相变存储器器件制造技术

本公开涉及一种相变存储器器件(2)，该相变存储器器件在第一电极(23)和第二电极(21)之间包括：相变材料的第一层(25)；以及与第一层接触的第二氮化锗基层(27)，第二层中的氮百分比在20％和35％之间并且第二层具有第一层的相变材料穿过的通道。的相变材料穿过的通道。的相变材料穿过的通道。

【技术实现步骤摘要】
相变存储器器件


[0001]本专利技术总体上涉及非易失性存储器，并且更特别地，涉及相变存储器(phase change memories，PCM)及其结构。

技术介绍

[0002]相变存储器或PCM是利用相变材料的特性的非易失性存储器。相变材料具有通过被加热从低电阻状态切换到高电阻状态的能力。相变存储器利用相变材料的非晶相的电阻与晶相的电阻不同的事实来存储数据。
[0003]图1示出了相变存储器器件1的局部示意透视图。
[0004]更特别地，图1示出了相变存储器器件1，该相变存储器器件包括例如对应于高电极的第一电极13、相变材料层15和例如对应于低电极的第二电极11。
[0005]器件1可选地包括在第二电极11和相变材料层15之间的加热元件(加热器)14。
[0006]图1中示出的器件1的一个问题是，它需要相当大的电流才能被编程，如现在将更详细地描述的那样。
[0007]通过在借助于其两个电极11和13施加的特定电脉冲的作用下加热材料，相变材料具有从电阻状态切换到电阻较小的状态(即切换到低电阻状态)的能力本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种相变存储器器件(2；3；4；5)，所述相变存储器器件在第一电极(23)和第二电极(21)之间包括：相变材料的第一层(25)；以及与所述第一层接触的第二氮化锗基层(27)，其中所述第二层中的氮原子百分比在20％和35％之间，并且所述第二层具有所述第一层的相变材料穿过的通道。2.根据权利要求1所述的器件，其中所述第一层(25)包括基于流过所述第一层的电流密度来改变状态的圆顶形区(31)。3.根据权利要求2所述的器件，其中所述通道宽度基于所述第二层(27)中的氮百分比。4.根据权利要求1至3中任一项所述的器件，包括在所述第二层(27)和所述第二电极(21)之间的相变材料的第三层(35)。5.根据权利要求4所述的器件，其中所述第三层(35)包括锗、锑和碲。6.根据权利要求2或3所述的器件，其中：所述第二电极(21)与所述第二层(27)接触，使得所述通道在由通道尺寸确定的面积(A)上与所述第二电极接触；或者加热器(24)电极(21)与所述第二层(27)接触，使得所述通道在由所述通道尺寸确定的面积(A)上与所述加热器接触。7.根据权利要求1至6中任一项所述的器件，其中所述相...

【专利技术属性】
技术研发人员：加布里埃莱，
申请(专利权)人：原子能与替代能源委员会，
类型：发明
国别省市：