像素电路、显示器件以及检测方法技术

本发明专利技术提供一种像素电路、显示器件以及检测方法。像素电路包含第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管以及发光单元。第二晶体管耦合到第一晶体管。第三晶体管耦合到第二晶体管。发光单元耦合到第一晶体管。当第一晶体管断开时，检测第三晶体管与第一晶体管之间的节点的电流。流。流。

【技术实现步骤摘要】
像素电路、显示器件以及检测方法


[0001]本公开大体上涉及一种电路、器件以及方法，确切地说，大体上涉及一种发光二极管(light
‑
emitting diode；LED)的像素电路和显示器件以及检测方法。

技术介绍

[0002]由LED驱动电路引起的图像非均匀性已成为问题。图像非均匀性由制造LED显示器件中的TFT变化引起，且进一步导致例如色斑效应。因此，有必要改良上述问题。

技术实现思路

[0003]因此，本公开涉及一种提供电流监测功能和/或电压监测功能的像素电路、显示器件以及检测方法。
[0004]本公开的像素电路包含第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管以及发光单元。第二晶体管耦合到第一晶体管。第三晶体管耦合到第二晶体管。发光单元耦合到第一晶体管。当第一晶体管断开时，检测第三晶体管与第一晶体管之间的节点的电流。
[0005]本公开的检测方法适于检测像素电路。检测方法包含：在像素电路中提供第一晶体管和发光单元，其中发光单元耦合到第一晶体管；提供第二晶体管和第三晶体管，其中第二晶体管耦合到像素电路中的第三晶体管与第一晶体管之间的节点；以及当第一晶体管断开时，检测第三晶体管与第一晶体管之间的节点的电流。
[0006]本公开的显示器件包含多个像素电路。多个像素电路中的至少一个包含第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管以及发光单元。第二晶体管耦合到第一晶体管。第三晶体管耦合到第二晶体管。发光单元耦合到第一晶体管。当第一晶体管断开时，检测第三晶体管与第一晶体管之间的节点的电流。
[0007]为了可更好地理解前述内容，如下详细地描述伴有附图的若干实施例。
附图说明
[0008]包含附图以提供对本公开的进一步理解，且附图并入本说明书中且构成本说明书的一部分。附图示出本公开的示范性实施例，且与描述一起用以解释本公开的原理。
[0009]图1A是根据本公开的实施例的显示器件的示意图；
[0010]图1B是示出根据本公开的实施例的图1A中示出的显示器件的操作波形的示意图；
[0011]图2A是根据本公开的实施例的显示器件的示意图；
[0012]图2B是示出根据本公开的实施例的图2A中示出的像素电路和电流监测器的操作波形的示意图；
[0013]图3A是根据本公开的实施例的显示器件的示意图；
[0014]图3B是示出根据本公开的实施例的图3A中示出的显示器件的操作波形的示意图；
[0015]图4A是根据本公开的实施例的显示器件的示意图；
[0016]图4B是示出根据本公开的实施例的图4A中示出的显示器件的操作波形的示意图；
[0017]图5A是根据本公开的实施例的显示器件的示意图；
[0018]图5B是示出根据本公开的实施例的图5A中示出的显示器件的操作波形的示意图；
[0019]图6A是根据本公开的实施例的显示器件的示意图；
[0020]图6B是示出根据本公开的实施例的图6A中示出的显示器件的操作波形的示意图；
[0021]图7A是根据本公开的实施例的显示器件的示意图；
[0022]图7B是示出根据本公开的实施例的图7A中示出的显示器件的操作波形的示意图；
[0023]图8A是根据本公开的实施例的显示器件的示意图；
[0024]图8B是示出根据本公开的实施例的图8A中示出的显示器件的操作波形的示意图；
[0025]图9A是根据本公开的实施例的显示器件的示意图。；
[0026]图9B是示出根据本公开的实施例的图9A中示出的显示器件的操作波形的示意图；
[0027]图10A是根据本公开的实施例的显示器件的示意图；
[0028]图10B是根据本公开的实施例的显示器件的示意图；
[0029]图11A是根据本公开的实施例的内部安置有像素电路和电流监测器的显示器件的局部视图；
[0030]图11B是根据本公开的实施例的内部安置有像素电路的显示器件的局部视图；
[0031]图11C是根据本公开的实施例的对如图11A或图11B中所示出的显示器件的校准操作的示意图；
[0032]图12是根据本公开的实施例的检测方法的流程图。
[0033]附图标号说明
[0034]1、2：显示器件；
[0035]10、20、30、40、50、60、70：像素电路；
[0036]11、21、31、41：电流监测器；
[0037]12：数据驱动器；
[0038]13、23、33：预设电路；
[0039]14：数据转换器；
[0040]110：运算放大器；
[0041]BA：边界区域；
[0042]Cs、Csv：电容器；
[0043]D1：发光单元；
[0044]DA：显示区域；
[0045]DL：数据线；
[0046]dV：电压降；
