压电材料及其制作方法、声表面波谐振器及电子器件技术

本发明专利技术公开一种压电材料及其制作方法、声表面波谐振器及电子器件，所述压电材料包括自下向上叠设的硅基衬底以及氮化铝薄膜。本发明专利技术提供的压电材料，将氮化铝薄膜作为压电层，以供声表面波在其表面产生并传播，氮化铝薄膜具有声速高、热稳定性好、导热系数高等优点，因而器件频率高、温度漂移小；此外，以硅基为衬底，制作氮化铝薄膜作为压电材料，有利于器件的大规模生产，且能够与CMOS工艺集成，有助于降低制造成本、提升器件集成度和性能。提升器件集成度和性能。提升器件集成度和性能。

【技术实现步骤摘要】
压电材料及其制作方法、声表面波谐振器及电子器件


[0001]本专利技术涉及无线通信技术和传感器领域，特别涉及一种压电材料及其制作方法、声表面波谐振器及电子器件。

技术介绍

[0002]表面声波谐振器可以用于制作声表面波滤波器、压力传感器、气体探测器、辐射探测器、能量收集器、能量转换器、以及微流体器件等，其中，声表面波滤波器被广泛地应用于移动通信领域。现有的声表面波滤波器中采用的压电材料主要为钽酸锂或铌酸锂的单晶晶圆，但其温度漂移大，与CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor互补金属氧化物半导体)工艺不兼容，与硅基器件难集成，成本高。

技术实现思路

[0003]本专利技术的主要目的是提出一种压电材料及其制作方法、声表面波谐振器及电子器件，旨在解决现有的声表面波滤波器中存在的温度漂移大、频率低、与CMOS工艺不兼容、与硅基器件难集成、成本高的问题。
[0004]为实现上述目的，本专利技术提出一种压电材料，用于声表面波谐振器，所述压电材料包括自下向上叠设的硅基衬底以及氮化铝薄膜。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种压电材料，用于声表面波谐振器，其特征在于，所述压电材料包括自下向上叠设的硅基衬底以及氮化铝薄膜。2.如权利要求1所述的压电材料，其特征在于，所述氮化铝薄膜为单晶结构；和/或，所述氮化铝薄膜为掺杂氮化铝薄膜，所述掺杂氮化铝薄膜中掺杂有钪、钇、镧、铈、镨、钕、钷、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱、镥、铬、锆、锰、镁中的至少一种。3.如权利要求1或2所述的压电材料，其特征在于，所述硅基衬底与所述氮化铝薄膜之间设有中间层，所述中间层包括自下向上叠设的种子层和/或缓冲层和/或过渡层，所述种子层的材质包括氮化物材料，所述缓冲层的材质包括氮化铝材料，所述过渡层的材质包括铝氮化合物材料，且所述过渡层中的铝组分浓度沿自下向上的方向逐渐增加。4.如权利要求3所述的压电材料，其特征在于，所述硅基衬底与所述中间层之间设有应力吸收层，所述应力吸收层的材质包括氮化...

【专利技术属性】
技术研发人员：樊永辉，许明伟，樊晓兵，
申请(专利权)人：深圳市汇芯通信技术有限公司，
类型：发明
国别省市：