【技术实现步骤摘要】
耐故障的电子封装件
[0001]本公开涉及耐故障的电子封装件。
技术介绍
[0002]电子封装体(在此也被称为芯片封装体)典型地由子部件(如芯片、叠层、互连、盖子等)制成。这些子部件通常由具有不同热膨胀系数(CTE)的不同材料制成。在电子封装件的操作期间，芯片散热，从而在封装子部件中引起不同温度。材料的不同温度和不同热膨胀系数可导致封装件部件中的差异膨胀，从而导致翘曲和应力。这些应力在芯片拐角附近可能是最高的。温度的重复循环可能导致部件疲劳失效。芯片和芯片载体之间的互连特别容易遭受疲劳失效。
技术实现思路
[0003]本公开的多个方面可以包括一种降低芯片封装体中的温度引起的应力的方法、电子装置、以及芯片封装体。该芯片封装体的一个示例包括芯片，该芯片具有位于该芯片的后段制程层级中的第一温度传感器。该第一温度传感器被配置成用于测量该芯片在该第一温度传感器周围的局部区域中的第一温度。该芯片封装体还包括经由多个焊料连接耦接至该芯片的芯片载体。芯片载体包括与芯片中的第一温度传感器垂直对准的第二温度传感器。该第二温度传感...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种芯片封装体，包括：芯片，所述芯片具有位于所述芯片的后段制程层级的第一温度传感器，所述第一温度传感器被配置用于测量所述芯片在所述第一温度传感器周围的局部区域中的第一温度；并且芯片载体，所述芯片载体经由多个焊料连接耦接到所述芯片，其中所述芯片载体包括与所述芯片中的所述第一温度传感器垂直对准的第二温度传感器，所述第二温度传感器被配置成测量所述芯片载体在所述第二温度传感器周围的局部区域中的第二温度；其中所述芯片载体进一步包括局部加热器元件，所述局部加热器元件位于所述第二温度传感器附近并且被配置成用于响应于基于所述第一温度与所述第二温度的比较的检测差异而产生热量，从而使得在所述第一温度传感器周围的所述局部区域中调整所述检测差异。2.根据权利要求1所述的芯片封装体，其中所述检测差异是所述第一温度与所述第二温度之间的温度差。3.根据权利要求1所述的芯片封装体，其中所述检测差异是所述芯片的第一热膨胀系数(CTE)和所述第一温度的第一积与所述芯片载体的第二CTE和所述第二温度的第二积之间的差。4.根据权利要求3所述的芯片封装体，其中所述芯片包括具有大约每摄氏度(C)百万分之(ppm)2.6的CTE的硅材料，并且所述芯片载体包括具有大约15ppm/C的复合CTE的一种或多种有机层压材料。5.根据权利要求1所述的芯片封装体，其中所述芯片进一步包括第二局部加热器元件，所述第二局部加热器元件位于所述第一温度传感器附近并且被配置成用于响应于基于所述第一温度与所述第二温度的比较的所述检测差异来生成热量，从而使得在所述第一温度传感器周围的所述局部区域中调整所述检测差异。6.根据权利要求1所述的芯片封装体，其中所述第一温度传感器是片上温度传感器二极管(OCTS)并且所述第二温度传感器是OCTS。7.根据权利要求1所述的芯片封装体，其中所述局部加热器元件是电阻器，所述电阻器被配置成用于响应于向所述电阻器施加的电流而产生热量。8.一种电子装置，包括：印刷电路板；以及增强的芯片封装体，所述增强的芯片封装体经由焊球网格阵列耦接至所述印刷电路板，其中所述增强的芯片封装体包括：芯片，所述芯片具有位于所述芯片的后段制程层级的第一温度传感器，所述第一温度传感器被配置用于测量所述芯片在所述第一温度传感器周围的局部区域中的第一温度；并且芯片载体，所述芯片载体经由多个焊料连接耦接到所述芯片，其中所述芯片载体包括与所述芯片中的所述第一温度传感器垂直对准的第二温度传感器，所述第二温度传感器被配置成测量所述芯片载体在所述第二温度传感器周围的局部区域中的第二温度；其中所述芯片载体进一步包括局部加热器元件，所述局部加热器元件位于所述第二温度传感器附近并且被配置成用于响应于基于所述第一温度与所述第二温度的比较的检测
差异而产生热量，从而使得在所述第一温度传感器周围的所述局部区域中调整所述检测差异。9.根据权利要求8所述的电子装置，其...
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