辐射屏蔽覆盖物和制造方法技术

阀控制器或阀组件的一部分的辐射屏蔽覆盖物。辐射屏蔽覆盖物包括包含基材和被注入到基材内的第二材料的层。基材具有第一密度并且第二材料具有高于第一密度的第二密度，从而增加层的密度。该层适于设置在阀控制器或阀组件的壳体的表面上方，使得该层阻止辐射到达设置在壳体内的部件。在壳体内的部件。在壳体内的部件。

【技术实现步骤摘要】
辐射屏蔽覆盖物和制造方法


[0001]本公开内容涉及用于辐射环境中的部件的辐射屏蔽，尤其涉及用于阀控制器或阀组件的外壳的辐射屏蔽覆盖物及其制造方法。

技术介绍

[0002]核电站在各种处理操作中使用许多众所周知的阀组件和阀控制器。特别地，存在在操作期间暴露于辐射的各种组件或部件，例如包括在阀控制器的外壳内的电子部件。辐射会降低这些组件在辐射环境中的使用寿命。此外，用于外壳或其他部件的商业制造材料通常由密度较低的材料构成，导致辐射屏蔽能力较差。因此，已经制造出需要高制造电阻的核应用中的部件，但它们价格昂贵且需要复杂的制造工艺。

技术实现思路

[0003]根据第一示例性方面，用于阀控制器或阀组件的一部分的辐射屏蔽覆盖物包括包含基材和被注入到基材内的第二材料的层。基材具有第一密度并且第二材料具有高于第一密度的第二密度，从而增加了层的密度。该层适于设置在阀控制器或阀组件的壳体的表面上方，使得该层阻止辐射到达设置在壳体内的部件。
[0004]根据第二示例性方面，阀控制器包括壳体，该壳体具有外表面和设置在壳体的外表面上的辐射屏蔽覆盖本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于阀控制器或阀组件的部分的辐射屏蔽覆盖物，所述辐射屏蔽覆盖物包括：包括基材和被注入到所述基材内的第二材料的层，所述基材具有第一密度并且所述第二材料具有高于所述第一密度的第二密度，从而增加所述层的密度，所述层适于设置在阀控制器或阀组件的壳体的表面上方，使得所述层阻止辐射到达设置在所述壳体内的部件。2.根据权利要求1所述的辐射屏蔽覆盖物，其中，所述层为第一层，并且，所述辐射屏蔽覆盖物还包括仅包含所述基材的第二层，以及包含所述基材和被注入到所述基材内的所述第二材料的第三层，所述第二材料的密度高于所述基材的密度，并且所述第二层设置在所述第一层上并位于所述第一层与所述第三层之间。3.根据权利要求2所述的辐射屏蔽覆盖物，其中，所述第二层为包括辐射陷阱的纯金属孔隙。4.根据权利要求1
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3中任一项所述的辐射屏蔽覆盖物，其中，所述第二材料包括钽或钨中的一种，所述层增加所述壳体的所述表面的材料的抗辐射性和所述壳体的所述表面的厚度。5.根据前述权利要求中任一项所述的辐射屏蔽覆盖物，其中，所述基材包括金属粘合剂或不锈钢材料中的一种，并且，所述第二材料包括多个陶瓷颗粒、多个钽颗粒、或多个钨颗粒中的一种。6.根据前述权利要求中任一项所述的辐射屏蔽覆盖物，其中，所述基材包括金属粘合剂，并且，所述第二材料包括多个陶瓷颗粒。7.一种阀控制器，包括：具有外表面的壳体；辐射屏蔽覆盖物，其设置在所述壳体的所述外表面上，所述辐射屏蔽覆盖物包括：包括金属基材和被注入到所述金属基材内的第二材料的层，所述金属基材具有第一密度并且所述第二材料具有高于所述第一密度的第二密度，从而增加所述层的密度，其中，所述辐射屏蔽覆盖物阻止辐射到达设置在所述壳体内的部件。8.根据权利要求7所述的阀控制器，还包括耦接到所述壳体并具有外表面的盖，所述盖和所述壳体形成外壳，并且，所述辐射屏蔽覆盖物设置在所述盖的所述外表面上，防止辐射到达设置在所述外壳内的电子部件。9.根据权利要求7或8中任一项所述的阀控制器，还包括横向X轴、纵向Y轴、和垂直于所述横向X轴和所述纵向Y轴两者的Z轴，所述辐射屏蔽覆盖物沿所述Z轴穿透所述壳体和所述盖中的一个或多个。10.根据权利要求7
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9中任一项所述的阀控制器，其中，所述层为第一层，并且，所述辐射屏蔽覆盖物还包括仅包含所述金属基材的第二层，以及包含所述金属基材和被注入到所述金属基材内的所述第二材料的第三层，所述第二材料的密度高于所述基材的密度，并且第二层设置在所述第一层上并位于所述第一层与所述第三层之间。11.根据权利要求10所述的阀控制器，其中，所述第二层为包括辐射陷...

【专利技术属性】
技术研发人员：T，
申请(专利权)人：费希尔控制产品国际有限公司，
类型：发明
国别省市：