温度监控装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种温度监控装置，温度监控装置用于监测芯片温度且包括箱体、铂薄膜热电偶、探头、移动装置、信号处理系统和多个电路板，多个电路板阵列于箱体内，每个电路板上阵列多个芯片，每个芯片与电路板电连接，铂薄膜热电偶与芯片一体封装，探头可移动地设于箱体内，探头设于移动装置上，用于带动探头运动，信号处理系统与探头通讯连接。本发明专利技术提供的温度监控装置，通过将铂薄膜热电偶与芯片封装在一起，获得的温度信号对原有温场影响小，抗干扰能力强，响应时间快等优点。利用信号处理系统与探头连接，可以获得清晰的温度信号，解决了监测芯片温度以及芯片可靠性评估过程中，矩阵芯片温度实时监测以及芯片可靠性评估依据难收集的难题。收集的难题。收集的难题。

【技术实现步骤摘要】
温度监控装置


[0001]本专利技术涉及芯片检测设备
，尤其涉及一种温度监控装置。

技术介绍

[0002]随着芯片功能不断集成、晶体管数量以几何倍速度不断增加，芯片在工作中会产生大量的热量，使得芯片温度发生变化会影响芯片的使用性能。因此需要测量芯片工作温度，从而完成对芯片的实时监控和健康管理。相关技术中，芯片温度监控装置，结构复杂，成本高。因此，如何设计一款低成本、低功率、快速响应的温度信息管理系统是亟待解决的技术问题。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供一种温度监控装置，用以解决现有技术中温度监控装置成本高的缺陷，实现低成本、响应快的温度管理。
[0004]本专利技术提供一种温度监控装置，用于监测芯片温度且包括：
[0005]箱体；
[0006]多个电路板，多个所述电路板阵列于所述箱体内，每个所述电路板上阵列多个所述芯片，每个所述芯片与所述电路板电连接；
[0007]铂薄膜热电偶，所述铂薄膜热电偶与所述芯片一体封装；
[0008]探头，所述探头可移动地设于箱体内，用于采集所述铂薄膜热电偶的信号；
[0009]移动装置，所述移动装置与所述箱体连接，所述探头设于所述移动装置上，用于带动所述探头运动；
[0010]信号处理系统，所述信号处理系统与所述探头通讯连接。
[0011]根据本专利技术提供的温度监控装置，所述铂薄膜热电偶包括第一引线、第二引线、基底、铂薄膜和铂铑合金薄膜，所述铂薄膜和所述铂铑合金薄膜均嵌设于所述基底内，所述铂薄膜和所述铂铑合金薄膜间隔开，所述铂薄膜和所述铂铑合金薄膜之间设有接触区，所述接触区适于与所述芯片接触；
[0012]所述第一引线的一端与所述铂薄膜电连接，所述第二引线的一端与所述铂铑合金薄膜电连接，所述探头适于检测所述第一引线的另一端处的热电势、所述第二引线的另一端处的热电势。
[0013]根据本专利技术提供的温度监控装置，所述铂薄膜包括第一平铺段和第一折弯段，所述第一折弯段与所述第一平铺段连接；
[0014]所述铂铑合金薄膜包括第二平铺段和第二折弯段，所述第二折弯段与所述第二平铺段连接，
[0015]所述第一平铺段和所述第二平铺段平行，所述第一折弯段和所述第二折弯段位于所述第一平铺段和所述第二平铺段之间，所述第一折弯段和所述第二折弯段相对设置，所述接触区位于所述第一折弯段和所述第二折弯段之间。
[0016]根据本专利技术提供的温度监控装置，所述铂薄膜热电偶还包括第一焊盘和第二焊盘，所述第一焊盘连接在所述铂薄膜和第一引线之间，所述第二焊盘连接在所述铂铑合金薄膜和第二引线之间。
[0017]根据本专利技术提供的温度监控装置，所述第一焊盘外周、所述第二焊盘外周均包裹有浆料层。
[0018]根据本专利技术提供的温度监控装置，所述第一引线和所述第二引线通过铂浆料与所述基底粘接。
[0019]根据本专利技术提供的温度监控装置，所述基底上溅射一层所述铂薄膜，所述铂薄膜上再镀上一层氧化铝耐蚀层。
[0020]根据本专利技术提供的温度监控装置，所述探头的头部呈锥形头部，所述锥形头部的外周壁设有铜膜，所述铜膜厚度为8μm
‑
12μm。
[0021]根据本专利技术提供的温度监控装置，所述锥形头部的自由端端面设有第一采集柱和第二采集柱，所述第一采集柱的自由端的端面、所述第二采集柱的自由端的端面均设有银膜，所述银膜厚度为0.04mm
‑
0.06mm，所述第一采集柱和所述第二采集柱之间的最小距离为0.15mm
‑
0.25mm。
[0022]根据本专利技术提供的温度监控装置，还包括数据库和显示器，所述数据库与所述信号处理系统通讯连接，所述显示器与所述数据库通讯连接。
