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本公开实施例公开了一种相变存储器及其制作方法，所述方法包括：在第一导电层上形成堆叠结构；其中，所述堆叠结构至少包括电极层和相变材料层；沿垂直于所述第一导电层的第一方向，形成贯穿所述堆叠结构和所述第一导电层的第一间隙；形成覆盖所述第一间隙的侧...
该专利属于长江先进存储产业创新中心有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江先进存储产业创新中心有限责任公司授权不得商用。

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