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本发明提供了一种红黄GaAs系LED芯片及其制备方法，涉及芯片技术领域，该芯片包括：GaAs衬底；外延层，设于所述GaAs衬底的一侧表面；高掺GaP层，包括第一GaP层、第二GaP层以及依次设于所述第一GaP层与所述第二GaP层之间的多个过...
该专利属于江西兆驰半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江西兆驰半导体有限公司授权不得商用。

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