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本公开涉及一种相变存储器器件(2)，该相变存储器器件在第一电极(23)和第二电极(21)之间包括：相变材料的第一层(25)；以及与第一层接触的第二氮化锗基层(27)，第二层中的氮百分比在20％和35％之间并且第二层具有第一层的相变材料穿过的...
该专利属于原子能与替代能源委员会所有，仅供学习研究参考，未经过原子能与替代能源委员会授权不得商用。

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