半导体器件制造技术

提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括：衬底，所述衬底包括彼此相对的第一表面和第二表面；硬宏，所述硬宏设置在所述衬底的所述第一表面上，包括单元区和沿着所述单元区的周边形成的光晕区，并且包括设置在第一金属层级的第一连接布线并具有从所述单元区延伸到所述光晕区的至少一部分；第一电源轨，所述第一电源轨设置在所述衬底的所述第二表面上并接收第一电压；以及第一贯穿通路，所述第一贯穿通路穿透所述光晕区和所述衬底，以连接所述第一电源轨和所述第一连接布线并且是单个结构。构。构。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年10月26日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10
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2020
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0139181的权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部合并于此。


[0003]本公开涉及半导体器件。

技术介绍

[0004]随着信息介质的快速普及，半导体器件的功能正迅猛发展。要求最近的半导体产品成本低以具有竞争力并高度集成以具有高质量。为了高度集成，半导体器件正在缩小规模。
[0005]随着节距大小的减小，正在对向半导体器件供应电力的方法进行研究。

技术实现思路

[0006]本公开的各方面提供了使用现有的硬宏并且被供应电力而面积没有增加的半导体器件。
[0007]根据本公开的示例实施例，一种半导体器件包括：衬底，所述衬底包括彼此相对的第一表面和第二表面；硬宏，所述硬宏设置在所述衬底的所述第一表面上，并包括单元区和沿着所述单元区的周边形成的光晕区以及设置在第一金属层级的第一连接布线，所述第一连接布线具有从所述单本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：衬底，所述衬底包括彼此相对的第一表面和第二表面；硬宏，所述硬宏设置在所述衬底的所述第一表面上，并包括单元区和沿着所述单元区的周边形成的光晕区以及设置在第一金属层级的第一连接布线，所述第一连接布线具有从所述单元区延伸到所述光晕区的至少一部分；第一电源轨，所述第一电源轨设置在所述衬底的所述第二表面上并接收第一电压；以及第一贯穿通路，所述第一贯穿通路穿透所述光晕区和所述衬底，以连接所述第一电源轨和所述第一连接布线，其中，所述第一贯穿通路是单个结构。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述硬宏还包括设置在所述第一连接布线上的第二连接布线，并且其中，在从所述衬底的所述第一表面朝向所述第二表面的方向上，所述第二连接布线不与所述光晕区交叠。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一贯穿通路的宽度在从所述衬底的所述第二表面朝向所述第一表面的方向上减小。4.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：电源布线，所述电源布线设置在所述第一电源轨上；以及电源通路，所述电源通路连接所述电源布线和所述第一电源轨，其中，向所述第一电源轨提供的电压通过所述电源布线和所述电源通路进行分配。5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述电源通路的宽度在从所述衬底的所述第一表面朝向所述第二表面的方向上减小。6.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：第二电源轨，所述第二电源轨接收与所述第一电压不同的第二电压；第二连接布线，所述第二连接布线设置在所述第一金属层级，并具有从所述单元区延伸到所述光晕区的至少一部分；以及第二贯穿通路，所述第二贯穿通路连接所述第二电源轨和所述第二连接布线。7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述第一电压是电源电压，并且所述第二电压是地电压。8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述单元区包括在所述衬底的长度方向上的彼此相对的第一侧和第二侧以及连接所述第一侧和所述第二侧并在所述衬底的宽度方向上的彼此相对的第三侧和第四侧，其中，所述第一贯穿通路包括多个第一贯穿通路，并且其中，所述多个第一贯穿通路设置在位于所述第一侧至所述第四侧中的至少一侧的所述光晕区中。9.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：逻辑区，所述逻辑区设置在所述衬底的所述第一表面上并与所述硬宏间隔开，并且包括设置在所述第一金属层级的第三连接布线；信号线，所述信号线设置在所述衬底的所述第二表面上，并与所述第一电源轨间隔开；
以及第三贯穿通路，所述第三贯穿通路穿透所述衬底以连接所述信号线和所述第三连接布线。10.根据权利要求9所述的半导体器件，所述半导体器件还包括第四连接布线，所述第四连接布线设置在所述第一连接布线和所述第三连接布线上，以连接所述第一连接布线和所述第三连接布线。11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述第四连接布线设置在所述第一金属层级或比所述第一金属层级高的第...

【专利技术属性】
技术研发人员：金钟斗，朴尚度，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：