抗静电ITO保护电路、装置及系统制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种抗静电ITO保护电路、装置及系统，该抗静电ITO保护电路通过所述缓冲电路接收所述外部电源提供的第一电压信号，将所述第一电压信号进行缓冲获得缓冲电压信号，并将所述缓冲电压信号发送至所述释放电路；所述释放电路在所述缓冲电压信号的电压值超过第一参考电压的电压值时，将所述缓冲电压信号进行释放。本实用新型专利技术通过释放电路对将超过第一参考电压的电压值的缓冲电信号进行释放，有效的避免了电压值较高的静电对ITO造成危害。危害。危害。

【技术实现步骤摘要】
抗静电ITO保护电路、装置及系统


[0001]本技术涉及静电防护
，尤其涉及一种抗静电ITO保护电路、装置及系统。

技术介绍

[0002]静电是一种电能，它存在于物体表面，是正负电荷在局部失衡时产生的一种现象。静电现象是指电荷在产生与消失过程中所表现出的现象的总称，如摩擦起电就是一种静电现象。由于电子行业的迅速发展，体积小、集成度高的器件得到大规模生产，从而导致导线间距越来越小，绝缘膜越来越薄，致使耐击穿电压也越来越低。在液晶显示屏的生产、调试和使用等过程中所产生的静电电压却远远超过其击穿电压阈值，这就可能造成静电击穿ITO走线的情况，影响产品的可靠性。如何在液晶显示屏的生产、调试和使用等过程中减少静电对ITO的危害是亟需解决的问题。
[0003]上述内容仅用于辅助理解本技术的技术方案，并不代表承认上述内容是现有技术。

技术实现思路

[0004]本技术的主要目的在于提供一种抗静电ITO保护电路、装置及系统，旨在解决现有技术中难以避免静电对ITO造成严重危害的技术问题。
[0005]为实现上述目的，本技术提出一种本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种抗静电ITO保护电路，其特征在于，所述抗静电ITO保护电路包括：缓冲电路、释放电路；其中，所述缓冲电路分别与所述释放电路以及外部电源连接；所述缓冲电路包括：第一电阻和第一电容；其中，所述第一电阻的第一端与所述外部电源连接，所述第一电阻的第二端分别与所述第一电容的第二端、正静电释放电路、负静电释放电路以及供能电路连接，所述第一电容的第二端接地；所述释放电路包括：第二电阻、第二电容、第一MOS管、第三电阻、第三电容以及第二MOS管；其中，所述第二电容的第一端分别与所述第二电阻的第二端以及所述第一MOS管的栅极连接，所述第二电容的第二端分别与所述第一MOS管的漏极、所述第一电阻的第二端以及所述第一电容的第一端连接，所述第二电阻的第一端与所述第一MOS管的源极连接；所述第三电容的第一端分别与所述第二MOS管的源极、所述第一电阻的第二端以及所述第一电容的第一端，所述第三电容的第二端与所述第三电阻的第一端以及所述第二MOS管的栅极连接，所述第三电阻的第二端与所述第二MOS管的漏极连接；所述缓冲电路，用于接收所述外部电源提供的第一电压信号，将所述第一电压信号进行缓冲获得缓冲电压信号，并将所述缓冲电压信号发送至所述释放电路；所述释放电路，用于在所述缓冲电压信号的电压值超过第一参考电压的电压值时，将所述缓冲电压信号进行释放。2.如权利要求1所述抗静电ITO保护电路，其特征在于，所述抗静电ITO保护电路还包括：供能电路；其中，所述供能电路分别与所述缓冲电路、所述外部电源以及ITO连接；所述供能电路包括：第四电阻和第三MOS管；其中，所述第四电阻的第一端分别与所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：伍佩铭，许迪，孙胜延，董鹏程，高辉，
申请(专利权)人：乾宇电子材料深圳有限公司，
类型：新型
国别省市：