一种高性能R-T-B永磁材料、及其扩散方法和扩散源技术

本发明专利技术公开了一种扩散源，包括稀土卤化物和碱金属卤化物；在温度为700℃

【技术实现步骤摘要】
一种高性能R
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T
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B永磁材料、及其扩散方法和扩散源


[0001]本专利技术涉及稀土永磁材料
，特别是涉及一种高性能R
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T
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B永磁材料、及其扩散方法和扩散源。

技术介绍

[0002]钕铁硼烧结磁体具有高磁能积和高剩磁等优势，在电机、电声器件、计算机硬盘驱动器(HDD)、军工设备、人体核磁共振成像仪(MRI)、微波通讯技术、控制器、仪表等方面受到了广泛应用。
[0003]晶界扩散处理技术是将重稀土附着于钕铁硼磁体表面并通过高温处理过程使其扩散渗入磁体内部的技术。与传统技术相比较，该技术能用较少量重稀土大幅提高磁体矫顽力而保持剩磁几乎不变。虽然，晶界扩散处理对最终磁体性能的改善效果非常明显，但是现有晶界扩散技术存在以下问题：
[0004](1)重稀土利用率低。为获得较为理想的晶界扩散效果，通常元器件表层重稀土扩散源过量施加，造成相当比例的重稀土元素未渗入磁体内，甚至大量重稀土元素进入磁体表层附近区域主相晶粒内部造成材料性能恶化。<br/>[0005]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种扩散源，其特征在于，包括稀土卤化物和碱金属卤化物组成的熔盐；在温度为700℃
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850℃的条件下，所述熔盐的液相比例为10％～40％。2.根据权利要求1所述扩散源，其特征在于：所述稀土卤化物为重稀土卤化物，优选为Dy或Tb的卤化物，进一步优选为稀土氯化物；更进一步为DyCl3或TbCl3。3.根据权利要求1或2所述扩散源，其特征在于：所述碱金属卤化物为碱金属氯化物，优选为NaCl，或KCl，或LiCl。4.根据权利要求1
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3任一项所述扩散源，其特征在于：所述扩散源还包括有纳米金属粉末，所述纳米金属粉末为Cu粉或Al粉；优选地，所述纳米金属粉末在所述扩散源中的摩尔占比为1
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15mol％。5.根据权利要求1
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4任一项所述扩散源，其特征在于：在700℃
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800℃时，所述熔盐的液相比为10％～40％。6.一种高性能R
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T
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B永磁材料的扩散方法，其特征在于：将扩散源施加于R
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B烧结磁体的表面，对施加有扩散源的R
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B烧结磁体进行晶界扩散，所述晶界扩散的温度为700℃
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850℃，所述扩散源选自权利要求1
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5任一...

【专利技术属性】
技术研发人员：钟可祥，师大伟，
申请(专利权)人：福建省长汀金龙稀土有限公司厦门钨业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：