半导体工艺加工设备制造技术

本申请涉及一种半导体工艺加工设备，包括：传送腔，具有第一闸板阀，第一闸板阀关闭时将传送腔的内部与外部相隔离，传送腔内部设有机械手；至少两个工艺腔，至少两个工艺腔包括第一工艺腔及第二工艺腔；第一工艺腔与第二工艺腔实现不同的工艺，第一工艺腔朝向传送腔一侧具有第二闸板阀，第二闸板阀关闭时将第一工艺腔的内部与外部相隔离，第二工艺腔朝向传送腔一侧具有第三闸板阀，第三闸板阀关闭时将第二工艺腔的内部与外部相隔离，传送腔、第一工艺腔以及第二工艺腔均连接抽真空系统；驱动装置，连接传送腔，且驱动传送腔运动。本申请可以有效提高半导体器件性能。有效提高半导体器件性能。有效提高半导体器件性能。

【技术实现步骤摘要】
半导体工艺加工设备


[0001]本申请涉及集成电路
，特别是涉及一种半导体工艺加工设备。

技术介绍

[0002]在半导体工艺加工过程中，通常需要多个设备进行分别进行各个工艺加工步骤。
[0003]然而，采用目前的半导体工艺加工设备时，在相关加工设备之间传递基片的过程中，常会出现加工中的基片在运输过程中或在与空气接触过程中吸收C、O和其他施主杂质等，从而降低基片上的界面态的质量，从而导致加工形成的半导体器件性能不理想的状况。

