿刻工艺完成，即IGZO HFS 9Mask Normal工艺，然而，黄光工艺制程是限制产能的瓶颈，故减少本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：提供一驱动电路层，所述驱动电路层包括设有第一过孔的平坦化层；在所述设有第一过孔的平坦化层上形成依次形成公共电极层和接触电极层；在所述接触电极层上形成光阻层；对所述光阻层、所述公共电极层以及所述接触电极层进行图案化处理，形成第二过孔，所述第一过孔和第二过孔连通；剥离所述光阻层；在所述公共电极层、所述接触电极层以及所述平坦化层上形成第一绝缘层和像素电极层。2.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述第二过孔包括第一子孔；所述对所述光阻层、所述公共电极层以及所述接触电极层进行图案化处理，形成第二过孔，所述第一过孔和第二过孔连通的步骤，包括：采用第一掩膜版对所述光阻层进行曝光、显影处理，所述第一掩膜版包括光刻区所述光刻区形成于所述第一过孔上；采用第一刻蚀工艺在所述光刻区刻蚀所述接触电极层，形成所述第一子孔，所述第一子孔与所述第一过孔连通。3.根据权利要求2所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述第二过孔还包括第二子孔；所述采用第一刻蚀工艺在所述光刻区刻蚀所述接触电极层，形成所述第一子孔的步骤之后，还包括：采用第二刻蚀工艺在所述光刻区刻蚀所述公共电极层，形成所述第二子孔，所述第二子孔和所述第一子孔连通。4.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述对所述光阻层、所述公共电极层以及所述接触电极层进行图案化处理，形成第二过孔的步骤之后，还包括：采用第二掩膜版对所述光阻层进行曝光、显影处理；对采用湿刻工艺对所述接触电极层进行刻蚀，形成接触电极。5.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述驱动电路层还包括第二绝缘层和第一金属层，所述平坦化层设置...

【专利技术属性】
技术研发人员：张羿，葛世民，
申请(专利权)人：广州华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：