一种红黄GaAs系LED芯片及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种红黄GaAs系LED芯片及其制备方法，涉及芯片技术领域，该芯片包括：GaAs衬底；外延层，设于所述GaAs衬底的一侧表面；高掺GaP层，包括第一GaP层、第二GaP层以及依次设于所述第一GaP层与所述第二GaP层之间的多个过渡GaP层，所述第一GaP层设于所述外延层上远离所述GaAs衬底的一侧表面，所述第二GaP层设于所述过渡GaP层上远离所述第一GaP层的一侧表面，所述第二GaP层内注入有be离子；ODR全反射层，包括反射介质层及镜面金属层，所述反射介质层及镜面金属层依次设于所述第二GaP层上远离所述第一GaP层的一侧表面。本发明专利技术能够解决现有技术中作为介质层的SiO2不导电，虽然蚀刻出了CB孔作为欧姆接触通道，但仍会使芯片的整体电压升高的技术问题。整体电压升高的技术问题。整体电压升高的技术问题。

【技术实现步骤摘要】
一种红黄GaAs系LED芯片及其制备方法


[0001]本专利技术涉及芯片
，特别涉及一种红黄GaAs系LED芯片及其制备方法。

技术介绍

[0002]LED镜面为红黄GaAs系LED正装反极性垂直结构产品中极为重要的一部工序，能够达到提升亮度的目的。在红黄GaAs系LED芯片MQW（量子阱）出光时，主要应用为正向光。然而，由于GaAs材料有着较高的吸光特性，下方出光会被GaAs吸收，无法反射回正面，因此无镜面层GaAs系芯片出光主要为正向出光。
[0003]为提高出光效率，减少光吸收，红黄GaAs产品产生了特有的正装反极性产品，其主要特点便是通过置换不同衬底在外延下方加入一组镜面结构，使MQW（量子阱）出光时下方光可以由镜面结构反射回正向，从而达到提高亮度的效果。目前红黄GaAs系LED通用的镜面结构主要为SiO2作为介质层，Au或Ag作为镜面金属层，通过介质层和镜面金属层实现ODR反射。
[0004]目前红黄GaAs系LED芯片外延进行置换衬底增加镜面与介质层形成ODR结构，作为介质层的SiO2不导电，虽然蚀刻出了CB孔本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种红黄GaAs系LED芯片，其特征在于，所述LED芯片包括：GaAs衬底；外延层，设于所述GaAs衬底的一侧表面；高掺GaP层，包括第一GaP层、第二GaP层以及依次设于所述第一GaP层与所述第二GaP层之间的多个过渡GaP层，所述第一GaP层设于所述外延层上远离所述GaAs衬底的一侧表面，所述第二GaP层设于所述过渡GaP层上远离所述第一GaP层的一侧表面，所述第二GaP层内注入有be离子；ODR全反射层，包括反射介质层及镜面金属层，所述反射介质层及镜面金属层依次设于所述第二GaP层上远离所述第一GaP层的一侧表面。2.根据权利要求1所述的红黄GaAs系LED芯片，其特征在于，所述第一GaP层的生长厚度与所述第二GaP层的生长厚度相等。3.根据权利要求2所述的红黄GaAs系LED芯片，其特征在于，所述第一GaP层的生长厚度与所述第二GaP层的生长厚度均为5000
Å
。4.根据权利要求1所述的红黄GaAs系LED芯片，其特征在于，所述第一GaP层的碳掺杂浓度为3e
16
cm
‑3，所述第二GaP层的碳掺杂浓度为3e
17
cm
‑3。5.根据权利要求4所述的红黄GaAs系LED芯片，其特征在于，设于所述第一GaP层与所述第二GaP层之间的多个过渡GaP层的碳掺杂溶度由所述第一GaP层一侧向所述第二GaP层一侧逐渐增加。6.根据权利要求5所述的红黄GaAs系LED芯片，其特征在于，多个所述过渡GaP层的碳掺杂溶度由所述第一GaP层一侧向所述第二GaP层一侧以每3e1cm
‑3一台阶逐渐过渡，每一所述过渡GaP层的...

【专利技术属性】
技术研发人员：窦志珍，兰晓雯，杨琦，贾钊，胡加辉，金从龙，顾伟，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：