显示设备和制造其的方法技术

本申请涉及显示设备和制造其的方法。提供了显示设备，显示设备可包括基板，所述基板包括显示区和邻近显示区的非显示区；第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管设置在基板上并且包括包含氧化物半导体材料的第一半导体层；和第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管设置在基板上并且包括包含硅半导体材料的第二半导体层，其中通过等离子体处理增加第一半导体层的表面粗糙度。同时提供了制造显示设备的方法。同时提供了制造显示设备的方法。同时提供了制造显示设备的方法。

【技术实现步骤摘要】
显示设备和制造其的方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年5月29日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请号10
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2020
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0065185的优先权和权益，其全部内容通过引用并入本文。


[0003]本公开涉及具有提高的装置特性的显示设备和制造其的方法。

技术介绍

[0004]显示设备可包括显示元件和用于控制施加至显示元件的电信号的驱动电路。驱动电路可包括薄膜晶体管、存储电容器和线。
[0005]为了精确控制显示元件的发光和发光强度，已经增加了电连接至一个显示元件的薄膜晶体管的数量。相应地，已经积极地进行了研究，以发现关于显示设备的高集成度和低功耗的解决方案。

技术实现思路

[0006]本公开的实施方式提供了显示设备，所述显示设备由包括硅半导体的薄膜晶体管和包括氧化物半导体的薄膜晶体管驱动，以降低显示设备的功耗并且确保显示设备的高集成度。
[0007]然而，本公开的范围不限于此。
[0008]另外的方面将部分在如下的描述中陈述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示设备，所述显示设备包括：基板，所述基板包括显示区和邻近所述显示区的非显示区；第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管设置在所述基板上并且包括包含氧化物半导体材料的第一半导体层；和第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管设置在所述基板上并且包括包含硅半导体材料的第二半导体层，其中通过等离子体处理增加所述第一半导体层的表面粗糙度。2.根据权利要求1所述的显示设备，其中所述第一半导体层的表面粗糙度在2nm至50nm的范围内。3.根据权利要求1所述的显示设备，其中所述第一半导体层包括选自由下述组成的组中的至少一种材料的氧化物：铟、镓、锡、锆、钒、铪、镉、锗、铬、钛、铝、铯、铈和锌。4.根据权利要求3所述的显示设备，其中，通过所述等离子体处理在所述第一半导体层的表面上形成突出部分，并且所述突出部分的铟含量大于所述突出部分的镓含量或所述突出部分的锌含量。5.根据权利要求4所...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩在范，金宝花，朴英吉，朴精花，安那璃，郑洙任，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：