【技术实现步骤摘要】
晶圆清洗装置
[0001]本专利技术涉及半导体制造设备领域，尤其涉及一种晶圆清洗装置。
技术介绍
[0002]晶圆制造是制约超大规模集成电路(即芯片,IC,Integrated Circuit Chip)产业发展的关键环节。随着集成电路特征尺寸持续微缩，晶圆表面质量要求越来越高，因而晶圆制造过程对缺陷尺寸和数量的控制越来越严格。逻辑芯片制程中，当特征尺寸从14nm发展至7nm时，19nm以上污染物的控制范围也从100减小至50颗，逐步逼近清洗技术和量测技术极限。污染物是造成晶圆表面质量下降甚至产生缺陷的重要因素，因此需要采用清洗技术去除晶圆表面污染物，从而获得超清洁表面，特别是在化学机械抛光(CMP,Chemical Mechanical Polishing)的后清洗干燥中，容易遇到液痕缺陷(亦称为水痕，water mark)，这将导致氧化物厚度的局部变化，严重影响芯片制造良率。
[0003]清洗晶圆的箱体内部是一个湿度很大的环境，易在箱体顶部凝结液滴，并且在清洗过程中还会有液体被甩到箱体顶盖上，导致当晶圆清洗结束在...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种晶圆清洗装置，其特征在于，包括清洗组件和用于容纳清洗组件的箱体，所述箱体具有顶盖、侧壁和底板，在箱体顶部设置防滴液机构，用于避免顶盖的下表面的液体滴落在晶圆表面造成污染。2.如权利要求1所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述防滴液机构包括喷气组件，所述喷气组件沿顶盖的下表面喷射气体以驱离下表面附着的液体。3.如权利要求2所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述顶盖具有形成为斜面的下表面，喷气组件沿所述斜面喷射气体，从而沿斜面形成由上至下的气流层。4.如权利要求3所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述侧壁的一面设有取片口，喷气组件远离取片口设置，所述斜面从远离取片口的一侧向靠近取片口的一侧斜向下倾斜。5.如权利要求2所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述喷气组件包括喷气杆，所述喷气杆两端...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘远航，刘健，马旭，路新春，
申请(专利权)人：华海清科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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