一种足银首饰焊接用低银钎料及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种足银首饰焊接用低银钎料及其制备方法，属于银首饰焊接材料技术领域。本发明专利技术的足银首饰焊接用低银钎料，由以下质量百分比的元素组成：Ag 60～70％，Zn 6～15％，Sn 0.1～4％，Si 0.2～1.2％，Ge 0.2～0.8％，微量元素0.5～2％，余量为Cu；微量元素选自Ni、Co、Ce、Au、Pt、Pd、Ir、Mo的一种或任意组合。本发明专利技术的足银首饰焊接用低银钎料的熔化温度为650～780℃，钎焊温度为680～800℃，具有焊接温度低、钎料熔体的流动性好，焊接过程中不易出现乱流和气孔的优点，适合足银首饰饰品的低温修补焊接和二次焊接。补焊接和二次焊接。

【技术实现步骤摘要】
一种足银首饰焊接用低银钎料及其制备方法


[0001]本专利技术涉及一种足银首饰焊接用低银钎料及其制备方法，属于银首饰焊接材料


技术介绍

[0002]依据国标GB/T 11887
‑
2012《首饰贵金属纯度的规定及命名方法》，首饰中贵金属银纯度千分数最小值达到990
‰
即为足银，目前我国大部分工艺品和首饰饰品均为足银产品。足银色泽美丽，多用于制作手镯、工艺摆件等产品，并随着产品外观设计越来越复杂，制作工艺融合，产品多个部件需要进行焊接。足银饰品焊接通常采用钎焊连接，钎焊可保证首饰饰品的外观尺寸，焊缝饱满圆滑，外观美丽。
[0003]目前，用于足银饰品的钎料种类繁杂，尚未进行统一的规定，众多的首饰饰品加工厂通过自己开发产品和自主采购，导致焊接过程中易出现钎料不匹配，焊接性能差，严重影响足银饰品的质量。因此，为了提高焊接性能以及足银饰品的质量，对焊接足银饰品的钎料的流动性、润湿性、色泽、有害元素含量、耐蚀性和银含量等有较高的要求。例如，如果钎料在焊接熔化过程中流动性过大，易出现乱流，形成的液态钎料熔体流动到焊缝外较远位置，导致后期需要打磨处理，影响外观和尺寸；如果钎料的流动性差，焊接过程中钎料熔体的毛细作用弱，不能填充焊缝，导致外观差，并且造成连接强度不可靠。
[0004]由于首饰饰品形状和设计日益精细复杂，特别是大量饰品由多个配件共同连接，导致足银首饰饰品的焊接过程中存在多次焊接，在焊点附近会需要进行二次焊接，一次焊接通常采用高温焊接，二次焊接采用低温焊接，其中二次焊接温度一般低于一次焊接100℃左右。焊接足银饰品时，先进行高温钎焊，最后进行低温钎焊，依照这样的顺序，可以避免先期完成的焊点再次裂开。现有技术通常采用低银钎料作为足银首饰低温焊接用银钎料，其中，最常用的低银钎料为BAg45CuZn，但由于其Zn含量较高，为23～27％，虽然可以降低钎料的熔点，但是由于存在大量银、铜固溶体，造成钎料熔体的表面张力小，并且随着温度升高，Zn元素蒸汽压升高，容易导致析出气孔，目前的足银首饰焊接用低银钎料在焊接过程中更易出现乱流和气孔问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于提供一种足银首饰焊接用低银钎料，用于解决目前目前的足银首饰焊接用低银钎料在焊接过程中存在的易出现乱流和气孔的问题。
[0006]本专利技术的另一目的在于提供一种足银首饰焊接用低银钎料的制备方法。
[0007]为了实现以上目的，本专利技术的足银首饰焊接用低银钎料所采用的技术方案是：
[0008]一种足银首饰焊接用低银钎料，由以下质量百分比的元素组成：Ag 60～70％，Zn 6～15％，Sn 0.1～4％，Si 0.2～1.2％，Ge 0.2～0.8％，微量元素0.02～2％，余量为Cu；所述微量元素选自第一微量元素和/或第二微量元素，所述第一微量元素选自Ni、Co、Ce中的一种或任意组合，所述第二微量元素选自Au、Pt、Pd、Ir、Mo的一种或任意组合。
[0009]本专利技术的足银首饰焊接用低银钎料的熔化温度为650～780℃，钎焊温度为680～800℃，具有焊接温度低、钎料熔体的流动性好，焊接过程中不易出现乱流和气孔的优点，适合足银首饰饰品的低温修补焊接和二次焊接。本专利技术的足银首饰焊接用低银钎料中的Sn元素可达到降低钎料熔点，提高流动性的目的。足银首饰焊接用低银钎料中的Zn、Si、Ge等元素可增加低温银钎料熔体的表面张力，减少低温银钎料在焊接过程中的乱流趋势。Zn元素可降低银钎料熔点，提高铸造性，但是随着温度升高，Zn元素蒸汽压升高，容易导致析出气孔，本专利技术的Zn元素控制较低，为6～15％，低温银钎料中的Si、Ge和Sn可明显减少Zn元素挥发，降低气孔率。低温银钎料中的微量元素可提高低温银钎料的耐蚀性能，使低温银钎料在使用过程中不易变色，提高焊接的银饰的品质。低温银钎料中的稀土元素Ce可有效降低晶间腐蚀发生趋势，提高低温银钎料的耐蚀性能。
