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本发明涉及开关电容电路，其包括基于金属氧化物半导体场效应晶体管的开关，所述开关包括：第一金属氧化物半导体场效应晶体管(1)，其具有栅极、源极和漏极，其中所述源极连接到第一节点(T1)且所述漏极连接到第二节点(T2)，或者所述漏极连接到第一节...
该专利属于英尼维顺股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过英尼维顺股份有限公司授权不得商用。

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