放射性金属标记抗体的制造方法技术

本发明专利技术的放射性金属标记抗体的制造方法包括使放射性金属络合物与利用肽位点特异性地进行了修饰的抗体进行点击反应，生成放射性金属标记抗体的工序。点击反应在放射性金属络合物所具备的第一原子团、与和肽直接地或间接地连接的第二原子团之间执行。第二原子团为包含叠氮化物(azide)的原子团、或者包含反式环辛烯的原子团。辛烯的原子团。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】放射性金属标记抗体的制造方法


[0001]本专利技术涉及放射性金属标记抗体的制造方法。

技术介绍

[0002]利用抗体所具有的对靶标分子的特异性，而将抗体用作用于检测靶标分子的试剂、诊断药、或用于治疗疾病的医药品。为了进一步提高检测性能及治疗效果，已在进行与结合有放射性核素、药剂的抗体有关的研究。
[0003]专利文献1中记载了包含由13～17个氨基酸残基形成的氨基酸序列、且能够与人抗体结合的肽。该文献中还记载有上述肽能够利用含有放射性同位素的络合物等标记物质、抗癌剂等药剂进行修饰，以及能够形成该肽与抗体的复合体。
[0004]专利文献2中记载了经
111
In(其作为放射性金属)的DTPA络合物修饰的肽与抗体的复合体。还记载了该抗体复合体与肿瘤中发现的靶标分子特异性地结合。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1：国际公开第2016/186206号小册子
[0008]专利文献2：国际公开第2017/217347号小册子
[0009]专利文献本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.放射性金属标记抗体的制造方法，其包括使放射性金属络合物与利用肽位点特异性地修饰而得的肽修饰抗体进行点击反应，生成放射性金属标记抗体的工序，所述点击反应在所述放射性金属络合物所具备的第一原子团、与和所述肽直接地或间接地连接的第二原子团之间执行，所述第二原子团为包含叠氮基的原子团、或者包含反式环辛烯的原子团。2.如权利要求1所述的放射性金属标记抗体的制造方法，其中，所述肽包含下述式(i)表示的、由13～17个氨基酸残基形成的氨基酸序列，在该肽的N末端或C末端具有第二原子团，(Xa)
‑
Xaa1
‑
(Xb)
‑
Xaa2
‑
(Xc)
‑
Xaa3
‑
(Xd)
···
(i)式(i)中，Xa、Xb、Xc及Xd分别表示连续的a个X、连续的b个X、连续的c个X、及连续的d个X，X是在侧链上不具有硫醇基及卤代乙酰基中的任一者的氨基酸残基，a、b、c及d各自独立地为1以上5以下的整数，并且满足a+b+c+d≤14，Xaa1及Xaa3各自独立地，表示来自在侧链上具有硫醇基的氨基酸的氨基酸残基，并且介由二硫键而键合或硫醚基介由接头键合；或者，一者表示来自在侧链上具有硫醇基的氨基酸的氨基酸残基，另一者表示来自在侧链上具有卤代乙酰基的氨基酸的氨基酸残基，且介由硫醚键而键合，Xaa2为赖氨酸残基、精氨酸残基、半胱氨酸残基、天冬氨酸残基、谷氨酸残基、2
‑
氨基辛二酸、或二氨基丙酸。3.如权利要求1或2所述的放射性金属标记抗体的制造方法，其还包括使配体与放射性金属反应而形成所述放射性金属络合物的工序。4.如权利要求3所述的放射性金属标记抗体的制造方法，其中，对所述配体和所述放射性金属进行加热而使其反应。5.如权利要求3或4所述的放射性金属标记抗体的制造方法，其中，所述配体具有：与所述放射性金属配位的螯合部；和，所述第一原子团所结合的修饰部。6.如权利要求5所述的放射性金属标记抗体的制造方法，其中，所述螯合部由下述式(A)至(K)中的任一者表示，[化学式1]
[化学式2]
式(A)中，R
11
、R
13
及R
14
各自独立地为包含
‑
(CH2)
p
COOH、
‑
(CH2)
p
C5H5N、
‑
(CH2)
p
PO3H2、
‑
(CH2)
p
CONH2或
‑
(CHCOOH)(CH2)
p
COOH的基团；R
12
或R
15
中的一者为氢原子、羧基、或者碳原子数2或3的羧基烷基，另一者为与所述修饰部键合的基团，p为0以上3以下的整数，式(B)中，R
21
、R
22
、R
23
及R
24
各自独立地为羧基或者碳原子数2或3的羧基烷基，但R
21
、R
22
、R
23
或R
24
中的任一基团为与所述修饰部键合的基团，式(C)中，R
31
、R
32
、R
33
及R
34
各自独立地为包含下述原子团的基团，所述原子团具有氢原子和2个以上10个以下的碳原子、且可含有氮原子或氧原子，R
35
为与所述修饰部键合的基团，式(D)中，R
41
或R
42
中的一者为包含下述原子团的基团，所述原子团具有氢原子和5个以上20个以下的碳原子、且包含选自氮原子、氧原子及硫原子中的一种以上，另一者为与所述修饰部键合的基团，式(E)中，R
51
、R
52
、R
53
、R
54
及R
55
各自独立地为羧基、或者碳原子数2或3的羧基烷基，其中，
R
51
、R
52
、R
53
、R
54
或R
55
中的任一基团为与所述修饰部键合的基团，式(F)中，R
61
、R
62
、R
63
、R
64
、R
65
及R
66
各自独立地为羧基、或者碳原子数2或3的羧基烷基，R
67
为与所述修饰部键合的基团，式(G)中，R
71
及R
72
为
‑
O(CH2CH2O)
n
CH3(其中，n为1以上5以下的整数)，R
73
、R
75
、R
76
及R
78
各自独立地为碳原子数1以上5以下的烷基，R
74
或R
77
中的任一者为碳原子数1以上5以下的羟基烷基，另一者为与所述修饰部键合的基团，式(H)中，R
81
及R
82
各自独立地为碳原子数1以上5以下的烷基，该烷基的末端可被经1个以上的羧基取代的吡啶基取代，R
87
为
‑
CHOH或
‑
C＝O，但R
81
、R
82
或R
87
中的任一基团为与所述修饰部键合的基团，R
83
及R<...

【专利技术属性】
技术研发人员：井泽彰宏，小川祐，市川浩章，河谷稔，竹森英晃，奥村侑纪，
申请(专利权)人：日本医事物理股份有限公司，
类型：发明
国别省市：