原子层沉积镀膜设备及其电感耦合线圈制造技术

技术编号:33522999 阅读:47 留言:0更新日期:2022-05-19 01:31
本实用新型专利技术公开了一种原子层沉积镀膜设备及其电感耦合线圈,该电感耦合线圈包括并联设置的第一柱状螺旋线圈与第二柱状螺旋线圈;所述第一柱状螺旋线圈与所述第二柱状螺旋线圈在空间呈上下排布设置;所述第一柱状螺旋线圈的输入端和所述第二柱状螺旋线圈的输入端均连接在同一定位板上,所述定位板设有功率馈入部;所述第一柱状螺旋线圈的输出端和所述第二柱状螺旋线圈的输出端均连接在同一固定板上,以形成接地部。该电感耦合线圈可以提高耦合效率,降低启辉初始功率,可扩宽射频启辉窗口,扩宽等离子体源的产生面积。扩宽等离子体源的产生面积。扩宽等离子体源的产生面积。

【技术实现步骤摘要】
原子层沉积镀膜设备及其电感耦合线圈


[0001]本技术涉及镀膜
,尤其涉及一种原子层沉积镀膜设备及其电感耦合线圈。

技术介绍

[0002]原子层沉积技术(ALD)是一种将物质以单原子膜的形式逐层沉积在基底表面的方法。在原子层沉积过程中,新一层原子膜的化学反应与前一层直接相关。这样,每次反应只沉积一层原子。原子层沉积的每个循环包括两个半反应。各步骤的化学吸附和表面化学反应具有明显的自限性和互补性。这种自限特性是原子层沉积技术的基础。不断重复这种自限反应形成所需的薄膜。一个原子层沉积循环可分为四个步骤:1)将第一前驱体气体通入衬底,衬底将吸附或与衬底表面反应;2)用惰性气体冲洗剩余气体;3)通过第二前体气体,与吸附在基板表面的第一前体气体发生化学反应形成涂层,或者与第一前体反应的产物与基板继续反应形成涂层;4)次使用冲洗气体冲洗掉多余的气体。通过控制沉积周期,可以实现薄膜厚度的精确控制。
[0003]相关技术中的原子层沉积镀膜设备通常包括等离子体发生器,该等离子体发生器通常采用平面结构的耦合线圈或单个柱状螺旋线圈作为感应线圈,此类感应本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电感耦合线圈,其特征在于,包括并联设置的第一柱状螺旋线圈(221)与第二柱状螺旋线圈(222);所述第一柱状螺旋线圈(221)与所述第二柱状螺旋线圈(222)在空间呈上下排布设置;所述第一柱状螺旋线圈(221)的输入端(2211)和所述第二柱状螺旋线圈(222)的输入端(2221)均连接在同一定位板(223)上,所述定位板(223)设有功率馈入部(224);所述第一柱状螺旋线圈(221)的输出端(12)和所述第二柱状螺旋线圈(222)的输出端(2222)均连接在同一固定板(225)上,以形成接地部。2.根据权利要求1所述的电感耦合线圈,其特征在于,所述第一柱状螺旋线圈(221)与所述第二柱状螺旋线圈(222)同轴设置。3.根据权利要求2所述的电感耦合线圈,其特征在于,所述第一柱状螺旋线圈(221)的轴线与所述第二柱状螺旋线圈(222)的轴线错开设置。4.根据权利要求1所述的电感耦合线圈,其特征在于,所述第一柱状螺旋线圈(221)与所述第二柱状螺旋线圈(222)的节距相等。5.根据权利要求1所述的电感耦合线圈,其特征在于,所述第一柱状螺旋线圈(221)与所述第二柱状螺旋线圈(222)的圈数相等。6.根据权利要求1

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【专利技术属性】
技术研发人员:陈文翰李哲峰
申请(专利权)人:深圳市原速科技有限公司
类型:新型
国别省市:

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