一种基于低压晶体管的双功率开关管驱动电路制造技术

本实用新型专利技术涉及开关电路技术领域，尤其涉及一种基于低压晶体管的双功率开关管驱动电路。包括三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3和三极管Q4；所述三极管Q1的基极与三极管Q2的基极电连接并分别与外设的PWM驱动信号输出端电连接；所述三极管Q1的集电极与三极管Q3的基极电连接，所述三极管Q3的发射极分别与三极管Q4的集电极和外设的变压器T1的副边绕组一端电连接，所述三极管Q2的集电极与三极管Q4的基极电连接，所述三极管Q2的发射极分别与三极管Q4的发射极和外设的变压器T1的副边绕组另一端电连接。本方案不仅具有可靠性高，而且由于无需使用专用驱动放大芯片，因此还具有成本低的优点，极大利于工业化应用。极大利于工业化应用。极大利于工业化应用。

【技术实现步骤摘要】
一种基于低压晶体管的双功率开关管驱动电路


[0001]本技术涉及开关电路
，尤其涉及一种基于低压晶体管的双功率开关管驱动电路。

技术介绍

[0002]随着电力电子技术的发展，高频开关电源在工业、农业、国防尤其是电动汽车、储能等领域得到了广泛的应用。
[0003]因许多应用场合对电源的体积和尺寸有严格的要求，因此高频化、轻量化是电源发展的必然趋势，高频驱动控制电路在电源产品中具有重要的作用。一些电源拓扑如双管正激变换器、全桥变换器等，在工作时需要对双功率开关管同步驱动，因此对驱动控制电路的要求更高。
[0004]如图1所示，目前高频开关电源双管功率开关管的驱动电路大都是由电源管理芯片或数字芯片DSP发出的PWM驱动信号，通过晶体管Q1和Q2形成的图腾柱进行控制。但是，从这些电源管理芯片或数字芯片DSP的输出口发出的PWM驱动信号，存在以下缺点：
[0005]1)从电源管理芯片或数字芯片DSP输出口发出的PWM驱动信号幅值往往只有3.3V，当PWM驱动信号为高电平时，因其幅值只有3.3V，而辅助电源VCC的幅值通常为+本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于低压晶体管的双功率开关管驱动电路，其特征在于，包括三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3和三极管Q4；所述三极管Q1的基极与三极管Q2的基极电连接并分别与外设的PWM驱动信号输出端电连接；所述三极管Q1的集电极与三极管Q3的基极电连接，所述三极管Q3的发射极分别与三极管Q4的集电极和外设的变压器T1的副边绕组一端电连接，所述三极管Q2的集电极与三极管Q4的基极电连接，所述三极管Q2的发射极分别与三极管Q4的发射极和外设的变压器T1的副边绕组另一端电连接。2.根据权利要求1所述的一种基于低压晶体管的双功率开关管驱动电路，其特征在于，所述三极管Q1、三极管Q2和三极管Q3均为NPN型低压晶体管，所述三极管Q4为PNP型低压晶体管。3.根据权利要求2所述的一种基于低压晶体管的双功率开关管驱动电路，其特征在于，所述三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3和三极管Q4的规格均为40V。4.根据权利要求1所述的一种基于低压晶体管的双功率开关管驱动电路，其特征在于，还包括电阻R4，所述三极管Q1的基极通过电阻R4与外设的PWM驱动信号输出端电连接，所述三极管Q1的发射极接地。5.根据权利要求1所述的一种基于低压晶体管的双功率开关管驱动电路，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢凯，王焕华，陈玢，郭清腾，
申请(专利权)人：厦门亚锝电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：