一种双层薄膜结构的全光控忆阻器件及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种双层薄膜结构的全光控忆阻器件及其制备方法，所述全光控忆阻器件从下往上依次为SiO2衬底、惰性电极、ZnO薄膜层、MoO

【技术实现步骤摘要】
一种双层薄膜结构的全光控忆阻器件及其制备方法


[0001]本专利技术属于微电子材料与器件领域
，涉及一种双层薄膜结构的全光控忆阻器件及其制备方法。

技术介绍

[0002]冯
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诺依曼架构在现代智能技术的发展中起到至关重要的作用，它为计算机的运算架构提供了实用的理论指导，使计算机系统成为人类生活中不可或缺的一部分。然而，随着智能时代的到来，在数据爆炸的现代生活中，各种人工智能技术需要更快的运算速度，也需要更大的存储空间和更低的运算能耗。逐渐地，人们意识到，传统冯
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诺依曼架构中，由于负责信息存储的单元和负责数据处理的运算单元处于分离的状态，这两者的处理连接需要一个数据模数转换(ADC)装置来完成，独立功能单元之间的信息转换和传递需要额外的时间和能量消耗，限制了计算效率的提高，也使得现代计算机运算系统功耗巨大，这被称为冯
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诺依曼瓶颈。因此，开发具有避免数据转换和传输能力的新型传感器计算电子技术成为研究人员的重要目标。由于忆阻器具有着较高的密度、偏低的延迟性和数据处理时非易失等特性，这类电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双层薄膜结构的全光控忆阻器件，从下往上依次为SiO2衬底、惰性电极、ZnO薄膜层、MoO
x
薄膜层、透明电极，所述ZnO薄膜层和MoO
x
薄膜层共同组成了全光控忆阻器件的光电忆阻层；所述ZnO薄膜层的厚度为100
±
20nm。2.根据权利要求1所述的一种双层薄膜结构的全光控忆阻器件，其特征在于，所述MoO
x
薄膜层的厚度为100
±
30nm。3.根据权利要求1或2所述的一种双层薄膜结构的全光控忆阻器件，其特征在于，所述惰性电极为W或Pt，所述透明电极为ITO或FTO。4.权利要求1
‑
3任一所述一种双层薄膜结构的全光控忆阻器件的制备方法，其特征在于，包...

【专利技术属性】
技术研发人员：王中强，杜怡明，陶冶，徐海阳，刘益春，
申请(专利权)人：东北师范大学，
类型：发明
国别省市：