本实用新型专利技术公开了一种氮化镓高压釜的固定装置及固定装置组，属于氮化镓生产技术领域，其包括底盘，以及两个设置于底盘且开口相对的半环柱，两个半环柱形成用于容置高压釜底部的容置空间；高压釜的底面开设有若干定位缺口，底盘在容置空间处设有若干与定位缺口配合的定位块；当高压釜底部置于容置空间时，定位块与定位缺口相契合；解决了由于高压釜为长径比大的反应器，呈圆柱状体，在进行上述晶体生长工序时需要有效固定釜体，避免由于操作不当引起釜体倾倒，产生生产安全的问题。产生生产安全的问题。产生生产安全的问题。
【技术实现步骤摘要】
一种氮化镓高压釜的固定装置及固定装置组
[0001]本技术涉及氮化镓生产
，尤其涉及一种氮化镓高压釜的固定装置及固定装置组。
技术介绍
[0002]目前，生产氮化镓的主要方式为氨热法，氨热法是一种在高温高压(400
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700℃,1000
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6000个大气压)环境下，从过饱和临界氨中培养氮化镓晶体的方法。这种方法与水热法生长水晶的技术类似：晶体的培养是在高压釜中进行的。高压釜由耐高温高压和耐酸碱的特种钢材制成。
[0003]通常晶体生长经过如下工序：材料准备
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入炉，抽真空
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预充气，升温
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保温保压
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降温，泄压放空，出炉
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检测，清洗高压釜，进入下一轮晶体生长工序循环。
[0004]但是上述技术方案存在以下问题：由于高压釜为长径比大的反应器，呈圆柱状体，在进行上述晶体生长工序时需要有效固定釜体，避免由于操作不当引起釜体倾倒，产生生产安全的问题，因此有待改善。
技术实现思路
[0005]为了克服现有技术的不足，本技术提供一种氮化镓高压釜的固定装置及固定装置组，以解决上述的技术问题。
[0006]本技术解决其技术问题所采用的技术方案是：
[0007]一种氮化镓高压釜的固定装置，包括底盘，以及两个设置于底盘且开口相对的半环柱，两个所述半环柱形成用于容置高压釜底部的容置空间；所述高压釜的底面开设有若干定位缺口，所述底盘在容置空间处设有若干与定位缺口配合的定位块；当高压釜底部置于容置空间时，所述定位块与定位缺口相契合。
[0008]通过采用上述技术方案，在高压釜需进行生长工序之时，工作人员可利用吊装工具将高压釜吊至固定装置中，即高压釜的底部置入容置空间中，并且在高压釜对位之时，要保证每个定位缺口和每个定位块均位于一个垂直线上；定位缺口和定位块可进一步提高位于容置空间内的高压釜的防倾倒能力。
[0009]作为优选，所述高压釜的侧壁具有测温点口；所述高压釜有且仅有一种转动角度，使其底部置入容置空间时，能使定位缺口与定位块相契合。
[0010]通过采用上述技术方案，测温点口是方便加温系统控制和记录反应中的高压釜的内部温度，因此该测温点口一定需要朝向合理的位置；高压釜有且仅有一种置入角度，可避免存在其他角度，使得高压釜置入时而测温点口朝向另一侧。
[0011]作为优选，所述定位缺口开设有三个，且其中两个开设于高压釜底面直径的两端。
[0012]通过采用上述技术方案，三个定位缺口的情况适用于中型高压釜；若有两个定位缺口开设于高压釜底面直径的两端，那么无论第三个定位缺口开设在高压釜底面的任何位置(除去开设于高压釜底面中心的情况)，均能够保证有且仅有一种置入角度。
[0013]作为优选，所述定位缺口开设有五个，且其中两个开设于高压釜底面直径的两端。
[0014]通过采用上述技术方案，五个定位缺口的情况适用于大型高压釜；若有两个定位缺口开设于高压釜底面直径的两端，那么无论其他三个定位缺口开设在高压釜底面的任何位置(除去五个定位缺口均开设在同一条直径上的情况)，均能够保证有且仅有一种置入角度。
[0015]作为优选，所述高压釜的侧壁具有测温点口；所述高压釜的侧壁和所述底盘分别设有第一定位标识和第二定位标识，当高压釜底部置入容置空间且第一定位标识和第二定位标识对应时，所述测温点口朝向预定方位。
