一种用于LED晶圆制程的装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供了一种用于LED晶圆制程的装置，包括载盘和压环，载盘侧面为倾斜面，载盘侧面与晶圆放置面形成载盘倾斜角，压环用于固定载盘，压环定位角用于定位载盘倾斜角，压片部用于压住载盘边缘。本实用新型专利技术设置压环定位角与载盘倾斜角的形状、角度相匹配，在适当增大载盘尺寸的同时，既避免载盘过大导致压环无法压住载盘的问题，使机台能正常工作，又能避免制程时传入到腔室内，载盘与压环产生摩擦过程中，载盘易偏离压环的固定，可有效保证载盘的寿命和晶圆加工良率，实现稳定规模化量产。实现稳定规模化量产。实现稳定规模化量产。

【技术实现步骤摘要】
一种用于LED晶圆制程的装置


[0001]本技术属于半导体
，更为具体地说，涉及一种用于LED晶圆制程的装置。

技术介绍

[0002]III
‑
V族氮化物，由于其直接带隙半导体的特性，具有禁带宽度大、击穿电场高、电子饱和迁移率高等优异的物理特性，在电学、光学领域受到广泛的关注。其中，以GaN基为主要材料的发光二极管，更是在照明、显示、数码方面有着长足的发展。研究表明，在蓝宝石衬底上采用PVD(Physical Vapor Deposition，物理气相沉积)蒸镀一层AlN缓冲层，随后再外延GaN材料可显著提升GaN基LED晶体质量，进而显著提升LED器件的性能。这种图形化蓝宝石衬底结合蒸镀AlN缓冲层的加工工艺技术已成为LED芯片厂的主流工艺方法。
[0003]随着LED芯片市场竞争压力越来越大，各厂家通过提升产能规模化降成本，在图形化蓝宝石衬底上蒸镀AlN缓冲层为LED晶圆生产重要基底材料，其中AlN缓冲层的加工产能制约着LED晶圆产能的提升。PVD载盘作为AlN缓冲层的加工载具，其可承载的衬底片数直接决定着P本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于LED晶圆制程的装置，其特征在于，包括：载盘(1)，所述载盘(1)上设有晶圆放置面，载盘侧面(2)为倾斜面，所述载盘侧面(2)与所述晶圆放置面形成载盘倾斜角(θ1)；压环(3)，所述压环(3)包括压片部(31)和压环定位角(θ2)；LED晶圆制程时，晶圆(Y)放置于所述晶圆放置面，所述压环(3)用于固定所述载盘(1)，所述压环定位角(θ2)用于定位所述载盘倾斜角(θ1)，所述压片部(31)用于压住载盘边缘(4)，其中，所述压环定位角(θ2)与所述载盘倾斜角(θ1)的形状、角度相匹配。2.根据权利要求1所述的一种用于LED晶圆制程的装置，其特征在于：所述晶圆放置面上设有相互紧挨的晶圆放置槽(9)；所述晶圆放置槽(9)包括中心晶圆放置槽(91)和若干外围晶圆放置槽(92)；所述中心晶圆放置槽(91)设于所述晶圆放置面的中心位置，各所述外围晶圆放置槽(92)以所述中心晶圆放置槽(91)为中心环绕设置。3.根据权利要求2所述的一种用于LED晶圆制程的装置，其特征在于：所述中心晶圆放置槽(91)和所述外围晶圆放置槽(92)之间的凸起部为Y区(10)，所述外围晶圆放置槽(92)与所述载盘侧面(2)之间的凸起部为Z区(11)；中心晶圆放置槽底面水平高度为H1，Y区水平高度为H2，Z区水平高度为H3，晶圆高度为H4，则H1＜H2≤H1...

【专利技术属性】
技术研发人员：林志园，洪金居，梁基麟，陈龙，陈乐，崔恒平，蔡玉梅，蔡海防，
申请(专利权)人：厦门乾照光电股份有限公司，
类型：新型
国别省市：