【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光接收装置、测距装置和光接收电路
[0001]本公开涉及光接收装置、测距装置和光接收电路。
技术介绍
[0002]在诸如车载和移动的多个领域中,用于基于来自发光元件的照射光被对象反射并返回光接收元件的飞行时间(TOF)测量到对象的距离的技术的应用正在进步。雪崩光电二极管(APD)是已知的光接收元件。在盖革模式APD(Geiger
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mode APD)中,在两个端子之间施加大于或等于击穿电压的电压,并且随着单光子的入射而发生雪崩现象。单光子通过雪崩现象引起倍增的APD被称为单光子雪崩二极管(SPAD)。
[0003]在SPAD中,可以通过将两个端子之间的电压降低到击穿电压来停止雪崩现象。通过降低端子之间的电压来停止雪崩现象被称为淬灭(quenching)。当使SPAD的两个端子之间的电压再充电到大于或等于击穿电压的偏置电压时,则可以再次检测光子。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1:日本专利公开号2010
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091377r/>[0007]专本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种光接收装置,包括:第一光接收电路,被配置为使得切换用于光接收元件的再充电方法;和控制电路,被配置为基于所述第一光接收电路通过与光子的反应而输出的信号来控制用于所述第一光接收电路的所述再充电方法。2.根据权利要求1所述的光接收装置,其中,所述再充电方法包括被动再充电和主动再充电的组合、被动再充电、以及主动再充电中的至少一者。3.根据权利要求1所述的光接收装置,其中,所述再充电方法包括被动再充电操作时的再充电电流、以及在主动再充电操作时生成复位脉冲的时间延迟中的至少一者。4.根据权利要求1所述的光接收装置,还包括:多个所述第一光接收电路,其中,所述控制电路被配置为基于从多个所述第一光接收电路输出的信号来控制用于所述第一光接收电路中的至少一个的再充电方法。5.根据权利要求4所述的光接收装置,还包括:测量电路,所述测量电路被配置为对多个所述第一光接收电路中的反应数量进行计数,其中,所述控制电路被配置为基于所述反应数量来控制用于至少一个所述第一光接收电路的所述再充电方法。6.根据权利要求4所述的光接收装置,还包括:错误检测器,所述错误检测器被配置为基于所述第一光接收电路输出的信号的波形执行错误确定,其中,所述控制电路被配置为基于针对多个所述第一光接收电路输出的信号的错误确定的数量来控制用于所述第一光接收电路中的至少一个的再充电方法。7.根据权利要求6所述的光接收装置,其中,所述错误检测器被配置为对脉冲宽度超过第一阈值的信号和脉冲之间的间隔小于第二阈值的信号中的至少一者执行错误确定。8.根据权利要求4所述的光接收装置,还包括:纠错电路,所述纠错电路被配置为基于所述第一光接收电路输出的信号的波形执行错误确定,并纠正执行了所述错误确定的所述信号的波形。9.根据权利要求8所述的光接收装置,其中,所述纠错电路被配置为对脉冲宽度超过第一阈值的信号和脉冲之间的间隔小于第二阈值的信号中的至少一者执行错误确定。10.根据权利要求8所述的光接收装置,其中,所述控制电路被配置为基于针对多个所述第一光接收电路输出的信号的错误确定的数量来控制用于所述第一光接收电路中的至少一个的再充电方法。11.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员:马原久美子,小泽治,松川朋広,篠塚康大,
申请(专利权)人:索尼半导体解决方案公司,
类型:发明
国别省市:
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