多菌灵分子印迹比率型荧光传感器及其制备方法、应用技术

本发明专利技术适用于农药检测技术领域，提供了多菌灵分子印迹比率型荧光传感器及其制备方法，包括：制备绿色荧光和红色荧光的CdTe量子点；对红色荧光CdTe量子点进行包埋硅基，并将包埋硅基后的红色荧光CdTe量子点进行乙烯基表面修饰，采用OVDAC对绿色荧光CdTe量子点进行表面修饰；对表面修饰后的绿色荧光CdTe量子点和红色荧光CdTe量子点进行组装，得到多菌灵分子印迹比率型荧光传感器。本发明专利技术通过提供多菌灵特异性识别位点结合多菌灵，多菌灵导致绿色荧光CdTe量子点的荧光强度发生猝灭，红色荧光CdTe量子点受到保护荧光强度不发生明显变化，使得不同部位量子点荧光强度比值发生明显变化，实现多菌灵的可视化检测。实现多菌灵的可视化检测。实现多菌灵的可视化检测。

【技术实现步骤摘要】
多菌灵分子印迹比率型荧光传感器及其制备方法、应用


[0001]本专利技术属于农药检测
，尤其涉及多菌灵分子印迹比率型荧光传感器及其制备方法、应用。

技术介绍

[0002]多菌灵也叫做棉萎灵、苯并咪唑44号，其是一种广谱性杀菌剂，农业中应用广泛，其通过影响细胞分裂，可用于由真菌(如半知菌、多子囊菌)引起的多种作物的病害防治工作。多菌灵对人畜的毒性较低，但其残留时间长，可经食物链在体内累积，引起肝病和染色体畸变，对哺乳动物有毒害。
[0003]目前有多种检测食品中多菌灵残留的方法，如分光光度法、液相色谱
‑
质谱法、电化学传感器法等。以电化学传感器法为例，其通过检测多菌灵在修饰电极上的峰值电流，从而对多菌灵进行特异性检测。
[0004]申请人在实施上述技术方案中发现，上述技术方案至少存在以下缺陷：
[0005]通过电化学传感器法检测多菌灵残留，需要额外利用电化学分析仪器进行电信号检测，无法做到可视化检测。

