【技术实现步骤摘要】
一种薄膜晶体管的特性预测方法、装置及系统
[0001]本专利技术涉及电子器件
，特别涉及一种薄膜晶体管的特性预测方法、装置及系统。
技术介绍
[0002]薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)作为集成电路的基本元件，被普遍的用于半导体产品中，目前，现有的薄膜晶体管一般为非晶硅薄膜晶体管，低温多晶硅(Low Temperature Poly Silicon，LTPS)薄膜晶体管和氧化物(Oxide)薄膜晶体管。
[0003]由于薄膜晶体管常制作在低导热系数的玻璃基板或塑料基板上，一方面低导热系数的基板导致热量积累，另一方面，薄膜晶体管工作过程中电流焦耳热会加重薄膜晶体管的自加热效应，从而导致薄膜晶体管的阈值电压漂移、输出特性变化，甚至导致器件失效。特别是对玻璃基板有机发光半导体(Organic Electroluminesence Display，OLED)来说，薄膜晶体管的发热问题会造成器件亮度不均，热应力导致有机薄膜表面形貌发生变化，影响器件内容缺陷。目前主要通过减小薄膜晶体管的工作电...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管的特性预测方法，其特征在于，包括：将用于制作待测薄膜晶体管的工艺条件、所述待测薄膜晶体管的二维结构参数以及物理参数输入至预先建立的器件特性模型，确定所述待测薄膜晶体管在标准温度值下的第一伏安特性曲线，以及工作功率，其中，所述二维结构参数用于表征所述待测薄膜晶体管中各膜层之间的层叠关系；将所述工作功率以及所述待测薄膜晶体管的三维结构参数和热量参数输入至预先建立的温度预测模型，确定所述待测薄膜晶体管在所述工作功率下的温度分布，以及所述温度分布中的最高温度值，其中，所述三维结构参数用于表征所述待测薄膜晶体管中各膜层之间的三维空间关系；将所述最高温度值输入至所述器件特性模型，确定所述待测薄膜晶体管在所述最高温度值下的第二伏安特性曲线；根据所述第二伏安特性曲线与所述第一伏安特性曲线间的偏差，确定所述待测薄膜晶体管的特性变化趋势。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述第二伏安特性曲线与所述第一伏安特性曲线间的偏差，确定所述待测薄膜晶体管的特性变化趋势，包括：根据所述第一伏安特性曲线，确定所述待测薄膜晶体管在所述标准温度值下的第一阈值电压；根据所述第二伏安特性曲线，确定所述待测薄膜晶体管在所述最高温度值下的第二阈值电压；根据所述第一阈值电压与所述第二阈值电压间的漂移情况，确定所述待测薄膜晶体管的特性变化趋势。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将用于制作待测薄膜晶体管的工艺条件、所述待测薄膜晶体管的二维结构参数以及物理参数输入至预先建立的器件特性模型，确定所述待测薄膜晶体管在标准温度值下的第一伏安特性曲线，以及工作功率，包括：将用于制作待测薄膜晶体管的工艺条件、所述待测薄膜晶体管的二维结构参数以及物理参数输入至预先建立的器件特性模型，其中，所述物理参数包括材料迁移率、材料寿命、材料缺陷态、界面缺陷态和界面电荷中的至少一种；经所述器件特性模型建立所述待测薄膜晶体管的器件模型，以及所述器件模型在标准温度值下的第一伏安特性曲线；根据所述第一伏安特性曲线，确定所述器件模型的电场及电流分布；根据所述器件模型的电场及电流分布，确定所述待测薄膜晶体管的工作功率。4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述经所述器件特性模型建立所述待测薄膜晶体管的器件模型，以及所述器件模型在标准温度值下的第一伏安特性曲线，包括：经所述器件特性模型中的泊松方程、连续性方程和电流密度，建立所述待测薄膜晶体管的器件模型，以及所述器件模型在标准温度值下的第一伏安特性曲线。5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将所述工作功率以及所述待测薄膜晶体管的三维结构参数和热量参数输入至预先建立的温度预测模型，确定所述待测薄膜晶体管在所述工作功率下的温度分布，以及所述温度分布中的最高温度值，包括：根据所述工作功率确定热源功率；
将所述热源功率以及所述待测薄膜晶体管的三维结构参数和热量参数输入预先建立的温度预测模型，其中，所述三维结构参数包括所述待测薄膜晶体管的膜层组成、各膜层之间的三维空间参数和各膜层的仿真范围中的至少一种；经所述温度预测模型确定所述待测薄膜晶体管...
【专利技术属性】
技术研发人员：贾倩，彭锦涛，林鸿辉，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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