功率器件及其制备方法技术

本申请公开了一种功率器件及其制备方法，所述功率器件包括：基岛，包括承载面，所述承载面上设置有第一凹槽；第一分立器件，固定设置于所述承载面上，且所述第一分立器件在所述承载面上的正投影位于所述第一凹槽外部，所述第一分立器件背离所述承载面一侧包括第一电极；引线单元，包括第一引脚和第一支撑件；所述第一引脚位于所述第一分立器件背离所述承载面一侧，且所述第一引脚在所述第一分立器件上的正投影覆盖至少部分所述第一电极，所述第一引脚与对应位置处的所述第一电极通过焊料电连接；所述第一支撑件的一端插置于所述第一凹槽内，并与所述第一凹槽固定连接。通过上述方式，本申请能够提高封装效率且提高功率器件的稳定性。定性。定性。

【技术实现步骤摘要】
功率器件及其制备方法


[0001]本申请属于封装
，具体涉及一种功率器件及其制备方法。

技术介绍

[0002]分立器件的封装技术已经发展多年，低导通损耗、良好的散热性能、良好的电性能和高可靠性一直是其发展的方向。在封装体内部互连工艺技术方面，分立器件中的电极一般采用粗铝线键合工艺实现电连接。
[0003]但是，在粗铝线键合过程中，需要对焊点施加超声与压力，容易造成分立器件损伤；且键合工序作为整个封装流程中最耗时间的工序，其严重影响了产品的封装效率。

技术实现思路

[0004]本申请提供一种功率器件及其制备方法，以提高封装效率且提高功率器件的稳定性。
[0005]为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种功率器件，包括：基岛，包括承载面，所述承载面上设置有第一凹槽；第一分立器件，固定设置于所述承载面上，且所述第一分立器件在所述承载面上的正投影位于所述第一凹槽外部，所述第一分立器件背离所述承载面一侧包括第一电极；引线单元，包括第一引脚和第一支撑件；所述第一引脚位于所述第一分立器件背离所述承载面一侧本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种功率器件，其特征在于，包括：基岛，包括承载面，所述承载面上设置有第一凹槽；第一分立器件，固定设置于所述承载面上，且所述第一分立器件在所述承载面上的正投影位于所述第一凹槽外部，所述第一分立器件背离所述承载面一侧包括第一电极；引线单元，包括第一引脚和第一支撑件；所述第一引脚位于所述第一分立器件背离所述承载面一侧，且所述第一引脚在所述第一分立器件上的正投影覆盖至少部分所述第一电极，所述第一引脚与对应位置处的所述第一电极通过焊料电连接；所述第一支撑件的一端插置于所述第一凹槽内，并与所述第一凹槽固定连接。2.根据权利要求1所述的功率器件，其特征在于，所述基岛具有导电性，所述第一分立器件面向所述承载面一侧包括第二电极；其中，所述引线单元包括第二引脚，所述第二引脚形成所述第一支撑件，所述第二引脚通过所述基岛与所述第二电极电连接。3.根据权利要求1或2所述的功率器件，其特征在于，所述第一支撑件包括依次相互连接的第一端子部、第一连接部和第一支撑部；所述第一端子部位于所述第一分立器件背离所述承载面一侧，所述第一支撑部插置于所述第一凹槽内；所述第一引脚包括依次相互连接的第二端子部和第二连接部，所述第二连接部与所述第一电极电连接；其中，所述第一端子部和所述第二端子部位于同一水平面上。4.根据权利要求2所述的功率器件，其特征在于，所述第一分立器件背离所述承载面一侧还包括第三电极，所述引线单元还包括第三引脚，所述第三引脚通过导电线与所述第三电极电连接；其中，所述第一引脚、所述第二引脚和所述第三引脚并排设置，且所述第二引脚位于所述第一引脚和所述第三引脚之间。5.根据权利要求2所述的功率器件，其特征在于，所述功率器件还包括：第二分立器件，固定设置于所述承载面上，且所述第二分立器件在所述承载面上的正投影位于所述第一凹槽外部，所述第二分立器件背离所述承载面一侧包括第四电极，所述第二分立器件面向所述承载面一侧包括第五电极；其中，所述第一引脚在所述第二分立器件上的正投影覆盖至少部分所述第四电极，所述第一引脚与对应位置处的所述第四电极通过焊料电连接；所述第二引脚通过所述基岛与所述第五电极电连接。6.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈鹏飞，
申请(专利权)人：通富微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：