一种负载软开启电路及方法技术

本发明专利技术公开了一种负载软开启电路及方法，负载软开启电路中，通过第一晶体管的第一极连接输入电压，第二极与负载电源电压和容性负载支路连接，第三极连接第二晶体管的第一极，第二晶体管的第二极接地，第三极连接控制支路的输出端，控制支路的输入端与输入电压和第一晶体管的第一极连接，储能支路的第一端与输入电压和第一晶体管的第一极连接，第二端与第一晶体管的第三极和第二晶体管的第一极连接；上电时，将控制支路断开，使第二晶体管截止，使得第一晶体管截止；上电后，闭合控制支路，使第二晶体管导通，利用储能支路到地的缓缓泄能，使第一晶体管缓慢导通。本发明专利技术电路设计简单，成本低，易于实现，非常适用于图像传感器的像素电源、数字电源的开启。数字电源的开启。数字电源的开启。

【技术实现步骤摘要】
一种负载软开启电路及方法


[0001]本专利技术涉及半导体集成电路设计
，尤其涉及一种适用于图像传感器的负载软开启电路及负载软开启方法。

技术介绍

[0002]目前，在半导体集成电路测试系统或者应用系统中，负载已不再是纯阻性负载，多表现为容性负载或感性负载。特别是为了抑制瞬态电流，多会在负载电源(例如Pixel电源)的管脚端加设大容量电容。这样，由于存在容性负载的原因，往往在负载开启的时候，会产生浪涌大电流，严重时容易造成启动失败或者电源芯片烧毁。
[0003]请参考图1，其显示一种传统的电源开启电路结构。如图1所示，代表容性负载L的电容C2连接负载电源电压VDDP(负载电源管脚端)。上电时，开关S1闭合，如果负载瞬态电流较大，例如图像传感器的Pixel电源(像素电源)、数字电源等，那么开启瞬间就会产生浪涌电流。
[0004]请参考图2，其显示一种现有的限制瞬态电流的电源开启电路结构。如图2所示，在图1结构基础上，在开关S1与负载电源电压VDDP之间设有一个热敏电阻RT。上电后，热敏电阻RT阻值较大，可以与电容C2所在的负本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种负载软开启电路，其特征在于，包括：一第一晶体管和一第二晶体管，所述第一晶体管的第一极连接输入电压，第二极与负载电源电压和一容性负载支路的第一端共同连接，第三极连接所述第二晶体管的第一极，所述第二晶体管的第二极接地，第三极连接一控制支路的输出端，所述控制支路的输入端与所述输入电压和所述第一晶体管的第一极共同连接，所述容性负载支路的第二端接地；一储能支路，其第一端与所述输入电压和所述第一晶体管的第一极共同连接，第二端与所述第一晶体管的第三极和所述第二晶体管的第一极共同连接；其中上电时，控制所述控制支路断开，使所述第二晶体管截止，使得所述第一晶体管因其第三极与第一极之间为等电位而截止；上电完成后，控制所述控制支路闭合，使所述第二晶体管导通，利用所述储能支路通过所述第二晶体管向地的泄能过程，使所述第一晶体管随其第三极与第一极之间的电位差的增大而导通。2.根据权利要求1所述的负载软开启电路，其特征在于，所述第一晶体管和所述第二晶体管包括MOS晶体管。3.根据权利要求2所述的负载软开启电路，其特征在于，所述MOS晶体管的第一极、第二极和第三极分别为源极、漏极和栅极。4.根据权利要求3所述的负载软开启电路，其特征在于，所述第一晶体管为PMOS晶体管，所述第二晶体管为NMOS晶体管。5.根据权利要求1所述的负载软开启电路，其特征在于，还包括：第一分压支路至第四分压支路，所述第一分压支路的第一端与所述储能支路的第二端和所述第一晶体管的第三极共同连接，所述第一分压支路的第二端与所述第二分压支路的第二端和所述第二晶体管的第一极共同连接，所述第二分压支路的第一端与所述输入电压、所述储能支路的第一端和所述第一晶体管的第一极共同连接，所述第三分压支路的第一端与所述控制支路的输出端和所述第二晶体管的第三极共同连接，所述第三分压支路的第二端...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚清志，温建新，叶红波，蒋亮亮，叶红磊，
申请(专利权)人：上海集成电路研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：