[0047]EM：发射信号；
[0048]If：电流；
[0049]Nf：节点；
[0050]PRESET：预设信号；
[0051]Rsi：电阻器；
[0052]S120、S121、S122：步骤；
[0053]SCAN_D：第一扫描信号；
[0054]SCAN_S：第二扫描信号；
[0055]SENSE_I：第二感测信号；
[0056]SENSE_V：第一感测信号；
[0057]SL：感测线；
[0058]T1：第一时间区；
[0059]T2：第二时间区；
[0060]T3：第三时间区；
[0061]Td：驱动晶体管/第三晶体管；
[0062]Te：第一晶体管；
[0063]Tpr：PMOS晶体管；
[0064]TPS：预设时间区；
[0065]Ts：第五晶体管；
[0066]Tsd：第四晶体管；
[0067]Tsi：第二感测晶体管；
[0068]Tss：开关晶体管/第二晶体管；
[0069]Tsv：第一感测晶体管；
[0070]Tsv2：第三感测晶体管；
[0071]Vd：数据电压；
[0072]VDD：第一参考电压；
[0073]VDL、Vf、VSL：电压；
[0074]Vout：输出信号；
[0075]Vpr：预设电压；
[0076]VRsi：电压差；
[0077]VSS：第二参考电压。
具体实施方式
[0078]当结合附图阅读时，使以下实施例清楚地展现本公开的上述和其它
技术实现思路
、特征和/或效应。通过借助特定实施例的阐述，人们将进一步理解本公开采取以实现上文所指示目标的技术方法和效应。此外，因为本文中所揭示的内容应易于理解且可由本领域技术人员实施，所以所附权利要求应涵盖不脱离本公开的概念的所有等效改变或修改。
[0079]某些术本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种像素电路，包括：第一晶体管；第二晶体管，耦合到所述第一晶体管；第三晶体管，耦合到所述第二晶体管；以及发光单元，耦合到所述第一晶体管，其中当所述第一晶体管断开时，检测所述第三晶体管与所述第一晶体管之间的节点的电流。2.根据权利要求1所述的像素电路，其中当所述第一晶体管接通时，检测所述第三晶体管与所述第一晶体管之间的所述节点的电压。3.根据权利要求1所述的像素电路，包括：第四晶体管，耦合到数据线且接收第一扫描信号，其中所述第三晶体管耦合到所述节点和所述第四晶体管，且接收第一参考电压，所述第一晶体管耦合到所述节点，所述发光单元耦合到所述第一晶体管且接收第二参考电压，且所述第二晶体管耦合到感测线和所述节点，且接收第二扫描信号。4.根据权利要求1所述的像素电路，其中所述电流由电流监测器检测。5.根据权利要求4所述的像素电路，其中所述电流监测器包括：第一感测晶体管，耦合到所述第二晶体管，且接收第一感测信号；第二感测晶体管，耦合到所述第二晶体管，且接收第二感测信号；运算放大器，耦合到所述第一感测晶体管和所述第二感测晶体管以用于产生输出信号；电阻器，连接到所述运算放大器；以及电容器，耦合到所述运算放大器。6.根据权利要求5所述的像素电路，其中所述电流监测器包括：第三感测晶体管，并联耦合到所述电阻器。7.根据权利要求1所述的像素电路，其中所述第二晶体管耦合到数据线和所述第三晶体管与所述第一晶体管之间的所述节点，所述像素电路还包括：第四晶体管，耦合到所述数据线和所述第三晶体管，且接收第一扫描信号。8.根据权利要求7所述的像素电路，其中电流监测器耦合到所述数据线以用于检测所述第三晶体管与所述第一晶体管之间的所述节点的所述电流，且其中预设电路耦合到所述数据线以用于预设所述数据线。9.根据权利要求7所述的像素电路，其中电流监测器耦合到所述数据线以用于检测所述第三晶体管与所述第一晶体管之间的所述节点的所述电流，所述电流监测器包括：第一感测晶体管，通过所述数据线耦合到所述第二晶体管，且接收第一感测信号；第二感测晶体管，通过所述数据线耦合到所述第二晶体管，且接收第二感测信号；运算放大器，耦合到所述第一感测晶体管和所述第二感测晶体管以用于产生输出信号；电阻器，连接到所述运算放大器；电容器，耦合到所述运算放大器；以及
预设电路，耦合到所述运算放大器以用于预设所述数据线。10.根据权利要求1所述的像素电路，还包括嵌入于所述像素电路中的电流监测器，以用于检测所述第三晶体管与所述第一晶体管之间的所述节点的所述电流。11.根据权利要求10所述的像素电路，还包括：第四晶体管，耦合到数据线和所述第三晶体管，其中所述第二晶体管耦合到感测线和所述电流监测器，且接收第二扫描信号，其中所述电流监测器包括：第一感测晶体管，耦合到所述节点，且接收第一感测信号；第二感测晶体管，耦合到所述节点，且接收第二感测信号；运算放大器，耦合到所述第一感测晶体管、所述第二感测晶体管以及所述第二晶体管以用于产生到所述感测线的输出信号；电阻器，连接到所述运算放大器；以及电容器，耦合到所述运算放大器。12.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：桥本和幸，
申请(专利权)人：群创光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：