[0016]通过采用上述技术方案，除了上述通过规定定位缺口位置的方式之外，还可以采用定位标识的方式使得测温点口朝向预定方位，这里的预定方位指的就是方便工作人员能够测温的位置。
[0017]作为优选，包括若干上述第二至第五中任一项所述的固定装置，所述固定装置呈矩形阵列分布，每一行或每一列的固定装置均配备有一道测温路径。
[0018]作为优选，当所有固定装置均已置入高压釜时，位于同一行或同一列的高压釜的测温点口朝向该行或该列的高压釜所对应的测温路径。
[0019]通过采用上述技术方案，在一个生产车间中存在有若干的高压釜，也就需要若干的固定装置，呈阵列分布方便工作人员以S路线经过每一条测温路径，以一次性获取所有高压釜的温度情况。
[0020]作为优选，包括若干上述第二至第五中任一项所述的固定装置，所述固定装置呈口字型阵列分布，所述固定装置组的外圈配备一道口字型的测温路径。
[0021]作为优选，当所有固定装置均已置入高压釜时，所有高压釜的测温点口均朝向测温路径。
[0022]通过采用上述技术方案，口字型阵列分布为另一种固定装置组的分布方式，这种分布方式适用于在厂房中部操作高压釜，而在厂房四周放置高压釜的情况，通常会在厂房四周建立起一个口型测温平台，即可一次性检测所有高压釜的温度情况。
[0023]本技术的有益效果是：
[0024]1、在高压釜需进行生长工序之时，工作人员可利用吊装工具将高压釜吊至固定装置中，即高压釜的底部置入容置空间中，并且在高压釜对位之时，要保证每个定位缺口和每个定位块均位于一个垂直线上；定位缺口和定位块可进一步提高位于容置空间内的高压釜的防倾倒能力；
[0025]2、测温点口是方便工作人员观察和记录反应中的高压釜的内部温度，因此该测温点口一定需要朝向合理的位置；高压釜有且仅有一种置入角度，可避免存在其他角度，使得高压釜置入时而测温点口朝向另一侧；
[0026]3、本技术通过两种不同的固定装置组的分布方式，均能使工作人员能够一次性地测出整个厂房高压釜的温度情况。
附图说明
[0027]下面结合附图和实施例对本技术进一步说明。
[0028]图1为本技术中固定装置和高压釜的立体示意图；
[0029]图2为带有三个定位块的固定装置的结构示意图；
[0030]图3为开设有三个定位缺口的高压釜的结构示意图；
[0031]图4为为带有五个定位块的固定装置的结构示意图；
[0032]图5为开设有五个定位缺口的高压釜的结构示意图；
[0033]图6为矩形阵列的固定装置组的结构示意图；
[0034]图7为矩形阵列的固定装置组的平面示意图；
[0035]图8为口字型阵列的固定装置组的结构示意图；
[0036]图9为口字型阵列的固定装置组的平面示意图；
[0037]图中各附图标记说明如下：
[0038]1、底盘；101、半环柱；102、定位块；
[0039]2、高压釜；201、定位缺口；202、测温点口；
[0040]3、测温路径。
具体实施方式
[0041]以下将结合实施例和附图对本技术的构思、具体结构及产生的技术效果进行清楚、完整地描述，以充分地理解本技术的目的、特征和效果。显然，所描述的实施例只是本技术的一部分实施例，而不是全部实施例，基于本技术的实施例，本领域的技术人员在不付出创造本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种氮化镓高压釜的固定装置，其特征在于，包括底盘(1)，以及两个设置于底盘(1)且开口相对的半环柱(101)，两个所述半环柱(101)形成用于容置高压釜(2)底部的容置空间；所述高压釜(2)的底面开设有若干定位缺口(201)，所述底盘(1)在容置空间处设有若干与定位缺口(201)配合的定位块(102)；当高压釜(2)底部置于容置空间时，所述定位块(102)与定位缺口(201)相契合。2.根据权利要求1所述的一种氮化镓高压釜的固定装置，其特征在于，所述高压釜(2)的侧壁具有测温点口(202)；所述高压釜(2)有且仅有一种转动角度，使其底部置入容置空间时，能使定位缺口(201)与定位块(102)相契合。3.根据权利要求2所述的一种氮化镓高压釜的固定装置，其特征在于，所述定位缺口(201)开设有三个，且其中两个开设于高压釜(2)底面直径的两端。4.根据权利要求2所述的一种氮化镓高压釜的固定装置，其特征在于，所述定位缺口(201)开设有五个，且其中两个开设于高压釜(2)底面直径的两端。5.根据权利要求1所述的一种氮化镓高压釜的固定装置，其特征在于，所述高压釜(2)的侧壁具有...
【专利技术属性】
技术研发人员：乔焜，林岳明，
申请(专利权)人：深圳威镓芯材半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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