一种对称负载层优化的单晶薄膜体声波谐振器制造技术

本实用新型专利技术提供一种对称负载层优化的单晶薄膜体声波谐振器。该谐振器按照从下往上的顺序依次包括硅衬底、支撑层和单晶压电薄膜层，所述硅衬底、所述支撑层和所述单晶压电薄膜层之间形成有空腔；所述单晶压电薄膜层的上下两侧分别设有上电极层和下电极层，所述下电极层位于所述空腔内；所述单晶压电薄膜层上端和下端分别设置上负载层和下负载层，并且所述上负载层和所述下负载层关于所述单晶压电薄膜层呈上下对称分布。本实用新型专利技术通过采用对称型负载层设计可以有效降低FBAR谐振器在谐振峰位置的寄生波形，在单晶压电层的基础上进一步降低了FBAR谐振器的损耗，有利于构建低插损的优质体声波滤波器。的优质体声波滤波器。的优质体声波滤波器。

【技术实现步骤摘要】
一种对称负载层优化的单晶薄膜体声波谐振器


[0001]本技术涉及一种体声波谐振器，具体涉及一种对称负载层优化的单晶薄膜体声波谐振器。

技术介绍

[0002]5G高频滤波器是射频通信前端不可替代的核心元件，承担起主要的滤波、选频功能，是移动通信领域关键器件之一，也是业界普遍认可的最具有潜力的第三代半导体器件之一。随着N41、N77、N78等5G频段纳入商用，无线传输信号的载波频率更高，声表面波等滤波器的品质因数等性能参数受限于工作原理等将大幅度下降，体声波滤波器成为5G频段滤波器的唯一选择。5G通信的确立，推动了终端体声波滤波器市场的成倍增长。
[0003]目前主流的空腔型FBAR谐振器的主要谐振区域由电极
‑
压电层
‑
电极组成三明治结构，这种结构的空腔型FBAR谐振器在一定程度上提升了载波频率，但在体声波谐振器的谐振峰或反谐振峰附近会出现寄生现象，仍然会拉低整体器件的性能。

技术实现思路

[0004]针对现有技术存在的问题，本技术提供一种对称负载层优化的单晶薄膜体声波谐振器，解决了现有本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种对称负载层优化的单晶薄膜体声波谐振器，其特征在于：按照从下往上的顺序依次包括硅衬底、支撑层和单晶压电薄膜层，所述硅衬底、所述支撑层和所述单晶压电薄膜层之间形成有空腔；所述单晶压电薄膜层的上下两侧分别设有上电极层和下电极层，所述下电极层位于所述空腔内；所述单晶压电薄膜层上端和下端分别设置上负载层和下负载层，所述上负载层和所述下负载层分别沿所述上电极层和所述下电极层边沿包围设置，并且所述上负载层和所述下负载层关于所述单晶压电薄膜层呈上下对称分布。2.根据权利要求1所述的一种对称负载层优化的单晶薄膜体声波谐振器，其特征在于：所述支撑层厚度为2μm～3.5μm。3.根据权利要求1所述的一种对称负载层优化的单晶薄膜体声波谐振器，其特征在于：所述单晶压电薄膜层厚度为500nm～4μm。4.根据权利要求1所述的一种对称负载层优化的单晶薄膜体声波谐振器，其特征在于：所述上电极层和所述下电极层厚度为50nm～1μm。5.根据权利要求1所述的一种对称负载层...

【专利技术属性】
技术研发人员：李国强，
申请(专利权)人：河源市艾佛光通科技有限公司，
类型：新型
国别省市：