一种半导体元件柔性封装剂及其制备方法与薄膜封装方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体元件柔性封装剂及其制备方法与薄膜封装方法。该半导体元件柔性封装剂包括以下重量份数的组分：改性笼型低聚倍半硅氧烷10

【技术实现步骤摘要】
一种半导体元件柔性封装剂及其制备方法与薄膜封装方法


[0001]本申请涉及半导体元件封装
，尤其涉及一种半导体元件柔性封装剂及其制备方法与薄膜封装方法。

技术介绍

[0002]对于柔性半导体器件的封装，因器件中的有机材料和电极等对环境中的水汽、氧气敏感，因此制作完成后必须原位进行封装，以达到阻水阻氧的目的。一般认为封装工艺中有机层的水氧透过率＜7x 10
‑4g/m2·
day，有好的整体封装效果。目前比较有效的封装方式是采用薄膜封装技术，因为需要面临多次的自由弯折，对封装材料的性能必然提出更苛刻的要求。柔性器件封装材料需要在发生很大弯曲变形时仍然可以保证材料的有效使用，在具有足够柔性的同时能有效隔绝湿气和氧气，并且还要有一定的强度和热稳定性以保证产品的实际应用要求。
[0003]专利CN107863447A中公开了一种制备OLED薄膜封装层的方法，通过在基板上按顺序沉积多层有机
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无机材料实现OLED薄膜封装，其中，有机材料膜层为丙烯酸酯、六甲基二硅醚、聚丙烯酸酯类、聚碳酸酸酯类、聚苯乙烯材料中本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体元件柔性封装剂，其特征在于，按照总重量为100份计算，包括以下重量份数的组分：改性笼型低聚倍半硅氧烷10
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50份、第一丙烯酸酯稀释剂40
‑
85份、第二丙烯酸酯稀释剂3
‑
15份、光引发剂0.1
‑
10份；所述改性笼型低聚倍半硅氧烷的结构式如通式(Ⅰ)所示：其中，R1、R2各自独立地为取代或未取代的C1‑
20
亚烷基、取代或未取代的C1‑
30
的亚烷基醚基、取代或未取代的C6‑
30
芳基和取代或未取代的C7‑
30
芳烷基中的一种；其中R3、R4、R5、R6、R7、R8各自独立地为取代或未取代的C1‑
20
亚烷基、取代或未取代的C1‑
30
的亚烷基醚基、取代或未取代的C6‑
30
芳基、取代或未取代的C7‑
30
芳烷基和氟代烷烃中的一种；Y1、Y2各自独立地为以下结构中的一种：X的结构式如下：其中，R为甲基或氢。2.如权利要求1所述的半导体元件柔性封装剂，其特征在于，所述改性笼型低聚倍半硅氧烷为具有以下结构式A
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1、A
‑
2、A
‑
3、A
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4、A
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5、A
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6、A
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7、A
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8或A
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9的化合物：
3.如权利要求1所述的半导体元件柔性封装剂，其特征在于，所述第一丙烯酸酯稀释剂的结构式如通式(Ⅱ)所示：其中，R为甲基或氢；n＝2～20且n为...

【专利技术属性】
技术研发人员：林友强，孙丰振，李德林，
申请(专利权)人：深圳市首骋新材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：