开关电容电路制造技术

本发明专利技术涉及开关电容电路，其包括基于金属氧化物半导体场效应晶体管的开关，所述开关包括：第一金属氧化物半导体场效应晶体管(1)，其具有栅极、源极和漏极，其中所述源极连接到第一节点(T1)且所述漏极连接到第二节点(T2)，或者所述漏极连接到第一节点(T1)且所述源极连接第二节点(T2)；第二金属氧化物半导体场效应晶体管(2)，其具有栅极、源极和漏极，其中所述源极连接到所述漏极，并且源极和漏极一起连接到第二节点(T2)；第一电容器(C1)，其连接在第一节点(T1)和第三节点(T3)之间；以及第二电容器(C2)，其连接在第二节点(T2)和第三节点(T3)之间。之间。之间。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】开关电容电路


[0001]本专利技术涉及一种包括金属氧化物半导体场效应晶体管的开关电容电路。

技术介绍

[0002]开关电容电路广泛用于各种模拟和混合信号电路，例如采样保持电路和模数转换器。开关电容电路的精确度通常受到开关导致的电荷注入和时钟馈通的限制，该开关由金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET或MOS)制成。电荷注入发生在开关MOS关断时，开关MOS中剩余的沟道电荷会注入到其源极端子和漏极端子。时钟馈通是由开关MOS的栅极
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源极/栅极
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漏极电容引起的，其是连接到开关MOS的栅极的数字信号与开关MOS的源极或漏极处的模拟信号之间的不希望的电容耦合。电荷注入和时钟馈通都会在开关MOS的源极端子或漏极端子的模拟信号中引起误差。
[0003]有几种已知技术可以尝试解决电荷注入和时钟馈通的影响。下面参考图1至图4描述这些现有技术的解决方案。
[0004]图1A中所示的电路(未完全示出在图中)使用一对互补MOSFET，其由并联在两个端子或节点T1和T2之间的一个N型MOS(或NMOS)和一个本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.开关电容电路，其包括基于金属氧化物半导体场效应晶体管的开关，所述开关包括：第一金属氧化物半导体场效应晶体管(1)，其具有栅极、源极和漏极，其中所述源极连接到第一节点(T1)且所述漏极连接到第二节点(T2)，或者所述漏极连接到第一节点(T1)且所述源极连接第二节点(T2)；第二金属氧化物半导体场效应晶体管(2)，其具有栅极、源极和漏极，其中所述源极连接到所述漏极，并且源极和漏极一起连接到第二节点(T2)；第一电容器(C1)，其连接在第一节点(T1)和第三节点(T3)之间；以及第二电容器(C2)，其连接在第二节点(T2)和第三节点(T3)之间。2.根据权利要求1所述的开关电容电路，其特征在于，所述第一金属氧化物半导体场效应晶体管(1)的栅极接收第一栅极信号，所述第二金属氧化物半导体场效应晶体管(2)的栅极接收第二栅极信号，其中形成第一栅极信号和第二栅极信号，使得第二金属氧化物半导体场效应晶体管(2)在第一金属氧化物半导体场效应晶体管(1)关断后导通。3.根据权利要求1或2所述的开关电容电路，其特征在于，所述第一金属氧化物半导体场效应晶体管(1)的栅极接收第一栅极信号，所述第二金属氧化物半导体场效应晶体管(2)的栅极接收第二栅极信号，第二栅极信号是反相的第一栅极信号。4.根据权利要求2或3所述的开关电容电路，其特征在于，第一栅极信号的下降沿与第二栅极信号的上升沿之间和/或第一栅极信号的上升沿与第二栅极信号的下降沿之间存在延迟。5.根据前述权利要求中任一项所述的开关电容电路，其中，所述第一金属氧化物半导体场效应晶体管(1)和所述第二金属氧化物半导体场效应晶体管(2)属于同一类型。6.根据前述权利要求中任一项所述的开关电容电路，其中，第二金属氧化物半导体场效应晶体管(2)的沟道长度在第一金属氧化物半导体场效应晶体管(1)的沟道长度的90％到110％之间，或者第二金属氧化物半导体场效应晶体管(2)的沟道长度基本上等于第一金属氧化物半导体场效应晶体管(1)的沟道长度。7.根据前述权利要求中任一项所述的开关电容电路，其中，第二金属氧化物半导体场效应晶体管(2)的沟道宽度在第一金属氧化物半导体场效应晶体管(1)的沟道宽度的40％到60％之间，或者第二金属氧化物半导体场效应晶体管(2...

【专利技术属性】
技术研发人员：李成汉，
申请(专利权)人：英尼维顺股份有限公司，
类型：发明
国别省市：