一种晶圆的直接诱导加热装置和加热方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种晶圆的直接诱导加热装置和加热方法，属于半导体技术领域，用以解决现有技术中晶圆间接诱导加热方式加热速度慢、加热深度不可控的问题。上述晶圆的直接诱导加热装置，包括交变磁束发生组件，利用交变磁束发生组件的交流电产生交变磁束，晶圆置于交变磁束发生组件产生的交变磁束内，置于交变磁束内的晶圆内产生涡电流，涡电流通过晶圆产生焦耳热，对晶圆进行加热。上述晶圆的直接诱导加热方法，包括如下步骤：利用交流电产生交变磁束，将晶圆置于交变磁束内，晶圆内产生涡电流，涡电流通过晶圆产生焦耳热，对晶圆进行加热。本发明专利技术的晶圆的直接诱导加热装置和加热方法可用于晶圆的直接诱导加热。可用于晶圆的直接诱导加热。可用于晶圆的直接诱导加热。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆的直接诱导加热装置和加热方法


[0001]本专利技术属于半导体
，特别涉及一种晶圆的直接诱导加热装置和加热方法。

技术介绍

[0002]半导体制造工艺中，需要反复进行刻蚀形成又窄又深的孔，然后，再采用平坦化工艺将孔填满，在上述工艺中，由于晶圆温度会影响产品的良率，因此，维持适当的晶圆温度非常重要。在刻蚀工艺中，依照维持晶圆整体温度均一的需求不同，分为两个以上的温度控制区域，需要使用精细的温度控制技术。随着半导体制造工艺日渐小型化，需要刻蚀的孔比以前要更深更窄，为了改善孔的剖面，需要进行各方面的努力。
[0003]现有的光刻工艺中，晶圆采用间接诱导加热方式，具体来说，将晶圆放置在碳卡盘上，碳卡盘利用工作线圈来加热。采用间接诱导加热方式，需要额外设置用于加热的工作线圈，升温速度慢，加热深度不可控。

技术实现思路

[0004]鉴于以上分析，本专利技术旨在提供一种晶圆的直接诱导加热装置和加热方法，用以解决现有技术中晶圆间接诱导加热方式加热速度慢、加热深度不可控的问题。
[0005]本专利技术的目的主要是通过本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆的直接诱导加热装置，其特征在于，包括交变磁束发生组件，利用交变磁束发生组件的交流电产生交变磁束，所述晶圆置于交变磁束发生组件产生的交变磁束内，晶圆内产生涡电流，上述涡电流通过晶圆产生焦耳热，对晶圆进行加热。2.根据权利要求1所述的晶圆的直接诱导加热装置，其特征在于，还包括演算部，用于根据所需涡电流的电流渗透深度自动计算交流电的频率。3.根据权利要求1所述的晶圆的直接诱导加热装置，其特征在于，还包括温度传感部和控制部，所述控制部获取温度传感部采集的晶圆温度数据，将晶圆温度数据与阈值范围进行比较。4.根据权利要求3所述的晶圆的直接诱导加热装置，其特征在于，还包括与控制部连接的报警器，当晶圆温度数据低于或超过阈值范围，所述控制器控制报警器报警。5.根据权利要求1至4所述的晶圆的直接诱导加热装置，其特征在于，所述交变磁束发生组件包括交流电源组件以及与交流电源组件连接的工作线圈，所述晶圆置于工作线圈产生的交变磁束内。6.根据权利要求5所述的晶圆的直接诱导加热装置，其特征在于，将工作线...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑宇现，周娜，李琳，王佳，李俊杰，
申请(专利权)人：真芯北京半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：