显示器件及其制备方法技术

本发明专利技术公开了显示器件及其制备方法，属于半导体器件技术领域，本发明专利技术的显示器件的制备方法，提供波长转换层，波长转换层包括分别提供的第一波长转换层和第二波长转换层；第二波长转换层的厚度大于第一波长转换层的厚度；第一波长转换层先通过基板转移至像素点上，第二波长转换层再通过基板转移至其他的像素点上；本发明专利技术通过分别提供波长转换层和按厚度顺序转移波长转换层，实现按序转移波长转换层的显示器件的制备。本发明专利技术的显示器件，包括至少两种不同厚度的波长转换层，使得波长转换层和像素点之间没有间隙，结合更加紧密。结合更加紧密。结合更加紧密。

【技术实现步骤摘要】
显示器件及其制备方法


[0001]本专利技术属于半导体器件
，具体涉及显示器件及其制备方法。

技术介绍

[0002]微显示(Micro
‑
LED，微型发光二极管)通过LED微缩化和矩阵化实现，与传统LED显示屏比较，Micro
‑
LED在晶粒、封装、集成工艺、背板、驱动等工艺均不相同。
[0003]Micro
‑
LED又称微型发光二极管，是指高密度集成的LED阵列，阵列中的LED像素点距离在0.1
‑
100微米量级，每一个LED像素都能自发光。由于同等面积的芯片上可以获得更高的集成数量，极大地提高了Micro
‑
LED微显示的集成密度，从而提升显示分辨率，同时保证高亮度，可以实现低能耗或高亮度的显示器设计。
[0004]全彩微显示有着广泛重要的应用价值，尤其是近眼显示，包括AR，VR等，然而实现全彩微显示的技术仍有着较大的提升空间。在显示基板上集成量子点色彩转换图层从而实现全彩的技术近来得到了广泛关注，并取得了颇多进展。该色彩转换图层本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.显示器件的制备方法，其特征在于，包括：提供波长转换层，所述波长转换层包括分别提供的第一波长转换层(110)和第二波长转换层(113)；所述第二波长转换层(113)的厚度大于所述第一波长转换层(110)的厚度；所述第一波长转换层(110)先通过基板(100)转移至像素点(104)上，所述第二波长转换层(113)再通过所述基板(100)转移至其他的所述像素点(104)上。2.根据权利要求1所述的显示器件的制备方法，其特征在于，所述像素点(104)选自有机发光二极管、LCD和微型发光二极管中任意一种；所述像素点(104)呈阵列排布。3.根据权利要求1所述的显示器件的制备方法，其特征在于，所述第一波长转换层(110)先通过基板(100)转移至像素点(104)上，所述第二波长转换层(113)再通过所述基板(100)转移至其他的所述像素点(104)上，包括：在所述基板(100)上形成所述第一波长转换层(110)；转移所述第一波长转换层(110)时，压合所述第一波长转换层(110)至所述像素点(104)上；移除所述基板(100)；在所述基板(100)上形成所述第二波长转换层(113)；转移所述第二波长转换层(113)时，压合所述第二波长转换层(113)至其他的所述像素点(104)上；移除所述基板(100)；所述第一波长转换层(110)和所述第二波长转换层(113)之间形成高度差(116)。4.根据权利要求3所述的显示器件的制备方法，其特征在于，在所述基板(100)上形成所述第一波长转换层(110)，包括：先在所述基板(100)上形成第一滤光层(111)，再在所述第一滤光层(111)上形成第一波长转换层(110)；在所述基板(100)上形成所述第二波长转换层(113)，包括：先在所述基板(100)上形成第二滤光层(114)，再在所述第二滤光层(114)上形成所述第二波长转换层(113)。5.根据权利要求3所述的显示器件的制备方法，其特征在于，移除所述基板(100)后，在所述第一波长转换层(110)上覆盖第一滤光层(111)，在所述第二波长转换层(113)上覆盖第二滤光层(114)。6.根据权利要求1所述的显示器件的制备方法，其特征在于，包括：所述波长转换层还包括第三波长转换层(117)；所述第三波长转换层(117)的厚度大于所述第二波长转换层(113)的厚度；所述第二波长转换层(113)转移至其他的所述像素点(104)后，所述第三波长转换层(117)通过所述基板(100)转移至另外的所述像素点(104)上，再移除所述基板(100)。7.根据权利要求6所述的显示器件的制备方法，其特征在于，所述第三波长转换层(117)通过所述基板(100)转移至另外的所述像素点(104)上，包括：在所述基板(100)上形成所述第三波长转换层(117)；转移所述第三波长转换层(117)时，压合所述第三波长转换层(117)至另外的所述像素点(104)上，移除所述基板(100)；所述第一波长转换层(110)、第二波长转换层(113)和所述第三波长转换层(117)中任意二者之间形成高度差(116)。8.根据权利要求7所述的显示器件的制备方法，其特征在于，在所述基板(100)上形成所述第三波长转换层(117)，包括，先在所述基板(100)上形成第三滤光层(118)，再在所述第三滤光层(118)上形成所述第三波长转换层(117)。9.根据权利要求7所述的显示器件的制备方法，其特征在于，移除所述基板(100)后，在所述第三波长转换层(117)上形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：仉旭，庄永漳，
申请(专利权)人：镭昱光电科技苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：