电源响应电路及模拟芯片制造技术

本发明专利技术公开了一种电源响应电路以及模拟芯片，电源响应电路包括电压检测模块和充放电模块，电压检测模块连接于电源电压和第二节点之间，电压检测模块用于根据电源电压和第一偏置电压的电压差向所述第二节点提供第一电流，充放电模块分别与用电电路中的第一节点和该第二节点连接，所述充放电模块用于根据第二节点的电位提供第一节点的电荷释放路径，从而保证模拟芯片内部的节点可以跟随电源电压进行变化，以对电源掉电和二次上电产生正确响应。以对电源掉电和二次上电产生正确响应。以对电源掉电和二次上电产生正确响应。

【技术实现步骤摘要】
电源响应电路及模拟芯片


[0001]本专利技术涉及模拟电路
，更具体地涉及一种电源响应电路及模拟芯片。

技术介绍

[0002]现有的数模信号集成电路中包含模拟电路(例如稳压电路和带隙基准电路)，当电源电压波动时，我们希望模拟电路中的一些节点可以跟随电源电压进行变化，尤其是在电源快速下降又快速上升的情况下，保证电路内部节点的电荷可以快速释放，以对电源掉电和二次上电产生正确响应。
[0003]如图1示出了一种传统的上电复位电路的电路示意图。如图1所示，该上电复位电路100包括通过PMOS晶体管实现的电阻R1、电容C1以及反相器INV1和反相器INV2。在电源电压VCC的上升过程中，电源电压VCC通过电阻R1对电容C1进行充电，当电容C1的电压上升超过反相器的阈值电压时，上电复位信号POR翻转为高电平。这种电路的结构简单，但是抗干扰能力差，存在二次上电失效的问题。由于PN结电压的存在，当电源掉电时，回路中的节点A的电压在掉到PN结电压以下时只能缓慢地漏电到地电势。因此，当电源快速下降之后又二次上电过程中，由于回路电荷未被完全释放，所以会导致反相器发生误动作，电路就不能产生正确的上电复位信号，导致后级电路发生错误。
[0004]现有技术的一种方法利用电容电压不能突变的特性，把需要跟随电源电压变化的节点通过电容直接与电源相连，这种方法虽然可以保证这些节点可以跟随电源电压进行变化，但是在电源电压波动很小的情况下，这种结构会导致电路内部节点的稳定性较差。

