含有有机刚性笼状化合物的底部抗反射涂料组合物及其制备方法和微电子结构的形成方法技术

本发明专利技术属于光刻胶领域，涉及一种底部抗反射涂层组合物及其制备方法和微电子结构的形成方法。所述底部抗反射涂层组合物中含有改性刚性有机笼状化合物Ⅰ和Ⅱ以及有机溶剂；所述改性刚性有机笼状化合物Ⅰ和Ⅱ分别为将刚性有机笼状化合物中的部分酚羟基修饰转化为修饰基团以及乙烯基醚基团所得的化合物，所述修饰基团的通式为

【技术实现步骤摘要】
含有有机刚性笼状化合物的底部抗反射涂料组合物及其制备方法和微电子结构的形成方法


[0001]本专利技术属于光刻胶领域，具体涉及一种底部抗反射涂层组合物及其制备方法和微电子结构的形成方法。

技术介绍

[0002]光刻胶是用于将图象转移到基材上的感光膜。首先，在基片上形成光刻胶涂层，然后通过光掩模使该光刻胶层曝光于活化辐射源。其中，所述光掩膜同时具有对活化辐射源透明的区域与对活化辐射源不透明的其它区域。活化辐射源可使曝光的光刻胶涂层发生光致变化或化学变化，从而实现光掩膜图案到设置有光刻胶的基片上的转移。曝光后，再对光刻胶进行显影，产生能够对基片进行选择性处理的图案化图像。
[0003]在微蚀刻工艺中，光刻胶被应用于半导体的生产制造中，目标是将半导体晶片如硅或者砷化镓等转化为具有电导路径的复合矩阵用以行使电路功能。选择合理的光刻胶光刻工艺成为实现这一目的的关键要素。整个光刻工艺包括多个步骤，同时彼此相互影响，但无疑曝光被认为在形成高分辨率光刻胶图像方面起着关键性作用。
[0004]近年来，随着半导体器件逐渐集成化的发展趋势，作为光致抗本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种底部抗反射涂层组合物，其特征在于，所述底部抗反射涂层组合物中含有改性刚性有机笼状化合物Ⅰ和改性刚性有机笼状化合物Ⅱ以及有机溶剂；所述改性刚性有机笼状化合物Ⅰ为将刚性有机笼状化合物中的部分酚羟基修饰转化为修饰基团所得的化合物，所述修饰基团的通式为
‑
O
‑
R1，R1为生色基团、酸不稳定基团、酸性基团或非功能性基团；所述改性刚性有机笼状化合物Ⅱ为将刚性有机笼状化合物中的至少两个酚羟基修饰转化为乙烯基醚基团所得的化合物；所述刚性有机笼状化合物为由戊二醛和间苯二酚通过动态共价化学法制备得到的含有24个酚羟基、分子侧面含有6个孔洞、具有疏水中空结构且整个分子呈现笼状结构的化合物。2.根据权利要求1所述的底部抗反射涂层组合物，其特征在于，所述改性刚性有机笼状化合物Ⅰ与改性刚性有机笼状化合物Ⅱ的质量比为(0.1～25):1。3.根据权利要求1所述的底部抗反射涂层组合物，其特征在于，所述刚性有机笼状化合物按照以下方法制备得到：在非氧化型酸的存在下且在惰性气体保护下，将间苯二酚与戊二醛按照摩尔比(4～6):1在醇类溶剂中于70～80℃下缩合反应40～60h，反应完毕后，将所得缩合反应溶液进行醇沉析晶，过滤，所得固体产物经醚洗后干燥，得到刚性有机笼状化合物；优选地，所述非氧化型酸选自浓盐酸、对甲基苯磺酸和三氟乙酸中的至少一种；优选地，所述醇类溶剂选自乙醇、异丙醇和丁醇中的至少一种；优选地，所述醇沉析晶所采用的溶剂为甲醇；优选地，所述醚为乙醚。4.根据权利要求1所述的底部抗反射涂层组合物，其特征在于，所述改性刚性有机笼状化合物Ⅰ为将刚性有机笼状化合物中的2～22个酚羟基修饰转化为修饰基团所得的化合物。5.根据权利要求1所述的底部抗反射涂层组合物，其特征在于，所述改性刚性有机笼状化合物Ⅰ中，所述生色基团由式(1)所示的结构表示；所述酸不稳定基团由式(2)～(4)所示的结构表示；所述酸性基团为羧基、酚羟基或氟化醇基；所述非功能性基团为C1～C
10
的烷基或C3～C
10
的环烷基；R2为
‑
(CH2)
n1
‑
O
‑
或
‑
(CH2)
n2
‑
，n1为1～6，n2为0～6；R3为
‑
(CH2)
n3
‑
O
‑
、
‑
O
‑
(CH2)
n4
‑
或
‑
(CH2)
n5
‑
，n3和n4各自独立地为1～6，n...

【专利技术属性】
技术研发人员：毛鸿超，李禾禾，王静，肖楠，宋里千，
申请(专利权)人：福建泓光半导体材料有限公司，
类型：发明
国别省市：