显示装置及制造其的方法制造方法及图纸

公开了一种根据本发明专利技术的实施例的显示装置及制造其的方法。所述显示装置可以包括：基底，包括显示区域和位于显示区域的一侧上的垫区域；垫电极，在基底上设置在垫区域中；保护绝缘层，设置在基底和垫电极上以暴露垫电极的顶表面的至少一部分；无机封装层，设置在保护绝缘层上；以及导电层，在无机封装层的与垫电极相邻的端部与保护绝缘层之间设置在垫区域中。相邻的端部与保护绝缘层之间设置在垫区域中。相邻的端部与保护绝缘层之间设置在垫区域中。

【技术实现步骤摘要】
显示装置及制造其的方法


[0001]本专利技术的实施例涉及一种显示装置，更具体地，涉及一种包括垫电极的显示装置以及制造该显示装置的方法。

技术介绍

[0002]平板显示装置由于其轻量和薄的特性而被用作用于代替阴极射线管显示装置的显示装置，并且可以包括例如液晶显示装置、有机发光二极管显示装置、量子点发光二极管显示装置等。
[0003]显示装置可以包括其中设置有像素结构的显示区域和其中设置有垫电极的垫区域。垫电极可以电连接到被构造为产生提供到像素结构的图像信号的外部装置。在显示区域中，被构造为保护像素结构的封装层可以设置在像素结构上。在垫区域中，为了沉积封装层使得封装层与垫电极不叠置，会需要使用掩模结构的沉积工艺，因此，会发生工艺成本的增大。

技术实现思路

[0004]本专利技术的一个方面提供一种具有增强的可靠性的显示装置。
[0005]本专利技术的另一方面提供一种能够减小工艺成本的制造显示装置的方法。
[0006]本专利技术的附加特征将在下面的描述中阐明，并且部分地将通过描述而明显，或者可以通过本专利技术的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示装置，所述显示装置包括：基底，包括显示区域和位于所述显示区域的一侧上的垫区域；垫电极，在所述基底上设置在所述垫区域中；保护绝缘层，设置在所述基底和所述垫电极上以暴露所述垫电极的顶表面的至少一部分；无机封装层，设置在所述保护绝缘层上；以及导电层，在所述无机封装层的与所述垫电极相邻的端部与所述保护绝缘层之间设置在所述垫区域中。2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，当在平面图中观察时，所述无机封装层和所述导电层中的每个与所述垫电极的至少一部分分隔开。3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述导电层具有与所述无机封装层的所述端部关联的底切形状。4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述导电层具有针对第一蚀刻工艺的第一蚀刻率，并且所述第一蚀刻工艺用于去除所述无机封装层的与所述垫电极的至少一部分叠置的部分，并且所述无机封装层具有针对所述第一蚀刻工艺的比所述第一蚀刻率高的第二蚀刻率。5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述第一蚀刻工艺包括干蚀刻工艺。6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述导电层具有针对第二蚀刻工艺的第三蚀刻率，并且所述第二蚀刻工艺用于去除所述导电层的与所述垫电极的至少一部分叠置的部分，并且所述垫电极具有针对所述第二蚀刻工艺的比所述第三蚀刻率低的第四蚀刻率。7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述保护绝缘层具有针对所述第二蚀刻工艺的比所述第三蚀刻率低的第五蚀刻率。8.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述无机封装层具有针对所述第二蚀刻工艺的比所述第三蚀刻率低的第六蚀刻率。9.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述第二蚀刻工艺包括湿蚀刻工艺。10.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：晶体管，在所述基底上设置在所述显示区域中；以及像素电极，设置在所述晶体管上且电连接到所述晶体管，其中，所述导电层设置在与其上设置有所述像素电极的层相同的层上。11.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述导电层包括与所述像素电极的材料相同的材料。12.一种制造显示装置的方法，所述方法包括以下步骤：准备包括显示区域和位于所述显示区域的一侧上的垫区域的基底；在所述基底上在所述垫区域中形成垫电极；在所述基底和所述垫电极上形成保护绝缘层；在所述保护绝缘层中形成暴露所述垫电极的顶表面的至少一部分的接触孔；在所述垫电极和所述保护绝缘层上在所述垫区域中形成覆盖所述接触孔的导电层；在所述保护绝缘层和所述导电层上形成无机封装层；
通过第一蚀刻工艺去除所述无机封装层的与所述垫电极的至少一部分叠置的部分；以及通过第二蚀刻工艺去除所述导电层的与所述垫电极的至少一部分叠置的部分。...

【专利技术属性】
技术研发人员：金秀燕，成宇镛，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：