一种含有界面缺陷的金属氧化物/镁硼氢氨化物高导电率固体电解质复合材料及其制备方法技术

本发明专利技术涉及电解质材料领域，具体公开了一种含有界面缺陷的金属氧化物/镁硼氢氨化物高导电率固体电解质复合材料及其制备方法。复合材料的结构式为Mg(BH4)2·

【技术实现步骤摘要】
一种含有界面缺陷的金属氧化物/镁硼氢氨化物高导电率固体电解质复合材料及其制备方法


[0001]本专利技术涉及电解质材料领域，具体涉及一种含有界面缺陷的金属氧化物/镁硼氢氨化物高导电率固体电解质复合材料及其制备方法。

技术介绍

[0002]固体电解质材质因为能够解决目前有机液体电解质存在的有如易燃性、毒性、挥发性等严重安全问题而受到广泛的关注。对于有机固体电解质，最具代表性的材料就是聚氧乙烯，而主要的无机固体电解质则包括NASICON型、钙钛矿型、石榴石型以及硫化物型等这几类典型材料。
[0003]近年来，配位氢化物作为一类新的电解质材料引起了广泛关注，这类化合物由阳离子和配位阴离子组成，如公开号为CN110071325A的专利公开的多相复合金属
‑
硼
‑
氢化合物固态电解质材料，其导电率在35℃下为10
‑4S
·
cm
‑1。再如公开号为CN104428940A的专利公开了作为镁离子传递介质的硼氢化镁及其衍生物，其包括具有式MgB
a
>H
b...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种含有界面缺陷的金属氧化物/镁硼氢氨化物高导电率固体电解质复合材料，其特征在于：复合材料的结构式为Mg(BH4)2·
nNH3‑
M
x
O
y
，所述n为1、1.5或2，所述M为Y、Ti、Mn、Zr、Al和Re中的至少一种或Y、Zr、Re和Al中的至少两种；所述M
x
O
y
的质量比为15％～70％。2.根据权利要求1所述的一种含有界面缺陷的金属氧化物/镁硼氢氨化物高导电率固体电解质复合材料，其特征在于：Re为La、Ce和Pr中的至少一种。3.根据权利要求1所述的一种含有界面缺陷的金属氧化物/镁硼氢氨化物高导电率固体电解质复合材料及其制备方法，其特征在于：复合材料的原材料包括M
x
O
y
粉末，所述M
x
O
y
粉末的粒径为纳米级。4.根据权利要求1所述的一种含有界面缺陷的金属氧化物/镁硼氢氨化物高导电率固体电解质复合材料及其制备方法，其特征在于：复合材料中M
x
O
y
的质量比为45％。5.一种含有界面缺陷的金属氧化物/镁硼氢氨化物高导电率固体电解质复合材料的制备方法，其特征在于：用于制备上述权利要求1～4中任意一种复合材料，制备步骤包括：步骤1，准备Mg(BH4)2·
nNH3和M
x

【专利技术属性】
技术研发人员：严义刚，王倩，陈云贵，
申请(专利权)人：四川大学，
类型：发明
国别省市：