技术实现思路

[0006]本专利技术实施例的目的在于提供一种多菌灵分子印迹比率型荧光传感器的制备方法，旨在解决
技术介绍
中所提到的问题。
[0007]本专利技术实施例是这样实现的，一种多菌灵分子印迹比率型荧光传感器的制备方法，包括以下步骤：
[0008]制备绿色荧光和红色荧光的CdTe量子点；
[0009]对红色荧光CdTe量子点进行包埋硅基，并将包埋硅基后的红色荧光CdTe量子点进行乙烯基表面修饰，以及采用OVDAC对绿色荧光CdTe量子点进行表面修饰；
[0010]对表面修饰后的绿色荧光CdTe量子点和红色荧光CdTe量子点进行组装，得到多菌灵分子印迹比率型荧光传感器。
[0011]优选的，所述绿色荧光和红色荧光的CdTe量子点采用水相法制备而成。
[0012]优选的，所述水相法制备绿色荧光和红色荧光的CdTe量子点具体包括以下步骤：
[0013]将NaBH4、Te粉末和蒸馏水混合，超声震荡制备得到NaHTe溶液；
[0014]惰性气体保护条件下，将NaHTe溶液加入CdCl2和TGA的混合溶液中；
[0015]对上述得到的混合溶液进行回流反应，得到绿色荧光和红色荧光的CdTe量子点。
[0016]优选的，所述对红色荧光CdTe量子点进行包埋硅基具体包括以下步骤：
[0017]依次加入红色荧光CdTe量子点溶液、正己醇、环己烷和曲拉通X
‑
100，混合搅拌；
[0018]加入PDDA溶液，继续混合搅拌；
[0019]加入TEOS，继续混合搅拌；
[0020]上述反应完成后，加入丙酮进行破乳操作；
[0021]离心洗涤，得到包埋硅基的红色荧光CdTe量子点。
[0022]优选的，采取KH
‑
570对包埋硅基的红色荧光CdTe量子点进行乙烯基表面修饰。
[0023]优选的，所述采用OVDAC对绿色荧光CdTe量子点进行表面修饰具体包括以下步骤：
[0024]向绿色荧光CdTe量子点溶液中加入OVDAC；
[0025]采用氯仿对上述反应产物进行萃取，并对萃取液进行离心，得到OVDAC表面修饰后的绿色荧光CdTe量子点。
[0026]优选的，所述对表面修饰后的绿色荧光CdTe量子点和红色荧光CdTe量子点进行组装，得到多菌灵分子印迹比率型荧光传感器具体包括以下步骤：
[0027]将表面修饰后的绿色荧光CdTe量子点和红色荧光CdTe量子点分散在乙腈中，然后加入溶解于丙酮中的多菌灵，再加入AM和EGDMA搅拌混合；
[0028]上述混合体系进行预组装反应；
[0029]惰性气体保护条件下，向混合体系中加入引发剂进行反应；
[0030]对反应后的混合体系进行两步沉淀聚合；
[0031]离心洗涤，再进行模板洗涤，得到多菌灵分子印迹比率型荧光传感器。
[0032]本专利技术实施例的另一目的在于提供一种多菌灵分子印迹比率型荧光传感器，所述多菌灵分子印迹比率型荧光传感器采取上述中任意一项所述的制备方法制备得到。
[0033]本专利技术实施例的另一目的在于提供一种如上述中所述的多菌灵分子印迹比率型荧光传感器在多菌灵检测中的应用。
[0034]优选的，所述多菌灵分子印迹比率型荧光传感器浓度为250mg/L，检测时间为10min，pH＝7。
[0035]本专利技术实施例提供的一种多菌灵分子印迹比率型荧光传感器的制备方法，通过对包埋硅基后的红色荧光CdTe量子点进行乙烯基表面修饰和采用OVDAC对绿色荧光CdTe量子点进行表面修饰能提供多菌灵特异选择性识别位点，当多菌灵分子印迹比率型荧光传感器与多菌灵结合后，多菌灵分子印迹比率型荧光传感器通过多菌灵特异选择性识别位点捕捉多菌灵，使得多菌灵与多菌灵分子印迹比率型荧光传感器结合。多菌灵与多菌灵分子印迹比率型荧光传感器结合后，导致多菌灵分子印迹比率型荧光传感器中的绿色荧光CdTe量子点的荧光强度发生猝灭，而红色荧光CdTe量子点通过包埋硅基受到保护，荧光强度没有发生明显变化，因此多菌灵分子印迹比率型荧光传感器不同部位量子点荧光强度比值发生明显变化，颜色由黄绿色逐步变化为红色，进而实现了多菌灵的可视化检测。
附图说明
[0036]图1为本专利技术实施例提供的一种多菌灵分子印迹比率型荧光传感器的制备方法的步骤流程图；
[0037]图2为本专利技术实施例提供的水相法制备绿色荧光和红色荧光的CdTe量子点的步骤流程图；
[0038]图3为本专利技术实施例提供的对红色荧光CdTe量子点进行包埋硅基的步骤流程图；
[0039]图4为本专利技术实施例提供的采用OVDAC对绿色荧光CdTe量子点进行表面修饰的步骤流程图；
[0040]图5为本专利技术实施例提供的对表面修饰后的绿色荧光CdTe量子点和红色荧光CdTe
spectrometer，FTIR)，美国，Thermo Fisher IS50；荧光光谱酶标仪，上海闪谱，SuPerMax 3000AL；分子荧光分光光度计，美国，PerkinElmer LS
‑
50B；三用紫外分析仪，河南佰泽仪器有限公司，ZF7型。
[0057]以下结合具体实施例对本专利技术的具体实现进行详细描述。
[0058]实施例1
[0059]如附图1所示，为本专利技术一个实施例提供的一种多菌灵分子印迹比率型荧光传感器的制备方法，包括以下步骤：
[0060]S100，制备绿色荧光和红色荧光的CdTe量子点；
[0061]S200，对红色荧光CdTe量子点进行包埋硅基，并将包埋硅基后的红色荧光CdTe量子点进行乙烯基表面修饰，以及采用OVDAC对绿色荧光CdTe量子点进行表面修饰；
[0062]S300，对表面修饰后的绿色荧光CdTe量子点和红色荧光CdTe量子点进行组装，得到多菌灵分子印迹比率型荧光传感器。
[0063]在本本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多菌灵分子印迹比率型荧光传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：制备绿色荧光和红色荧光的CdTe量子点；对红色荧光CdTe量子点进行包埋硅基，并将包埋硅基后的红色荧光CdTe量子点进行乙烯基表面修饰，以及采用OVDAC对绿色荧光CdTe量子点进行表面修饰；对表面修饰后的绿色荧光CdTe量子点和红色荧光CdTe量子点进行组装，得到多菌灵分子印迹比率型荧光传感器。2.根据权利要求1所述的多菌灵分子印迹比率型荧光传感器的制备方法，其特征在于，所述绿色荧光和红色荧光的CdTe量子点采用水相法制备而成。3.根据权利要求2所述的多菌灵分子印迹比率型荧光传感器的制备方法，其特征在于，所述水相法制备绿色荧光和红色荧光的CdTe量子点具体包括以下步骤：将NaBH4、Te粉末和蒸馏水混合，超声震荡制备得到NaHTe溶液；惰性气体保护条件下，将NaHTe溶液加入CdCl2和TGA的混合溶液中；对上述得到的混合溶液进行回流反应，得到绿色荧光和红色荧光的CdTe量子点。4.根据权利要求1所述的多菌灵分子印迹比率型荧光传感器的制备方法，其特征在于，所述对红色荧光CdTe量子点进行包埋硅基具体包括以下步骤：依次加入红色荧光CdTe量子点溶液、正己醇、环己烷和曲拉通X
‑
100，混合搅拌；加入PDDA溶液，继续混合搅拌；加入TEOS，继续混合搅拌；上述反应完成后，加入丙酮进行破乳操作；离心洗涤，得到包埋硅基的红色荧光CdTe量子点。5.根据权利要求1所述的多菌灵分子印迹比率型荧光传感器的制备方法，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：方松，宁扬，刘雪，宋德安，邱军，孙鹏，
申请(专利权)人：中国农业科学院烟草研究所中国烟草总公司青州烟草研究所，
类型：发明
国别省市：