【技术实现步骤摘要】
用于处理基板的设备
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年11月23日提交韩国专利局的第10
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2020
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0157857号韩国专利申请的权益,该申请的全部内容通过引用合并于此。
[0003]本文中描述的本专利技术构思的实施方案涉及一种用于处理基板的设备,更具体地,涉及一种通过将液体分配到旋转的基板上来处理基板的设备。
技术介绍
[0004]执行各种工艺,例如清洁、沉积、光刻、蚀刻和离子注入等,以制造半导体器件。在这些工艺中,光刻工艺包括:通过将光敏液体(例如光刻胶)施用到基板的表面来形成膜的涂覆工艺;将电路图案转移到形成在基板上的膜的曝光工艺;以及从曝光的区域或未曝光的区域选择性地去除形成在基板上的膜的显影工艺。
[0005]图1是示出了用于将光刻胶施用到基板的基板处理设备1的示意图。参考图1,基板处理设备1包括:处理容器10,所述处理容器具有内部空间;支承单元20,所述支承单元用于在所述内部空间中支承所述基板W;以及喷嘴30,所述喷嘴 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于处理基板的设备,所述设备包括:处理容器,所述处理容器具有内部空间;支承单元,所述支承单元配置为在所述内部空间中支承和旋转所述基板;以及排放单元,所述排放单元配置为释放所述内部空间中的气流,其中,所述排放单元包括气流引导管道,所述气流在相对于支承在所述支承单元上的所述基板的旋转方向的切向方向上被引入到所述气流引导管道中。2.根据权利要求1所述的设备,其中,所述气流引导管道具有螺旋形状。3.根据权利要求2所述的设备,其中,所述气流引导管道在与所述基板的旋转轴线保持相同距离的情况下围绕并且沿所述基板的所述旋转轴线从所述气流引导管道的入口到所述气流引导管道的出口在高度上逐渐降低。4.根据权利要求2所述的设备,其中,所述支承单元包括:支承板,所述支承板配置为支承所述基板;旋转轴,所述旋转轴配置为旋转所述支承板;以及致动器,所述致动器耦合到所述旋转轴、并且配置为向所述旋转轴提供扭矩,其中,所述处理容器包括:外杯状物,所述外杯状物配置为提供所述内部空间;和内杯状物,所述内杯状物设置在所述内部空间中,以便与所述外杯状物间隔开,所述内杯状物配置为围绕所述旋转轴或所述致动器,并且其中,所述气流引导管道设置在所述外杯状物与所述内杯状物之间。5.根据权利要求4所述的设备,其中,所述外杯状物与所述内杯状物之间设置有螺旋形状的引导板,并且其中,所述气流引导管道由所述外杯状物、所述内杯状物和所述引导板限定。6.根据权利要求5所述的设备,其中,所述引导板在背离所述旋转轴的方向上向下倾斜,并且其中,在所述引导板的与所述外杯状物相邻的区域中形成有液体放泄孔。7.根据权利要求4所述的设备,其中,所述内杯状物在所述内部空间中限定排放空间,排放管耦合到所述排放空间,并且其中,从所述气流引导管道流出的所述气流被引入到所述排放空间中并从所述处理容器释放。8.根据权利要求7所述的设备,其中,所述外杯状物与所述内杯状物之间设置有从所述外杯状物的底壁向上延伸的气液分离器,并且其中,所述气流引导管道将所述气流释放到所述外杯状物与所述气液分离器之间的空间中。9.根据权利要求1所述的设备,其中,所述气流引导管道包括具有入口的引入部,并且其中,具有所述入口的所述气流引导管道的所述引入部设置为通过所述处理容器的外壁延伸到所述处理容器的外部。10.根据权利要求9所述的设备,其中,所述引入部设置成使得其长度方向平行于支承在所述支承单元上的所述基板的切向方向。11.根据权利要求9所述的设备,其中,所述支承单元具有可旋转的支承板,所述基板放
置在所述可旋转的支承板上,其中,在所述内部空间中所述支承板下方的区域中限定有排放空间,其中,所述排放单元还包括单独排放管,所述单独排放管配置为将引入到所述排放空间中的所述气流释放到所述内部空间的外部,并且其中,所述单独排放管和所述气流引导管道被连接到集...
【专利技术属性】
技术研发人员:严基象,崔晋镐,丁宣旭,崔炳斗,安熙满,金是殷,
申请(专利权)人:细美事有限公司,
类型:发明
国别省市:
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