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本发明公开了一种晶圆的直接诱导加热装置和加热方法，属于半导体技术领域，用以解决现有技术中晶圆间接诱导加热方式加热速度慢、加热深度不可控的问题。上述晶圆的直接诱导加热装置，包括交变磁束发生组件，利用交变磁束发生组件的交流电产生交变磁束，晶圆置...
该专利属于真芯(北京)半导体有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过真芯(北京)半导体有限责任公司授权不得商用。

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