技术实现思路

[0004]基于此，本申请实施例提出了一种能够提高半导体器件性能的半导体工艺加工设备。
[0005]一种半导体工艺加工设备，包括：
[0006]传送腔，具有第一闸板阀，所述第一闸板阀关闭时将所述传送腔的内部与外部相隔离，所述传送腔内部设有机械手；
[0007]至少两个工艺腔，所述至少两个工艺腔包括第一工艺腔及第二工艺腔；所述第一工艺腔与所述第二工艺腔实现不同的工艺，第一工艺腔朝向所述传送腔一侧具有第二闸板阀，所述第二闸板阀关闭时将所述第一工艺腔的内部与外部相隔离，所述第二工艺腔朝向所述传送腔一侧具有第三闸板阀，所述第三闸板阀关闭时将所述第二工艺腔的内部与外部相隔离，所述传送腔、所述第一工艺腔以及所述第二工艺腔均连接抽真空系统；
[0008]驱动装置，连接所述传送腔，且驱动所述传送腔运动。
[0009]在其中一个实施例中，所述半导体工艺加工设备还包括外围腔，所述第一工艺腔、所述第二工艺腔以及所述传送腔均位于所述外围腔内，所述外围腔也连接所述抽真空系统。
[0010]在其中一个实施例中，
[0011]所述驱动装置驱动传送腔沿所述至少两个工艺腔排列方向转动或平移，或者，所述驱动装置驱动传送腔沿所述至少两个工艺腔排列方向转动或平移，且驱动所述传送腔向其设有所述第一闸板阀的方向移动；
[0012]和/或，所述驱动装置驱动所述机械手运动。
[0013]在其中一个实施例中，所述第二工艺腔包括沉积腔；所述半导体工艺加工设备还包括：
[0014]缓冲腔，位于所述第一工艺腔与所述第二工艺腔之间，用于存放基片，朝向所述传送腔一侧具有第四闸板阀，所述第四闸板阀关闭时将所述缓冲腔内部与外部相隔离，所述缓冲腔也连接所述抽真空系统。
[0015]在其中一个实施例中，所述缓冲腔内设有预加热装置、温度检测热装置以及光学检测装置，所述预加热装置用于对所述基片进行预加热，所述温度检测热装置用于检测所
述基片的温度，所述光学检测装置的光束聚焦在基片上以检测所述基片的物理参数信息。
[0016]在其中一个实施例中，所述第一工艺腔包括激光剥离工艺腔和/或刻蚀腔，所述第二工艺腔包括沉积腔，所述激光剥离工艺腔和/或所述刻蚀腔设置在所述沉积腔之前。
[0017]在其中一个实施例中，所述第一工艺腔与所述第二工艺腔环绕所述传送腔设置，且与所述传送腔的距离相等。
[0018]在其中一个实施例中，所述第二工艺腔包括沉积腔，所述半导体工艺加工设备还包括：
[0019]测试腔，朝向所述传送腔一侧具有第五闸板阀，所述第五闸板阀关闭时将所述测试腔的内部与外部相隔离，所述测试腔用于对所述沉积腔沉积形成的产品进行测试。
[0020]在其中一个实施例中，所述第二工艺腔包括多个沉积腔，所述多个沉积腔分别用于沉积不同
Ⅲ‑Ⅴ
族化合物外延片。
[0021]在其中一个实施例中，所述第二工艺腔包括多个沉积腔，所述多个沉积腔至少包括金属有机化学气相沉积腔、分子束外延沉积腔和原子层沉积腔；多个所述沉积腔与所述传送腔的距离相同。
[0022]上述半导体工艺加工设备中，第一工艺腔以及第二工艺腔均连接抽真空系统，从而保证各个工艺腔内均可以处于真空状态下，从而可以防止外延片在各个剥离工艺过程中收到污染。同时，还设置了传送腔。传送腔100也连接抽真空系统，从而可以防止外延片在传送过程中收到污染。因此，本本申请实施例在剥离过程中可以有效减少空气中的C、O和其他施主杂质等外界污染。
[0023]并且，本实施例的传送腔具有传送闸板阀。传送闸板阀关闭时将传送腔100的内部与外部相隔离，即使得传送腔独立于其他腔室。此时，可以使得传送腔不受其他腔室影响。例如传送腔的的尺寸不受其他腔室影响，从而将其灵活设置，进而适应相对需求。具体地可以将传送腔设置成相对较小的腔室，从而便于对其进行抽空度至真空度较高的状态，以在外延片传送过程中，对其进行更加良好的保护，防止其被污染。同时，传送腔与其他各个腔室均相互独立，也降低了传送腔设计、制作以及使用后的维护工作的难度。
[0024]并且，本实施例的传送腔在控制装置的控制下可以运动，从而可以通过转动传送腔而将同一传送闸板阀对准不同的工艺腔室，从而使得传送腔只需要设置一个传送闸板阀，进而简化传送腔的结构，降低传送腔的制作成本。
附图说明
[0025]为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0026]图1至图4为不同实施例中提供的半导体工艺加工设备的结构示意图；
[0027]图5为一实施例中提供的半导体工艺加工设备的光学检测装置示意图；
[0028]图6为另一实施例中提供的半导体工艺加工设备的结构示意图。
具体实施方式
[0029]为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的实施例。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使本申请的公开内容更加透彻全面。
[0030]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。
[0031]应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层、掺杂类型和/或部分，这些元件、部件、区、层、掺杂类型和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层、掺杂类型或部分与另一个元件、部件、区、层、掺杂类型或部分。因此，在不脱离本申请教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层、掺杂类型或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。
[0032]在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也可以包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应当理解的是，术语“包括/包含”或“具有”等指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的存在，但是不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的可能性。
[0033]正如
技术介绍
所言，目前本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体工艺加工设备，其特征在于，包括：传送腔，具有第一闸板阀，所述第一闸板阀关闭时将所述传送腔的内部与外部相隔离，所述传送腔内部设有机械手；至少两个工艺腔，所述至少两个工艺腔包括第一工艺腔及第二工艺腔；所述第一工艺腔与所述第二工艺腔实现不同的工艺，第一工艺腔朝向所述传送腔一侧具有第二闸板阀，所述第二闸板阀关闭时将所述第一工艺腔的内部与外部相隔离，所述第二工艺腔朝向所述传送腔一侧具有第三闸板阀，所述第三闸板阀关闭时将所述第二工艺腔的内部与外部相隔离，所述传送腔、所述第一工艺腔以及所述第二工艺腔均连接抽真空系统；驱动装置，连接所述传送腔，且驱动所述传送腔运动。2.根据权利要求1所述的半导体工艺加工设备，其特征在于，所述半导体工艺加工设备还包括外围腔，所述第一工艺腔、所述第二工艺腔以及所述传送腔均位于所述外围腔内，所述外围腔也连接所述抽真空系统。3.根据权利要求1或2所述的半导体工艺加工设备，其特征在于，所述驱动装置驱动传送腔沿所述至少两个工艺腔排列方向转动或平移，或者，所述驱动装置驱动传送腔沿所述至少两个工艺腔排列方向转动或平移，且驱动所述传送腔向其设有所述第一闸板阀的方向移动。4.根据权利要求1所述的半导体工艺加工设备，其特征在于，所述第二工艺腔包括沉积腔；所述半导体工艺加工设备还包括：缓冲腔，位于所述第一工艺腔与所述第二工艺腔之间，用于存放基片，朝向所述传送腔一侧具有第四闸板阀，所述第四闸板阀关闭时将所述缓冲腔内部与外部相...

【专利技术属性】
技术研发人员：王国斌，刘宗亮，
申请(专利权)人：江苏第三代半导体研究院有限公司，
类型：新型
国别省市：