【技术实现步骤摘要】
一种双频段超宽带4
×
8射频矩阵开关
[0001]本专利技术属于射频集成电路
，具体涉及一种双频段超宽带4
×
8射频矩阵开关。
技术介绍
[0002]在如今的无线通信时代，随着射频集成电路和电子信息产业的发展，无线通信终端集成度越来越高，通信技术的标准也更加丰富，通信频段拥挤、通信模式并存，针对单一频段的射频接收前端已逐渐不能满足日常需求。为满足多频段通信需求，可重构射频前端应运而生。
[0003]射频矩阵开关是可重构射频前端的关键模块，通过射频矩阵开关对射频前端模块(如低噪声放大器、滤波器)进行切换实现射频前端的重构来满足不同频段的通信需求。射频矩阵开关含有多个输入端和多个输出端，因此可以将任何一个输入连接到任何一个输出。射频矩阵开关分为阻塞矩阵、非阻塞矩阵和完整或部分访问矩阵。阻塞矩阵允许将单个输入连接到任何单个输出，因此，在任何给定时间只有一个信号路径是可用的。常见的阻塞型矩阵开关采用两个单刀多掷开关背对背相连，即单刀端与单刀端相连。这种开关结构简单，但由于开关支路多，...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种双频段超宽带4
×
8射频矩阵开关，其特征在于，包括控制网络、一个输入单刀四掷射频开关、两个输出单刀四掷射频开关和一个开关滤波电路；其中，输入单刀四掷射频开关的单刀端与开关滤波电路的输入端相连；两个输出单刀四掷射频开关的单刀端分别与开关滤波电路的两个输出端相连；所述开关滤波电路包括高通滤波和低通滤波两条支路，两条支路共用同一个输入端，其中，高通滤波支路由一个电容和一个晶体管串联组成，低通滤波支路包括一个电感和两个晶体管，其中一个晶体管串联在支路上，另一个晶体管并联在支路上；输入单刀四掷射频开关的四个掷为射频矩阵开关的四个输入端，两个输出单刀四掷射频开关的掷为射频矩阵开关的八个输出端；所述控制网络用于为射频矩阵开关中的所有晶体管提供偏置电压。2.如权利要求1所述的双频段超宽带4
×
8射频矩阵开关，其特征在于，所述两个输出单刀四掷射频开关分别为高频段单刀四掷射频开关和低频段单刀四掷射频开关；高频段单刀四掷射频开关与低频端单刀四掷射频开关的拓扑结构相同，但低频端单刀四掷射频开关的晶体管尺寸较高频段单刀四掷射频开关的晶体管尺寸更大。3.如权利要求2所述的双频段超宽带4
×
8射频矩阵开关，其特征在于，高频段单刀四掷射频开关与开关滤波电路的高通滤波支路相连，低频段单刀四掷射频开关与开关滤波电路的低通滤波支路相连。4.如权利要求3所述的双频段超宽带4
×
8射频矩阵开关，其特征在于，所述控制网络包括偏置电阻Rg1
‑
Rg25；所述输入单刀四掷射频开关包括晶体管M1
‑
M8；所述开关滤波电路包括晶体管M25、M26、M27，及第一电容C1、第一电感L1；高频段单刀四掷射频开关包括晶体管M9
‑
M16；低频段单刀四掷射频开关包括晶体管M17
‑
M24；其中，第一输入端口Port1与晶体管M1的源极、晶体管M2的漏极相连，晶体管M2的栅极与偏置电阻Rg3相连，晶体管M2的源极接地，晶体管M1的栅极与偏置电阻Rg1一端相连，晶体管M1的漏极与晶体管M3的漏极、晶体管M5的漏极、晶体管M7的漏极、电容C1的一端、电感L1的一端相连，晶体管M3的源极与晶体管M4的漏极、第二输入端口Port2相连，晶体管M3的栅极与偏置电阻Rg2的一端相连，晶体管M4的源极接地，晶体管M4的栅极与偏置电阻Rg4一端相连，晶体管M5的源极与晶体管M6的漏极、第三输入端口Port3相连，晶体管M5...
【专利技术属性】
技术研发人员：王勇，杨涛，王振宇，王肇旿，马殊，陈满建，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。