【技术实现步骤摘要】
基板处理装置和基板处理方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年10月28日提交韩国专利局的申请号为10
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2020
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0141436的韩国专利申请的权益,该专利申请的全部内容通过引用合并于此。
[0003]本文中描述的本专利技术构思的实施方案涉及一种基板处理装置和基板处理方法,并且涉及一种用于超出物理对中缓冲器(physical centering buffer)的基板容纳范围的、在手部中的未对准基板的基板处理装置和基板处理方法。
技术介绍
[0004]为了制造半导体设备,执行各种工艺,例如沉积工艺、照相工艺、蚀刻工艺和清洁工艺。执行这些工艺中的一些工艺的装置具有多个腔室。在一个腔室中执行了对基板的工艺之后,基板被传送到另一个腔室。
[0005]根据一示例,执行照相工艺的基板处理装置包括各种腔室,例如将诸如光刻胶的光敏液体施用到基板的施用腔室、在施用光敏液体之前或之后加热或冷却基板的烘烤腔室、以及曝光基板边缘区域的边缘曝光腔室。基板以 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基板处理方法,所述基板处理方法包括:测量基板的对准状态,所述基板放置在传送单元的手部上,所述传送单元配置为传送所述基板;当所述基板的所述对准状态有问题时,通过所述传送单元将所述基板传送到基板对准单元;以及通过所述基板对准单元对准所述基板的位置,其中,所述基板处理方法还包括:当在所述对准状态的测量中测量到所述基板的所述对准状态超出传感器读取范围时,在所述基板装载到所述基板对准单元之前临时校正所述基板的所述位置。2.根据权利要求1所述的基板处理方法,其中,所述位置的所述临时校正包括:使用所述对准状态的所述测量的测量值来确定所述基板的未对准方向性;以及将所述手部的位置在与所述基板的未对准方向相反的方向上以预设间隔偏移。3.根据权利要求2所述的基板处理方法,其中,所述预设间隔对应于传感器的读取范围,所述传感器安装在所述手部中并配置为测量所述基板的所述对准状态。4.根据权利要求2所述的基板处理方法,其中,在所述对准状态的所述测量中,安装在所述手部中的四个传感器检测所述基板上的四个端部位置。5.根据权利要求4所述的基板处理方法,其中,所述传感器朝向放置在所述手部中的所述基板发射光,并且使用检测到的光的面积来测量所述基板的未对准程度。6.根据权利要求4所述的基板处理方法,其中,在所述未对准方向性的所述确定中,通过所述四个传感器中超出所述传感器读取范围的非检测传感器来识别所述基板的所述未对准方向。7.一种基板处理装置,所述基板处理装置包括:基板对准单元,所述基板对准单元配置为对准基板;传送单元,所述传送单元具有手部和位置传感器,所述基板放置在所述手部上,所述位置传感器配置为测量所述手部上的所述基板的位置,并且所述传送单元配置为将所述基板传送到所述基板对准单元;以及教导单元,所述教导单元配置为设定传送位置,在所述传送位置处,所述基板由所述传送单元传送到所述基板对准单元上,其中,所述教导单元使用所述位置传感器测量放置在所述手部上的所述基板的位置未对准,并且当所述基板的对准状态超出所述位置传感器的传感器读取范围时,在放置于所述手部上的所述基板落座在所述基板对准单元上之前校正所述手部的传送位置。8.根据权利要求7所述的基板处理装置,其中,所述教导单元使用所述位置传感器的测量值来确定所述基板的未对准方向性。9.根据权利要求8所述的基板处理装置,其中,在所述教导单元中,安装在所述手部中的四个位置传感器检测所述基板上的四个端部位置。10.根据权利要求9所述的基板处理装置,其中,所述教导单元通过所述四个位置传感...
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