[0010]优选地，上述足银首饰焊接用低银钎料，由以下质量百分比的元素组成：Ag 60～70％，Zn 10～15％，Sn 0.1～4％，Si 0.2～0.6％，Ge 0.2～0.6％，微量元素0.02～1.6％，余量为Cu。
[0011]优选地，所述微量元素为Ce；或所述微量元素为Ni和Pd；或所述微量元素为Co、Pt和Ir；或所述微量元素为Co、Au和Mo。
[0012]优选地，第一微量元素为Ce。优选地，第一微量元素为Ni，第二微量元素为Pd。优选地，第一微量元素为Co，第二微量元素为Pt和Ir，所述Pt和Ir的质量比为5:3。优选地，第一微量元素为Co，第二微量元素为Au和Mo，所述Au和Mo的质量比为2:1。
[0013]优选地，所述足银首饰焊接用低银钎料中的Si元素的质量百分比为0.2～0.5％。Si在银钎料中作为双向金属，含量过高会导致钎料加工困难，脆化严重；含量过低达不到增加钎料熔体表面张力，让钎角圆滑的目的。
[0014]优选地，所述足银首饰焊接用低银钎料中的Ge元素的质量百分比为0.2～0.5％。Ge与Si为同副族元素，与Si性质相似，但Ge的熔点低，在焊接过程中可有效保护钎缝，同时提高钎缝的耐蚀性。
[0015]优选地，所述微量元素包括Ce，所述足银首饰焊接用低银钎料中的Ce元素的质量百分比不超过0.02％。Ce不仅可以提高钎料熔体的流动性，也可以提高钎缝的耐蚀性，尤其是抗汗液腐蚀能力。Ce元素含量过高会导致钎料性能劣化，含量过低起不到提高钎料熔体流动性和耐蚀性的作用。
[0016]本专利技术的足银首饰焊接用低银钎料可以为粉状、膏状、片状或丝状。
[0017]本专利技术的足银首饰焊接用低银钎料的制备方法所采用的技术方案是：
[0018]一种上述足银首饰焊接用低银钎料的制备方法，包括以下步骤：将足银首饰焊接用低银钎料的前驱合金熔体进行浇铸成形或浇铸成铸锭，再将铸锭加工成形。
[0019]本专利技术的足银首饰焊接用低银钎料的制备方法操作简单，制备的足银首饰焊接用低银钎料具有焊接温度低、钎料熔体的流动性好，焊接过程中不易出现乱流和气孔的优点。
[0020]可以理解的是，足银首饰焊接用低银钎料的前驱合金熔体经过浇铸成形或浇铸成铸锭，再将铸锭加工成形后，即得到本专利技术的具有一定形状的足银首饰焊接用低银钎料，例如，片状或丝状。前驱合金熔体中的化学成分与本专利技术的足银首饰焊接用低银钎料的化学成分相同。
[0021]优选地，所述前驱合金熔体采用方法A、方法B或方法C制得；
[0022]所述方法A包括以下步骤：将Ag、Cu
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第一微量元素中间合金、Cu、Si、Ge、Zn、Sn进行熔炼，即得；
[0023]所述方法B包括以下步骤：将Ag、第二微量元素金属、Cu、Si、Ge、Zn、Sn进行熔炼，即得；
[0024]所述方法C包括以下步骤：将Ag、第二微量元素金属、Cu
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第一微量元素中间合金、Cu、Si、Ge、Zn、S本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种足银首饰焊接用低银钎料，其特征在于，由以下质量百分比的元素组成：Ag 60～70％，Zn 6～15％，Sn 0.1～4％，Si 0.2～1.2％，Ge 0.2～0.8％，微量元素0.02～2％，余量为Cu；所述微量元素选自第一微量元素和/或第二微量元素，所述第一微量元素选自Ni、Co、Ce中的一种或任意组合，所述第二微量元素选自Au、Pt、Pd、Ir、Mo的一种或任意组合。2.如权利要求1所述的足银首饰焊接用低银钎料，其特征在于，由以下质量百分比的元素组成：Ag 60～70％，Zn 10～15％，Sn 0.1～4％，Si 0.2～0.6％，Ge 0.2～0.6％，微量元素0.02～1.6％，余量为Cu。3.如权利要求2所述的足银首饰焊接用低银钎料，其特征在于，所述微量元素为Ce；或所述微量元素为Ni和Pd；或所述微量元素为Co、Pt和Ir；或所述微量元素为Co、Au和Mo。4.如权利要求1所述的足银首饰焊接用低银钎料，其特征在于，所述足银首饰焊接用低银钎料中的Si元素的质量百分比为0.2～0.5％。5.如权利要求1所述的足银首饰焊接用低银钎料，其特征在于，所述足银首饰焊接用低银钎料中的Ge元素的质量百分比为0.2～0.5％。6.如权利要求1所述的足银首饰焊接用低银钎料，其特征在于，所述微量元素包括Ce，所述足银首饰焊接用低银钎料中的Ce元素的质量百分比不超过0.02％。7.如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：钟素娟，于奇，马佳，潘建军，王路乙，于新泉，潘世师，
申请(专利权)人：郑州机械研究所有限公司，
类型：发明
国别省市：