基板处理装置制造方法及图纸

公开了一种基板处理装置，该基板处理装置包括：第一腔室，在该第一腔室中执行对基板的蚀刻工艺；腔室窗，布置在第一腔室的一个表面上；激光模块，布置在第一腔室的外部，并通过腔室窗向基板照射激光束，以执行蚀刻工艺；第一保护窗，位于基板和腔室窗之间；第二腔室，布置在第一腔室的一侧；传送部，将第一保护窗从第一腔室传送到第二腔室；以及清洗模块，布置在第二腔室的内部，并对传送到第二腔室的第一保护窗执行清洗工艺。护窗执行清洗工艺。护窗执行清洗工艺。

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置


[0001]本专利技术涉及一种基板处理装置。更具体地，本专利技术涉及一种向下式基板激光蚀刻装置。

技术介绍

[0002]平板显示装置由于其重量轻、厚度薄等特性而被用作替代阴极射线管显示装置的显示装置。这种平板显示装置的代表性示例包括液晶显示装置和有机发光二极管显示装置。
[0003]显示装置的制造工艺，与半导体类似，使用物理或化学等多种方法。例如，显示装置的制造工艺可以包括使用激光的基板蚀刻工艺。与其它方法相比，使用激光的基板蚀刻工艺的结构简单，可以减少工艺时间，因此被广泛使用。
[0004]另外，在使用激光的向下式基板蚀刻工艺中，可以使用保护窗来防止在基板上产生并落下的微粒污染腔室窗。此时，如果在保护窗上积载了一定量以上的微粒，则需要更换或清洗保护窗。因此，由于需要打开真空腔室以更换或清洗保护窗，所以蚀刻工艺可能会停止直到腔室再次达到真空状态，从而降低了基板的处理效率。

技术实现思路

[0005]解决的技术问题
[0006]本专利技术的一个目的在于提供一种提升基板处理效率的基板处理装置。<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.基板处理装置，包括：第一腔室，在所述第一腔室内部执行对基板的蚀刻工艺；腔室窗，布置在所述第一腔室的一个表面上；激光模块，布置在所述第一腔室的外部，并通过所述腔室窗向所述基板照射激光束，以执行所述蚀刻工艺；第一保护窗，位于所述基板与所述腔室窗之间；第二腔室，布置在所述第一腔室的一侧；传送部，用于将所述第一保护窗从所述第一腔室传送到所述第二腔室；以及清洗模块，布置在所述第二腔室的内部，并对传送到所述第二腔室的所述第一保护窗执行清洗工艺。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，穿过所述腔室窗的所述激光束穿过所述第一保护窗照射到所述基板，通过所述激光束在所述基板上产生的微粒下落并积载到所述第一保护窗的一个表面上，以及所述清洗模块将清洗剂提供到所述第一保护窗的所述一个表面上。3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，所述清洗剂包括可升华固体颗粒。4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述传送部将经执行所述清洗工艺的所述第一保护窗从所述第二腔室传送到所述第一腔室。5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述第一腔室的内部在进行所述蚀刻工艺时处于真空状态，以及所述第二腔室的内部在进行所述清洗工艺时处于大气压状态。6.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：全镇弘，韩圭完，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：