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公开了一种LED芯片及其制造方法，所述LED芯片包括：衬底；外延层，位于所述衬底的第一表面，所述外延层包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；第一电极，与所述第一半导体层电连接；第二电极，与所述第二半导体层电连接；以及预切割道，位于所述外延...
该专利属于厦门士兰明镓化合物半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门士兰明镓化合物半导体有限公司授权不得商用。

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