树脂膜、复合片及带第一保护膜的半导体芯片的制造方法技术

本发明专利技术提供一种树脂膜，所述树脂膜为热固性的树脂膜，将热固化前的所述树脂膜用作第一试验片，通过差示扫描量热法(DSC)在升温速率为10℃/分钟的等速升温条件下对第一试验片进行分析而得到的100～300℃范围的放热量为100J/g以下。100J/g以下。100J/g以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】树脂膜、复合片及带第一保护膜的半导体芯片的制造方法


[0001]本专利技术涉及树脂膜、复合片及带第一保护膜的半导体芯片的制造方法。本申请基于2020年2月27日在日本提出申请的日本特愿2020
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031717号主张优先权，并将其内容援引至本申请中。

技术介绍

[0002]以往，将用于MPU或门阵列等的多引脚LSI封装安装于印刷布线基板时，作为半导体芯片，使用在其连接焊垫部形成有由共晶焊料、高温焊料、金等构成的凸状电极(以下，在本说明书中称为“凸点(bump)”)的芯片，并且，采用通过所谓的倒装方式使这些凸点与芯片搭载用基板上的相对应的端子部相对、接触，并进行熔融/扩散接合的倒装芯片安装方法。
[0003]该安装方法中所使用的半导体芯片例如通过对电路面上形成有凸点的半导体晶圆的与电路面(换言之凸点形成面)为相反侧的面进行研磨或者切割并进行单颗化而获得。在获得这样的半导体芯片的过程中，出于保护半导体晶圆的凸点形成面及凸点的目的，通常在凸点形成面贴附固化性树脂膜，并使该膜固化，由此在凸点形成面上形成保护膜。
[000本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种树脂膜，其为热固性的树脂膜，将热固化前的所述树脂膜用作第一试验片，通过差示扫描量热法(DSC)在升温速率为10℃/分钟的等速升温条件下对第一试验片进行分析而得到的100～300℃范围的放热量为100J/g以下。2.根据权利要求1所述的树脂膜，其中，所述树脂膜含有热固性成分(B)，所述热固性成分(B)的含量相对于所述树脂膜的总质量的比例为10～75质量％。3.根据权利要求1或2所述的树脂膜，其中，将直径为25mm、厚度为1mm的所述树脂膜用作第二试验片，在温度为90℃、频率为1Hz的条件下使所述第二试验片产生应变，测定所述第二试验片的储能模量，并将所述第二试验片的应变为1％时的所述第二试验片的储能模量设为Gc1、将所述第二试验片的应变为300％时的所述第二试验片的储能模量设为Gc300时，由下述式计算出的X值为19以上且小于10000，X＝Gc1/Gc300。4.根据权利要求1～3中任一项所述的树脂膜，其中，所述树脂膜用于对凹凸面的贴附。5.根据权利要求1～4中任一项所述的树脂膜，其中，所述树脂膜用于保护半导体芯片的凹凸面及侧面。6.一种复合片，其具备支撑片与设置在所述支撑片的一个面上的树脂膜，所述树脂膜为权利要求1～5中任一项所述的树脂膜。7.根据权利要求6所述的复合片，其中，所述支撑片具备基材与设置在所述基材的一个面上的粘着剂层，所述粘着剂层配置于所述基材与所述树脂膜之间。8.根据权利要求6或7所述的复合片，其中，所述支撑片具备基材与设置在所述基材的一个面上的缓冲层，所述缓冲层配置于所述基材与所述树脂膜之间。9.一种带第一保护膜的半导体芯片的制造方法，其为使用了半导体晶圆的带第一保护膜的半导体芯片的制造方法，其中，所述带第一保护膜的半导体芯片具备半导体芯片与设置于所述半导体芯片的侧面及具有凸点的面的第一保护膜，所述半导体晶圆在其一个面具有凸点与作为所述半导体晶圆的分割位置的沟槽，所述制造方法具有贴附工序，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：四宫圭亮，森下友尭，
申请(专利权)人：琳得科株式会社，
类型：发明
国别省市：