技术实现思路

[0005]有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种电源响应电路以及包括该电源响应电路的模拟芯片，不仅可以保证模拟芯片内部的节点可以跟随电源电压进行变化，而且可以在电源电压波动很小的情况下保持这些节点的稳定，提高电路的稳定性。
[0006]根据本专利技术的一方面，提供了一种电源响应电路，与用电电路的供电端相连以接收电源电压，所述电源响应电路还用于与所述用电电路中的第一节点相连，以在掉电时提供所述第一节点的电荷释放路径，包括：电压检测模块，连接于所述电源电压和第二节点之间，所述电压检测模块用于根据所述电源电压和第一偏置电压的电压差向所述第二节点提供第一电流；充放电模块，所述充放电模块分别与所述第一节点和第二节点连接，所述充放电模块用于根据所述第二节点的电位提供所述第一节点的电荷释放路径。
[0007]可选的，所述电源响应电路还包括：第一晶体管，所述第一晶体管的第一端与所述第二节点连接，所述第一晶体管的第二端接地，所述第一晶体管的控制端用于接收第二偏置电压。
[0008]可选的，所述电压检测模块包括：依次串联连接于所述电源电压和所述第二节点之间的第二晶体管和第三晶体管，所述第二晶体管和所述第三晶体管的控制端接收所述第一偏置电压；以及第二电容，第一端与所述第一晶体管和所述第二晶体管的中间节点连接，
第二端接地。
[0009]可选的，所述充放电模块包括：第四晶体管，所述第四晶体管的第一端与所述第二节点连接，第二端与地连接，所述第四晶体管连接成二极管结构；第五晶体管，与所述第四晶体管构成电流镜，所述第五晶体管的第一端与所述第一节点连接，第二端用于提供所述第一节点的放电路径。
[0010]可选的，所述充放电模块还包括：一电流源，连接于所述第五晶体管的第二端和地之间，所述电流源用于对所述第一节点进行限流。
[0011]可选的，所述充放电模块还包括：第六晶体管，与所述第四晶体管构成电流镜，所述第六晶体管的第二端接地；第七晶体管，所述第七晶体管的控制端与所述第六晶体管的第一端连接，第一端与所述电源电压连接，第二端与所述用电电路中的第三节点连接，以在掉电时向所述第三节点进行充电。
[0012]可选的，所述充放电模块还包括：第八晶体管，所述第八晶体管的第一端与所述电源电压连接，所述第八晶体管的第二端与所述第七晶体管的控制端连接，所述第八晶体管的控制端用于接收所述第一偏置电压。
[0013]可选的，所述第一晶体管、所述第四晶体管、所述第五晶体管、所述第六晶体管为NMOS管，所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第七晶体管以及所述第八晶体管为PMOS管。
[0014]可选的，所述第一偏置电压和所述第二偏置电压互为相反的电压信号。
[0015]根据本专利技术的另一方面，提供了一种模拟芯片，其中，包括上述的电源响应电路。
[0016]本专利技术的电源响应电路以及模拟芯片中，电源响应电路包括电压检测模块和充放电模块，电压检测模块连接于电源电压和第二节点之间，电压检测模块用于根据电源电压和第一偏置电压的电压差向所述第二节点提供第一电流，充放电模块分别与用电电路中的第一节点和该第二节点连接，所述充放电模块用于根据第二节点的电位提供第一节点的电荷释放路径，从而保证模拟芯片内部的节点可以跟随电源电压进行变化，以对电源掉电和二次上电产生正确响应。
[0017]在进一步的实施例中，电源响应电路还包括第一晶体管，第一晶体管连接在第二节点和地之间，第一晶体管构成一个下拉电流源，可在在电源电压波动较小时，将第二节点的电位拉低，可提高电路的稳定性。
附图说明
[0018]通过以下参照附图对本专利技术实施例的描述，本专利技术的上述以及其他目的、特征和优点将更为清楚。
[0019]图1示出了一种传统的上电复位电路的电路示意图；
[0020]图2示出根据本专利技术实施例的一种电源响应电路的电路示意图；
[0021]图3示出图2中的节点A的波形示意图。
具体实施方式
[0022]以下将参照附图更详细地描述本专利技术。在各个附图中，相同的元件采用类似的附图标记来表示。为了清楚起见，附图中的各个部分没有按比例绘制。此外，在图中可能未示
出某些公知的部分。
[0023]在下文中描述了本专利技术的许多特定的细节，例如部件的结构、材料、尺寸、处理工艺和技术，以便更清楚地理解本专利技术。但正如本领域的技术人员能够理解的那样，可以不按照这些特定的细节来实现本专利技术。
[0024]应当理解，在以下的描述中，“电路”可包括单个或多个组合的硬件电路、可编程电路、状态机电路和/或能存储由可编程电路执行的指令的元件。当称元件或电路“连接到”另一元件或称元件/电路“连接在”两个节点之间时，它可以直接耦合或连接到另一元件或者可以存在中间元件，元件之间的连接可以是物理上的、逻辑上的、或者其结合。相反，当称元件“直接耦合到”或“直接连接到”另一元件时，意味着两者不存在中间元件。
[0025]在本申请中，MOS管(Metal
‑
Oxide
‑
Semiconductor Field
‑
Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管)包括第一端、第二端和控制端，在MOSFET的导通状态，电流从第一端流至第二端。PMOS管的第一端、第二端和控制端分别为源极、漏极和栅极，NMOS管的第一端、第二端和控制端分别为漏极、源极和栅极。
[0026]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电源响应电路，与用电电路的供电端相连以接收电源电压，所述电源响应电路还用于与所述用电电路中的第一节点相连，以在掉电时提供所述第一节点的电荷释放路径，其中，包括：电压检测模块，连接于所述电源电压和第二节点之间，所述电压检测模块用于根据所述电源电压和第一偏置电压的电压差向所述第二节点提供第一电流；充放电模块，所述充放电模块分别与所述第一节点和第二节点连接，所述充放电模块用于根据所述第二节点的电位提供所述第一节点的电荷释放路径。2.根据权利要求1所述的电源响应电路，其中，还包括：第一晶体管，所述第一晶体管的第一端与所述第二节点连接，所述第一晶体管的第二端接地，所述第一晶体管的控制端用于接收第二偏置电压。3.根据权利要求2所述的电源响应电路，其中，所述电压检测模块包括：依次串联连接于所述电源电压和所述第二节点之间的第二晶体管和第三晶体管，所述第二晶体管和所述第三晶体管的控制端接收所述第一偏置电压；以及第二电容，第一端与所述第一晶体管和所述第二晶体管的中间节点连接，第二端接地。4.根据权利要求3所述的电源响应电路，其中，所述充放电模块包括：第四晶体管，所述第四晶体管的第一端与所述第二节点连接，第二端与地连接，所述第四晶体管连接成二极管结构；第五晶体管，与所述第四晶体管构成电流镜，所述第五晶体管的第一端与所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔先宇，谢程益，
申请(专利权)人：圣邦微电子北京股份有限公司，
类型：发明
国别省市：