相变存储器及其制作方法技术

本公开实施例公开了一种相变存储器及其制作方法，所述方法包括：在第一导电层上形成堆叠结构；其中，所述堆叠结构至少包括电极层和相变材料层；沿垂直于所述第一导电层的第一方向，形成贯穿所述堆叠结构和所述第一导电层的第一间隙；形成覆盖所述第一间隙的侧壁的第一绝缘层；形成覆盖所述第一绝缘层的第一连接层；以第一隔热介质填充包括所述第一绝缘层和所述第一连接层的第一间隙，形成第一隔热结构；其中，所述第一连接层用于增加所述第一绝缘层与所述第一隔热结构的黏附力。缘层与所述第一隔热结构的黏附力。缘层与所述第一隔热结构的黏附力。

【技术实现步骤摘要】
相变存储器及其制作方法


[0001]本公开实施例涉及半导体
，特别涉及一种相变存储器及其制作方法。

技术介绍

[0002]相变存储器是利用电脉冲信号作用于存储单元上，使存储单元中的相变材料在非晶态和晶态之间发生可逆变化进而实现信息的写入或擦除操作的存储器。进一步地，通过识别非晶态时与晶态时的电阻(例如，非晶态时的高电阻与晶态时的低电阻)，可以实现信息的读取操作。
[0003]相变存储器(Phase ChangeMemory，PCM)的存储单元包括电极层和相变材料层。存储单元位于相互垂直的字线与位线的交叉点上。通常，采用缩小存储单元、字线以及位线的尺寸来获得更高存储密度的相变存储器。与此同时，相邻相变存储单元之间的间隔距离的缩小，可能导致相变存储器的性能下降，良率和可靠性降低。所以，当相变存储器的尺寸做到更小时，如何提高相变存储器性能和可靠性成为亟待解决的问题。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本公开实施例提供一种相变存储器及其制作方法。
[0005]根据本公开实施例的第一方面，提供一种相变存储器的制作方本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种相变存储器的制作方法，其特征在于，包括：在第一导电层上形成堆叠结构；其中，所述堆叠结构至少包括电极层和相变材料层；沿垂直于所述第一导电层的第一方向，形成贯穿所述堆叠结构和所述第一导电层的第一间隙；形成覆盖所述第一间隙的侧壁的第一绝缘层；形成覆盖所述第一绝缘层的第一连接层；以第一隔热介质填充包括所述第一绝缘层和所述第一连接层的第一间隙，形成第一隔热结构；其中，所述第一连接层用于增加所述第一绝缘层与所述第一隔热结构的黏附力。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成覆盖所述第一绝缘层的第一连接层包括：在包括所述第一绝缘层的所述第一间隙的表面旋涂包含所述第一连接层的前驱体的涂布液；对所述涂布液进行热处理，去除所述涂布液中的溶剂，以形成所述第一连接层。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一连接层包括单分子自组装层。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一连接层的组成材料包括：氯硅烷、烷氧基硅烷、羟基硅烷或者氨基硅烷中的一种或者多种。5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述热处理温度包括：150℃至200℃。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成第一隔热结构包括：在包括所述第一连接层的所述第一间隙的表面旋涂包含所述第一隔热介质的涂布液；对所述涂布液进行固化处理，以形成所述第一隔热结构。7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：形成覆盖所述第一隔热结构和所述堆叠结构的第二导电层；形成贯穿所述第二导电层和所述堆叠结构的第二间隙；其中，所述第一间隙沿垂直于所述第一方向的第二方向延伸；所述第二间隙沿垂直于所述第一方向的第三方向延伸，所述第三方向垂直于所述第二方向；形成覆盖所述第二间隙的侧壁的第二绝缘层；形成覆盖所述第二绝缘层的第二连接层；以第二隔热介质填充包括所述第二绝缘层和所述第二连接层的第二间隙，形成第二隔热结构；其中，所述第二连接层用于增加所述第二绝缘层与所述第二隔热结构的黏附力。8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：在所述第二导电层表面形成第二个堆叠结构；沿所述第一方向，形成贯穿所述第二个堆叠结构的第二个第二间隙；形成覆盖所述第二个第二间隙的第二个第二绝缘层；形成覆盖所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐平，刘峻，
申请(专利权)人：长江先进存储产业创新中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：