一种LED芯片及其制造方法技术

公开了一种LED芯片及其制造方法，所述LED芯片包括：衬底；外延层，位于所述衬底的第一表面，所述外延层包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；第一电极，与所述第一半导体层电连接；第二电极，与所述第二半导体层电连接；以及预切割道，位于所述外延层的侧壁内侧，以阻隔切割对所述外延层产生的亚表面损伤。本发明专利技术提供的LED芯片及其制造方法中，外延层与切割道通过预切割道隔离，以阻隔在切割道中形成切口的过程中带来的亚表面损伤扩散至外延层内部，特别有利于降低LED芯片的漏电和提高光电可靠性；同时，外延层由于没有亚表面损伤，增强了LED芯片的强度，减少崩边崩角等外观缺陷，提高了LED芯片的良率和产出。高了LED芯片的良率和产出。高了LED芯片的良率和产出。

【技术实现步骤摘要】
一种LED芯片及其制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种LED芯片及其制造方 法。

技术介绍

[0002]近年来，微型发光二极管(Micro LED和Mini LED)在汽车，可穿 戴设备，军事应用，生物传感器，光学生物芯片，微型集成全色系列显 示器(集成红、绿、蓝色三种颜色波段)等领域极具潜在应用价值。
[0003]目前，微发光二极管的切割方式主要有砂轮切割、激光切割以及隐 形切割，但是上述三种切割方法都存在不同的缺点：(1)砂轮切割是采 用高速旋转的砂轮片对半导体材料进行机械加工，对半导体材料进行机 械加工的过程中，会引发晶片表面附近原子有序排列位置的扰乱，即晶 格常数发生了微小改变。此改变在晶片表面最大，随着深入到晶片内部 而逐渐减小，在晶片的一定深度上此改变消失。从晶片表面到此深度的 晶体薄层称为亚表面损伤层(SSD，subsurface damage)。亚表面损伤层 (SSD，subsurface damage)具体表现为塑性变形、脆性裂纹、各向异性 位错等。亚表面损伤不但会导致晶粒崩边崩角(chip本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种LED芯片，其特征在于，包括：衬底；外延层，位于所述衬底的第一表面，所述外延层包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；第一电极，与所述第一半导体层电连接；第二电极，与所述第二半导体层电连接；以及预切割道，位于所述外延层的侧壁内侧，以阻隔切割对所述外延层产生的亚表面损伤。2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述预切割道为从所述外延层表面向所述衬底方向延伸的环形凹槽。3.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述预切割道至少贯穿所述外延层。4.根据权利要求3所述的LED芯片，其特征在于，所述预切割道从所述外延层表面向所述衬底方向延伸，底部延伸至所述衬底中。5.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述预切割道的深度为15μm～20μm。6.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述预切割道临近所述LED芯片的外侧壁的侧壁与所述LED芯片的外侧壁之间的距离大于等于零。7.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述预切割道的中心与所述LED芯片的外侧壁的距离为1μm～3μm。8.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述预切割道沿所述LED芯片厚度方向的截面形状为矩形或梯形。9.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述预切割道的顶部的宽度为2μm～3μm，底部的宽度为0～1μm。10.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述第一电极位于所述衬底的第二表面，所述第二电极位于所述外延层上。11.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，还包括钝化层，位于所述外延层上，所述第一电极和所述第二电极位于所述钝化层上，所述第一电极和所述第二电极分隔设置。12.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述LED芯片为Micro LED芯片或Mini LED芯片。13.一种LED芯片的制造方法，其特征在于，包括：在衬底的第一表面形成外延层，所述外延层包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；形成与所述第一半导体层电连接的第一电极；形成与所述第二半导体层电连接的第二电极；在外延层中形成预切割道；以及在切割道中切割以分离所述LED芯片；其中，所述预切割道位于所述外延层的侧壁内侧，以阻隔切割对所述外延层产生的亚表面损伤。14.根据权利要求13所述的LED芯片的制造方法，其特征在于，在外延...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁兴华，洪灿皇，张乾，谷天赐，范伟宏，
申请(专利权)人：厦门士兰明镓化合物半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：