[0023]本专利技术提供的温度监控装置，通过将铂薄膜热电偶与芯片封装在一起，获得的温度信号对原有温场影响小，抗干扰能力强，响应时间快等优点，便于准确的收集矩阵芯片工作时的温度信号，能够对矩阵芯片完成健康管理。此外，利用信号处理系统与探头连接，可以获得清晰的温度信号，解决了监测芯片温度以及芯片可靠性评估过程中，矩阵芯片温度实时监测以及芯片可靠性评估依据难收集的难题。
附图说明
[0024]为了更清楚地说明本专利技术或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0025]图1是本专利技术提供的温度监控装置的结构示意图；
[0026]图2是本专利技术提供的铂薄膜热电偶与芯片封装的剖视示意图；
[0027]附图标记：
[0028]温度监控装置100，芯片200，
[0029]箱体110，
[0030]电路板120，
[0031]铂薄膜热电偶130，第一引线131，第二引线132，基底133，
[0032]铂薄膜134，第一平铺段1341，第一折弯段1342，
[0033]铂铑合金薄膜135，第二平铺段1351，第二折弯段1352，
[0034]接触区136，第一焊盘137，第二焊盘138，浆料层139，
[0035]探头140，
[0036]信号处理系统150，数据库160，显示器170，移动装置180。
具体实施方式
[0037]为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术中的附图，对本专利技术中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0038]下面结合图1
‑
图2描述本专利技术实施例的温度监控装置100。需要说明的是，芯片200在工作中会产生大量的热量，使得芯片200温度发生变化会影响芯片200的使用性能，例如芯片200长期处在高温状态下，容易出现老化、电迁移，由此导致芯片200更易失效、可靠性降低。因此需要利用温度监控装置100对芯片200的工作温度进行检测，从而完成对芯片200的实时监控和健康管理。
[0039]如图1所示，温度监控装置100包括箱体110、铂薄膜热电偶130、探头140、移动装置180和多个电路板120。这里，温度监控装置100可以对多个芯片200进行检测、监控。参见图1，箱体110内阵列多个电路板120，每个电路板120上阵列多个芯片200，每个芯片200均具有与对应的电路板120电连接的接口。例如，芯片200可以通讯IO口引脚与电路板120相连，且能够完成通信。芯片200与电源相连，电源可以为芯片200提供稳定持续的工作电压。当然，芯片200与电路板120的连接处，还可以设置卡扣装置，卡扣装置可以将芯片200与电路板120固定，同时电源转换至稳定的电压输入到芯片200电源接口处本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种温度监控装置，其特征在于，所述温度监控装置用于监测芯片温度且包括：箱体；多个电路板，多个所述电路板阵列于所述箱体内，每个所述电路板上阵列多个所述芯片，每个所述芯片与所述电路板电连接；铂薄膜热电偶，所述铂薄膜热电偶与所述芯片一体封装；探头，所述探头可移动地设于箱体内，用于采集所述铂薄膜热电偶的信号；移动装置，所述移动装置与所述箱体连接，所述探头设于所述移动装置上，用于带动所述探头运动；信号处理系统，所述信号处理系统与所述探头通讯连接。2.根据权利要求1所述的温度监控装置，其特征在于，所述铂薄膜热电偶包括第一引线、第二引线、基底、铂薄膜和铂铑合金薄膜，所述铂薄膜和所述铂铑合金薄膜均嵌设于所述基底内，所述铂薄膜和所述铂铑合金薄膜间隔开，所述铂薄膜和所述铂铑合金薄膜之间设有接触区，所述接触区适于与所述芯片接触；所述第一引线的一端与所述铂薄膜电连接，所述第二引线的一端与所述铂铑合金薄膜电连接，所述探头适于检测所述第一引线的另一端处的热电势、所述第二引线的另一端处的热电势。3.根据权利要求2所述的温度监控装置，其特征在于，所述铂薄膜包括第一平铺段和第一折弯段，所述第一折弯段与所述第一平铺段连接；所述铂铑合金薄膜包括第二平铺段和第二折弯段，所述第二折弯段与所述第二平铺段连接，所述第一平铺段和所述第二平铺段平行，所述第一折弯段和所述第二折弯段位于所述第一平铺段和所述第二平铺段之间，所述第一折弯段和所述第二折弯段相对设置，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：齐洪峰，梁瑜，
申请(专利权)人：中车工业研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：