红黄GaAs二极管的外延结构及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种红黄GaAs二极管的外延结构及其制备方法，该外延结构包括：衬底及在所述衬底上依次向上生长的布拉格反射镜、N型限制层、多量子阱层、P型限制层、P型覆盖层及电流扩展层；其中，所述布拉格反射镜为周期性结构，对所述布拉格反射镜进行Si掺杂且所述布拉格反射镜中的Si掺杂浓度随所述布拉格反射镜结构的生长周期递增而渐进式递增，以使所述布拉格反射镜包含了N型覆盖层的功能。本发明专利技术能够简化外延结构及外延加工工艺，使生产成本更加低廉，且使布拉格反射镜综合了布拉格反射镜结构的反射作用及N

【技术实现步骤摘要】
红黄GaAs二极管的外延结构及其制备方法


[0001]本专利技术涉及芯片领域，特别是涉及一种红黄GaAs二极管的外延结构及其制备方法。

技术介绍

[0002]红黄GaAs LED正装正极性芯片是一种市场普及率高的LED芯片，目前市场占有率较高的4mil～5mil红黄GaAs LED正装正极性芯片亮度通常在120mcd
‑
160mcd之间。
[0003]LED芯片的外延需要进行多层生长，目前的红黄GaAs LED正装正极性芯片的外延结构中包含N型覆盖层，而N型覆盖层的存在不仅使得外延结构及外延加工工艺不够简化，还会由于加大了光子到布拉格反射镜的行程从而影响了布拉格反射镜对光的反射，进而影响到LED的发光亮度。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提出一种红黄GaAs二极管的外延结构及其制备方法，旨在解决
技术介绍
中记载的技术问题。
[0005]本专利技术提出一种红黄GaAs二极管的外延结构，所述外延结构包括：衬底及在所述衬底上依次向上生长的布拉格反射镜、N型限制层、多量子阱层、P型限制层、本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种红黄GaAs二极管的外延结构，其特征在于，所述外延结构包括：衬底及在所述衬底上依次向上生长的布拉格反射镜、N型限制层、多量子阱层、P型限制层、P型覆盖层及电流扩展层；其中，所述布拉格反射镜为周期性结构，对所述布拉格反射镜进行Si掺杂且所述布拉格反射镜中的Si掺杂浓度随所述布拉格反射镜结构的生长周期递增而渐进式递增，以使所述布拉格反射镜包含了N型覆盖层的功能。2.根据权利要求1所述的红黄GaAs二极管的外延结构，其特征在于，所述布拉格反射镜包括n对布拉格反射镜子层，其中，所述布拉格反射镜生长顺序上的前a对布拉格反射镜子层作为基层，Si掺杂浓度为0，第a+1至第n对布拉格反射镜子层的Si掺杂浓度随对数的递增而渐进式递增。3.根据权利要求2所述的红黄GaAs二极管的外延结构，其特征在于，第a+1对布拉格反射镜子层的Si掺杂浓度为第一预设浓度，第n对布拉格反射镜子层的Si掺杂浓度为第二预设浓度，所述第二预设浓度大于所述第一预设浓度。4.根据权利要求3所述的红黄GaAs二极管的外延结构，其特征在于，所述第一预设浓度为1e
15
cm
‑3，所述第二预设浓度为3e
18
cm
‑3。5.根据权利要求3所述的红黄GaAs二极管的外延结构，其特征在于，n为30，a为1。6.根据权利要求2所述的红黄GaAs二极管的外延结构，其特征在于，每对所述布拉格反射镜均包括AlAs层及生长在所述AlAs层上的GaAs层。7.一种红黄GaAs二极管的外延结构的制备方法，其特征在于，用于制备权利要求1
‑
6任一项所述的红黄GaAs二极...

【专利技术属性】
技术研发人员：贾钊，窦志珍，杨琪，马婷，胡加辉，金从龙，顾伟，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：